Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated

Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Prentice Hall PTR
作者:Matthew M. Radmanesh
出品人:
页数:864
译者:
出版时间:2001
价格:$ 118.65
装帧:
isbn号码:9780130279583
丛书系列:
图书标签:
  • Electronics
  • 射频,电磁波
  • and
  • Radio
  • Illustrated
  • Frequency
  • 射频
  • 微波
  • 电子学
  • 电路
  • 设计
  • 无线通信
  • 高频技术
  • 模拟电路
  • 电子工程
  • 教材
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具体描述

Once, RF and microwave technology was largely restricted to military applications. Now, these technologies are central to a world of wireless applications -- and thousands of engineers are seeking to strengthen their skills, or enter the field for the first time. In Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated, Dr. Matthew Radmanesh has written the ideal book for this new generation of RF/microwave engineer -- minimizing mathematics in favor of a highly graphical approach that includes scores of examples covering every key measurement, electronic, and design principle engineers must understand to be effective. The book starts with an overview of the basic concepts and laws of electrical and electronics engineering, and the fundamental circuit mathematics and low-frequency concepts engineers need before they can successfully design RF/wireless systems. He reviews impedance matching and passive circuit design; and demonstrates how to use the Smith Chart in designing circuits -- both circuits that contain only distributed elements, such as transmission lines, and circuits with both distributed and lumped elements.

