第1章 晶體二極管 1.1 半導體物理基礎知識 1.1.1 本徵半導體 1.1.2 雜質半導體 1.1.3 兩種導電機理——漂移和擴散 1.1.4 小結 1.2 PN結 1.2.1 動態平衡下的PN結 1.2.2 PN結的伏安特性 1.2.3 PN結的擊穿特性 1.2.4 PN結的溫度特性 1.2.5 PN結的電容特性 1.2.6 PN結的開關特性 1.2.7 小結 1.3 晶體二極管電路的分析方法 1.3.1 晶體二極管模型 1.3.2 晶體二極管電路分析方法 1.4 晶體二極管的應用 1.4.1 整流與穩壓電路 1.4.2 限幅和鉗位電路 1.4.3 二極管與門、或門 1.5 其它二極管 1.5.1 肖特基錶麵勢壘二極管 1.5.2 光電二極管 習題 附錄 PSPLCE電路分析第2章 晶體三極管 2.1 晶體三極管的工作原理 2.1.1 內部載流子的傳輸過程 2.1.2 電流傳輸方程 2.2 晶體三極管模型 2.2.1 埃伯爾斯-莫爾模型 2.2.2 晶體三極管的共射等效電路模型 2.2.3 晶體三極管的伏安特性麯綫 2.2.4 晶體三極管的頻率參數 2.3 晶體三極管電路分析方法 2.3.1 圖解分析法 2.3.2 等效電路分析法 2.4 晶體三極管的應用原理 2.4.1 電流源 2.4.2 放大器 2.4.3 跨導綫性電路 2.4.4 TTL電路 2.5 集成工藝 2.5.1 集成工藝的標準流程 2.5.2 集成元器件 2.5.3 集成元器件的特點 2.5.4 SiGe-HBT工藝 習題 附錄PSPICE電路分析第3章 場效應管 3.1 MOS場效應管 3.1.1 EMOS場效應管結構 3.1.2 EMOS場效應管工作原理 3.1.3 EMOS場效應管特性 3.1.4 耗盡型MOS(DMOS)場效應管 3.1.5 場效應管等效電路 3.1.6 BSIM3模型 3.1.7 場效應管器件小結 3.2 結型場效應管 3.2.1 工作原理 3.2.2 伏安特性麯綫 3.3 場效應管和雙極型管比較 3.4 場效應管應用原理 3.4.1 有源電阻 3.4.2 MOS開關 3.4.3 邏輯門電路 3.5 集成工藝 3.5.1 標準CMOS工藝 3.5.2 BiCMOS工藝 習題 附錄 PSPICE電路分析第4章 放大器基礎 4.1 放大器的基本概念 4.1.1 放大的原理和實質 4.1.2 放大器的性能指標 4.2 基本放大器 4.2.1 共源、共柵和共漏放大器性能 4.2.2 共射、共基和共集放大器的性能 4.2.3 集成MOS放大器 4.2.4 組閤放大器(Combination Amplifier) 4.3 差分放大器 4.3.1 電路結構 4.3.2 性能特點 4.3.3 電路兩邊不對稱對性能的影響 4.3.4 差模傳輸特性 4.4 電流源電路及其應用 4.4.1 鏡像電流源電路 4.4.2 其它改進型電流源電路 4.4.3 電流源的應用 4.5 多級放大器 4.5.1 多級放大器的基本問題 4.5.2 多級放大器的性能指標計算 4.5.3 一個實際的多級放大器 4.6 放大器的頻率響應 4.6.1 復頻域分析方法 4.6.2 共源、共射放大器的頻率特性 4.6.3 其它組態放大器的頻率響應 4.6.4 寬帶放大器 4.7 放大器的噪聲 4.7.1 起伏噪聲的來源 4.7.2 放大器噪聲分析 習題 附錄 PSPICE乜路分析第5章 放大器中的負反饋 5.1 反饋放大器的基本概念 5.1.1 反饋放大器的組成 5.1.2 四種類型負反饋放大器 5.1.3 反饋放大器的判彆 5.2 負反饋對放大器性能的影響 5.2.1 輸入電阻 5.2.2 增益及其穩定性 5.2.3 輸齣電阻 5.2.4 失真和噪聲 5.3 負反饋放大器的性能分析 5.3.1 負反饋放大器的分析方法 5.3.2 負反饋放大器分析舉例 5.3.3 深度負反饋 5.4 負反饋放大器的穩定性 5.4.1 判彆穩定性的準則 5.4.2 集成運放的相位補償技術 習題 附錄PSPICE電路分析第6章 集成運算放大器及其應用電路 6.1 集成運算放大器 6.1.1 集成運放概述 6.1.2 MOS運放核心電路 6.2 集成運放應用電路的組成原理 6.2.1 集成運放的理想化條件 6.2.2 集成運放應用電路的分類 6.2.3 集成運放的基本應用電路 6.3 集成運放應用電路 6.3.1 閉環應用 6.3.2 開環應用 6.3.3 混閤應用 6.4 集成運放的性能參數及其對應用電路的影響 6.4.1 集成運放性能參數及宏模型 6.4.2 直流和低頻參數對性能的影響 6.4.3 高頻參數對性能的影響 6.5 高精度和高速寬帶集成運放 6.5.1 高精度集成運放 6.5.2 高速寬帶集成運放 習題附錄 PSPICE電路分析主要參考書目
· · · · · · (收起)