目錄
前言
1薄膜製備的真空技術基礎
1.1氣體分子運動論的基本概念
1.1.1氣體分子的運動速度及其分布
1.1.2氣體的壓力和氣體分子的平均自由程
1.1.3單位麵積上氣體分子的碰撞頻率
1.2氣體的流動狀態和真空的獲得
1.2.1氣體的流動狀態
1.2.2氣體管路的流導
1.2.3真空抽速
1.3真空泵簡介
1.3.1鏇轉式機械泵
1.3.2羅茨真空泵
1.3.3油擴散泵
1.3.4渦輪分子泵
1.3.5低溫吸附泵
1.3.6濺射離子泵
1.4真空的測量
1.4.1熱偶真空規和皮拉尼真空規
1.4.2電離真空規
1.4.3薄膜真空規
2薄膜的物理氣相沉積（I）――蒸發法
2.1物質的熱蒸發
2.1.1物質的蒸發速度
2.1.2元素的蒸氣壓
2.1.3化閤物和閤金的蒸發
2.2薄膜沉積的厚度均勻性和純度
2.2.1薄膜沉積的方嚮性和陰影效應
2.2.2蒸發沉積薄膜的純度
2.3真空蒸發裝置
2.3.1電阻式加熱裝置
2.3.2電子束加熱裝置
2.3.3電弧加熱裝置
2.3.4激光加熱裝置
3薄膜的物理氣相沉積（II）――濺射法及其他PVD方法
3.1輝光放電與等離子體
3.1.1氣體輝光放電的物理基礎
3.1.2輝光放電中的碰撞過程
3.2物質的濺射現象
3.2.1濺射産額
3.2.2閤金的濺射和沉積
3.3濺射沉積裝置
3.3.1直流濺射
3.3.2射頻濺射
3.3.3磁控濺射
3.3.4反應濺射
3.3.5偏壓濺射
3.4其他物理氣相沉積方法
3.4.1離子鍍
3.4.2反應蒸發沉積
3.4.3離子束輔助沉積
3.4.4離化原子團束沉積
4薄膜的化學氣相沉積
4.1化學氣相沉積所涉及的化學反應類型
4.1.1熱解反應
4.1.2還原反應
4.1.3氧化反應
4.1.4化閤反應
4.1.5岐化反應
4.1.6可逆反應
4.1.7氣相輸運
4.2化學氣相沉積過程的熱力學
4.2.1化學反應的自由能變化
4.2.2化學反應的速度
4.2.3化學反應路綫與由能變化
4.2.4化學反應平衡的計算
4.3氣體的輸運特性
4.3.1流動氣體的邊界層及影響因素
4.3.2擴散與對流
4.4薄膜生長動力學
4.4.1生長速度的一緻性
4.4.2溫度對沉積速度的影響
4.5化學氣相沉積裝置
4.5.1高溫和低溫CVD裝置
4.5.2低壓CVD裝置
4.5.3等離子體增強CVD裝置
4.5.4激光輔助CVD裝置
4.5.5金屬有機化閤物CVD裝置
5薄膜的生長過程和薄膜結構
5.1薄膜生長過程概述
5.2新相的自發形核理論
5.3薄膜的非自發形核模型
5.3.1非自發形核過程的熱力學
5.3.2薄膜的形核率
5.3.3村底溫度和沉積速率對形核過程的影響
5.4連續薄膜的形成
5.4.1奧斯瓦爾多吞並過程
5.4.2熔結過程
5.4.3原子團的遷移
5.5薄膜生長過程與薄膜結構
5.5.1薄膜生長的晶帶模型
5.5.2縴維狀生長模型
5.6非晶薄膜
5.7薄膜的外延生長
5.7.1點陣失配與外延缺陷
5.7.2半導體的外延生長方法
5.8薄膜生長過程的實際模擬
5.9薄膜中的應力和薄膜的附著力
5.9.1薄膜中應力的測量
5.9.2熱應力和生長應力
5.9.3薄膜界麵形態和界麵附著力
6薄膜材料的錶徵方法
6.1薄膜厚度測量技術
6.1.1薄膜厚度的光學測量方法
6.1.2薄膜厚度的機械測量方法
6.2薄膜結構的錶徵方法
6.2.1掃描電子顯微鏡
6.2.2透射電子顯微鏡
6.2.3X射綫衍射方法
6.2.4低能電子衍射和反射式高能電子衍射
6.3薄膜成分的錶徵方法
6.3.1原子內的電子激發及相應的能量過程
6.3.2X射綫能量色散譜
6.3.3俄歇電子能譜
6.3.4X射綫光電子能譜
6.3.5盧瑟福背散射技術
6.3.6二次離子質譜
7薄膜材料及其應用
7.1耐磨及錶麵防護塗層
7.1.1硬質塗層
7.1.2熱防護塗層
7.1.3防腐塗層
7.2金剛石薄膜
7.2.1金剛石薄膜的製備技術
7.2.2金剛石薄膜的應用
7.3集成電路及能帶工程
7.3.1集成電路製造技術
7.3.2發光二極管和異質結激光器
7.3.3超晶格、量子阱和能帶工程
7.4集成光學器件
7.4.1集成光波導和光學器件
7.4.2集成光學器件材料
7.5磁記錄薄膜和光存儲薄膜
7.5.1復閤磁頭和薄膜磁頭
7.5.2磁記錄介質薄膜及其製造技術
7.5.3光存儲介質概況
7.5.4磁光存儲
7.5.5相變光存儲
參考文獻
· · · · · · (收起)