好的,这是一本关于先进半导体器件物理与集成电路设计的专业技术书籍的详细简介,与“射频与微波电子学”领域的主题内容完全无关。 --- 书籍名称:固态电子学:从材料到系统级应用的深入剖析 导言与全景概述 本书旨在为高等院校研究生、资深电子工程师以及致力于前沿半导体技术研发的科研人员提供一本全面、深入且极具实践指导意义的专著。不同于侧重于高频信号传输与滤波特性的传统射频/微波教科书,本书将焦点完全集中于固态电子器件的本征物理机制、先进制造工艺的挑战,以及这些器件在数字、模拟和存储系统中的集成与优化。 本书的结构设计遵循“微观至宏观”的逻辑路径,从最基础的半导体材料的能带理论和载流子动力学讲起,逐步过渡到晶体管的物理模型、先进集成电路(IC)的架构设计与可靠性分析。全书共分为六大部分,内容详实,图表丰富,力求在理论的严谨性与工程实践的指导性之间找到完美的平衡点。 第一部分:半导体物理基础与材料科学(The Fundamentals) 本部分奠定了理解现代集成电路的物理基石,着重于材料特性而非电磁波行为。 第一章:晶体结构与电子能带理论的再审视 详细分析了硅、锗、砷化镓及其合金的晶体结构对称性对电子输运的影响。重点阐述了有效质量的概念、导带与价带的结构特征,以及杂质能级如何通过掺杂精确控制半导体的导电类型。引入了费米能级在热平衡与非平衡状态下的变化规律,为后续器件的偏置分析打下基础。 第二章:载流子输运现象的精细建模 深入探讨了漂移、扩散电流的物理本质。本章的核心内容包括:德拜长度、扩散长度的精确计算方法;载流子在强电场下的速度饱和效应(Velocity Saturation);以及低维结构(如量子阱)中载流子密度的量子统计处理。讨论了散射机制,如声子散射、杂质散射和界面缺陷散射,及其对迁移率的限制作用。 第三章:半导体异质结构与界面物理 本章是理解先进器件(如HBT、HEMT或新型存储器)的关键。探讨了肖特基势垒的形成机理、能带错位(Band Offsets)对载流子注入和限制的影响。详细介绍了外延生长技术(如MBE、MOCVD)如何控制界面粗糙度和界面缺陷密度,这是决定器件性能和可靠性的关键参数。 第二部分:核心晶体管器件的物理建模(Device Physics) 本部分集中阐述当前主流和新兴晶体管的物理工作原理和精确模型。 第四章:MOSFET的演进与短沟道效应 这是本书的核心章节之一。从理想的MOS电容器出发,推导出经典的费氏模型(Threshold Voltage Model)。随后,系统地分析了短沟道效应(Short Channel Effects, SCEs):DIBL(沟道长度调制)、亚阈值摆幅(Subthreshold Slope)的劣化、以及量子力学效应(如量子限域和穿隧)对极小尺寸晶体管的制约。详细介绍了FinFET和Gate-All-Around (GAA) 结构如何从根本上解决SCEs问题。 第五章:双极晶体管(BJT, HBT)的高速工作原理 尽管MOS是主流,但双极性器件在特定高功率或高精度应用中仍不可或缺。本章详细阐述了异质结双极晶体管(HBT)中,通过使用宽禁带材料(如AlGaAs/GaAs)如何实现载流子注入效率的极大提升,从而获得超高截止频率。分析了德里夫特晶体管(Drift-Field Transistors)的原理。 第六章:新型晶体管架构与量子器件 探讨了对摩尔定律挑战的回应。内容涵盖了隧道场效应晶体管(TFET)的本征带间隧穿机制,其在降低亚阈值摆幅方面的潜力。此外,还涉及负电容晶体管(NC-FET)的跨越式性能提升理论,以及单电子器件(Single Electron Transistor)在量子计算原型中的初步应用。 第三部分:先进集成电路设计与工艺影响(IC Integration and Design) 本部分将器件模型与实际的电路设计流程相结合,强调工艺节点的限制。 第七章:集成电路制造工艺对模型参数的校准 阐述了光刻(Lithography)、刻蚀(Etching)和薄膜沉积(Deposition)等关键工艺步骤如何直接影响晶体管的几何尺寸(如栅长、沟道厚度)和工艺变量(如氧化层质量、杂质分布)。重点讨论了工艺变异性(Process Variation)对电路良率的冲击,以及如何通过统计模型进行预测。 第八章:模拟电路设计中的器件局限性 关注如何使用非理想的半导体器件搭建高性能模拟模块。分析了MOS晶体管的噪声特性(热噪声、闪烁噪声1/f噪声)及其对低噪声放大器(LNA)和混频器设计的影响。讨论了匹配性、失配对运算放大器(Op-Amp)的直流精度和共模抑制比(CMRR)的制约。 第九章:数字电路的时序与功耗优化 聚焦于CMOS逻辑设计中的功耗挑战。详细分析了动态功耗(开关功耗)和静态功耗(漏电流)的来源。提出了多种功耗优化技术,包括多电压域设计、时钟频率的动态调节(DVFS),以及利用亚阈值设计技术在保持足够速度的同时压低静态功耗的权衡点。 第四部分:存储器技术与新兴记忆体(Memory Technologies) 本部分聚焦于数据存储领域,涵盖传统和下一代技术。 第十章:SRAM与DRAM的单元结构与读写机制 深入分析了静态随机存取存储器(SRAM)的六晶体管(6T)单元的稳定性和噪声裕度。对比了动态随机存取存储器(DRAM)中存储电容的物理限制、刷新机制以及潜伏期(Latency)的瓶颈。 第十一章:非易失性存储器技术 详细介绍闪存(Flash Memory)的浮栅(Floating Gate)电荷陷阱原理、可靠性问题(如P/E循环寿命和数据保持性)。更进一步,本书深入探讨了电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变存储器(PCM)和磁阻随机存取存储器(MRAM)的工作机制、电导状态的物理来源以及在未来存算一体架构中的潜力。 第五部分:半导体器件的可靠性与失效分析(Reliability) 本部分是面向工程实践的关键内容,讨论了器件寿命和长期性能的保障。 第十二章:长期可靠性机制 系统阐述了影响半导体器件寿命的主要加速机制:热载流子注入(HCI)对栅氧化层的损伤、偏置温度不稳定性(BTI)导致的阈值电压漂移、以及电迁移(Electromigration)对金属互连线的长期影响。提供了加速寿命测试(ALT)的设计方法论和数据外推模型(如阿累尼乌斯模型)。 第十三章:先进互连与封装技术对电性能的影响 讨论了随着集成度提高,金属互连线(铜、钴等)的电阻和电容成为限制系统性能的关键。内容涉及RC延迟的精确计算、串扰耦合的建模,以及先进封装技术(如3D IC堆叠)中,TSV(硅通孔)的寄生参数对整体系统时序的影响。 结语 本书力求提供一套完整的知识体系,使读者不仅理解“晶体管如何工作”,更能掌握“如何在特定工艺节点下设计出高可靠性、高性能的集成电路系统”。它是一本跨越材料科学、器件物理和系统工程的综合性参考资料。 ---

作者简介

MATTHEW M. RADMANESH received his MSEE and Ph.D. degrees from the University of Michigan. He has worked in RF and Microwave industry for Maury Microwave Corp., Boeing Aircraft Co., and Hughes Aircraft Co. He is currently a faculty member at the Electrical and Computer Engineering department at California State University, Northridge, CA.

目录信息

读后感

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用户评价

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《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书,在内容呈现上,确实给我带来了很多惊喜。我之前接触过的射频微波类书籍,大多以严谨的数学推导和公式为核心,虽然内容严谨,但往往让非数学背景的读者望而却步。这本书则采取了一种截然不同的策略,它将复杂的理论知识,通过大量高质量的插图和生动的比喻,变得易于理解。例如,在介绍传输线理论时,它并没有上来就抛出ABCD参数或者Z参数,而是通过水波的比喻,形象地解释了波的传播、反射以及阻抗的概念。这种“图解”的方式,极大地降低了学习的门槛,也让我在理解抽象概念时,有了一个更直观的参照。而且,这本书的插图不仅仅是简单的示意图,很多都是经过精心设计的,能够清晰地展现电路的物理结构、电流的流动方向,甚至是电磁场的分布。这对于理解微波电路中的细节至关重要。我记得有一个章节讲到微波滤波器设计,书中的插图就非常详细地展示了不同类型的滤波器结构,以及它们各自的频率响应特性,这让我能快速地识别和区分各种滤波器,并且理解它们的设计原理。这种“图文并茂”的风格,不仅让学习过程更加有趣,也大大提高了我的学习效率。我常常会在阅读文字的同时,仔细揣摩插图的每一个细节,通过这种方式,我能更深刻地理解书中的概念,甚至能自己动手去推导一些简单的电路。

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这本《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》简直是我最近学习射频微波领域的“神助攻”!我之前一直觉得这块知识又深又难,各种电路图和公式看得我头昏脑涨,总是抓不住重点。但这本书一拿到手,我就被它丰富的插图和直观的讲解方式吸引了。它不是那种上来就堆砌公式的书,而是从最基础的概念讲起,比如电磁波的传播、传输线的特性,然后一点点深入到晶体管的微波模型、放大器设计、阻抗匹配等等。而且,它并没有因为“图文并茂”就牺牲了内容的深度,相反,那些巧妙的示意图和精美的电路分析图,反而让复杂的概念变得异常清晰。我尤其喜欢它讲解S参数那一部分,我之前一直对S参数感到困惑,总觉得它抽象难懂,但是这本书通过一系列可视化的图示,把S参数的物理意义、测量方法以及在电路分析中的应用解释得淋漓尽致,让我豁然开朗。我甚至觉得,即使是没有太多射频微波基础的人,只要愿意花时间和精力去啃,也能从中受益匪浅。它非常适合作为入门读物,为后续更深入的学习打下坚实的基础。而且,它的语言风格也比较活泼,不像有些教材那样干巴巴的,读起来一点都不会觉得枯燥乏味。每一次翻开这本书,都感觉像是在进行一场有趣的探索,而不是沉闷的学习。这本书的价值,远不止于它能教会你多少个公式,更在于它能培养你对射频微波世界的直观理解和深入洞察。

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《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书,绝对是我近期阅读过的关于射频微波电子学的书中,最让我印象深刻的一本。它的内容组织方式非常有条理,从基础的电磁波理论,到传输线,再到各种微波器件和电路模块,循序渐进,层层递进。最令我称道的是,书中对各个概念的解释都非常到位,并且配以大量的、高质量的插图,将抽象的理论变得具体、形象。我曾经在学习传输线理论时,总是对反射系数和驻波比感到困惑,觉得它们只是一些数学公式,难以理解其物理含义。但是,这本书用非常直观的图示,解释了波的传播、能量的反射以及阻抗不匹配是如何影响信号的。通过这些图,我能够清晰地看到能量如何在传输线上移动,以及在遇到不匹配的阻抗时,一部分能量是如何被反射回来的。这让我对传输线的特性有了全新的认识,也为我后续理解更复杂的微波电路打下了坚实的基础。而且,书中的例子也非常丰富,涵盖了从简单的匹配网络到复杂的振荡器和混频器设计。这些实例的讲解,不仅让我看到了理论是如何应用于实践的,也为我提供了很多实际的设计思路和技巧。这本书的价值,在于它能够激发读者深入探索的兴趣,并提供坚实的理论基础和丰富的实践指导。

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说实话,我之前对射频和微波领域一直抱着一种敬畏又略带畏惧的态度。《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》的出现,很大程度上改变了我的看法。这本书就像一个经验丰富的向导,带着我一步步探索这个充满挑战的领域。它的叙述风格非常平易近人,作者似乎非常清楚读者在学习过程中可能会遇到的难点,并针对性地提供了清晰的解释和示例。我尤其欣赏书中对于各种器件模型的介绍,例如,在讲解MOSFET在微波频率下的行为时,它并没有简单地给出S参数模型,而是先从物理结构入手,解释了在高频下寄生效应是如何产生的,然后才引入模型,并详细解释了模型参数的物理意义。这种由浅入深的讲解方式,让我对器件的工作原理有了更深刻的理解,而不是仅仅停留在公式的层面。书中关于功率放大器设计的章节,也让我受益匪浅。它不仅介绍了不同类型的功率放大器,如甲类、乙类、AB类等,还详细讲解了它们的优缺点以及适用场景。更重要的是,它通过大量的实例,展示了如何进行功率放大器的设计和调试,包括如何选择合适的器件、如何进行偏置设计、如何进行阻抗匹配以获得最大的功率输出和效率。这些实际操作的指导,对于我这种希望将理论转化为实践的人来说,是极其宝贵的。

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我必须承认,《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书,为我打开了一扇通往射频和微波电子学新世界的大门。在此之前,我对这个领域总是有一种“高不可攀”的感觉,觉得它充满了复杂的数学公式和抽象的概念,难以企及。然而,这本书以其独特的叙述方式和丰富的插图,彻底改变了我的看法。它并不是一本枯燥乏味的教科书,而更像是一位经验丰富的导师,用清晰、生动的语言,循序渐进地引导我深入了解射频微波的奥秘。我特别喜欢它在讲解阻抗匹配时所采用的方法。它不仅仅是罗列出各种匹配电路的公式,而是通过非常形象的图示,展示了阻抗不匹配时能量的损耗,以及如何通过匹配网络来最大化功率传输。这种直观的讲解方式,让我能够深刻理解阻抗匹配的重要性,并且能够自己动手去设计和优化匹配网络。此外,书中对各种微波器件的工作原理和特性的介绍,也做得非常出色。它并没有简单地给出器件的数据手册,而是从物理结构和基本原理出发,解释了这些器件在高频下的行为,以及它们在实际电路中的应用。例如,在讲解二极管的微波特性时,作者就详细分析了二极管结电容、寄生电感等在高频下对器件性能的影响。这种深入的分析,让我对这些器件有了更全面的认识。

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在我看来,《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书,不仅仅是一本关于射频和微波电子学的技术书籍,更是一次充满启发性的学习旅程。作者在内容组织和讲解方式上,都展现出了非凡的匠心。它以非常直观的方式,将复杂的理论知识呈现出来,使得原本可能令人望而生畏的领域,变得触手可及。我特别欣赏书中对于各种微波器件的工作原理和特性的介绍,例如,在讲解晶体管在高频下的模型时,它并不是简单地给出一堆公式,而是通过分解晶体管的内部结构,分析其在高频下产生的寄生效应,例如结电容、寄生电感等,然后逐步推导出适用于微波频率的模型。这种深入的分析,让我能够从根本上理解这些模型是如何形成的,以及它们在电路分析中的意义。更重要的是,这本书中包含了大量的实用案例和设计指南,这对于我这样希望将理论知识应用于实际工程的人来说,是极大的福音。例如,在讲解射频功率放大器的设计时,它不仅介绍了不同类型的功率放大器,还详细讲解了如何进行器件的选择、偏置的设计、以及如何通过阻抗匹配来优化放大器的功率输出和效率。这些具体的指导,让我能够更自信地投入到实际的电路设计中,并且能够解决实际工程中遇到的问题。这本书的价值,在于它不仅能够传授知识,更能激发读者的学习热情和解决问题的能力。

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我必须说,《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》的出版,对于很多像我一样,在射频和微波电子学领域挣扎的工程师和学生来说,无疑是一场及时雨。我之前尝试过几本不同的教材,但要么过于理论化,要么就是例子太少,导致在实际应用中总是显得捉襟见肘,理论和实践之间始终有一道鸿沟。这本书却很好地弥合了这一差距。它不仅深入浅出地讲解了射频和微波电路的核心概念,更重要的是,它通过大量精美的插图,将抽象的物理原理和复杂的电路结构形象化。我记得有一章专门讲到了噪声在射频电路中的影响,作者通过各种图示,清晰地展示了噪声是如何产生的,以及它对信号的干扰有多大,并且提供了多种抑制噪声的有效方法。这比单纯的文字描述要直观得多。这本书还包含了很多实际电路的分析和设计案例,这对于我这种需要将理论知识转化为实际应用的人来说,简直是无价之宝。它让我看到了书本上的理论是如何在实际的射频和微波设备中实现的,并且提供了宝贵的工程经验。我特别喜欢它在讲解阻抗匹配时,通过史密斯圆图的应用,以及结合实际电路进行分析的讲解方式,让我能更直观地理解如何设计一个高效的匹配网络。读完这本书,我感觉自己对射频微波电路的理解,从“知其然”提升到了“知其所以然”的境界,为我后续进行更复杂的射频微波系统设计打下了坚实的基础,让我信心倍增。

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《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书,在我阅读过的众多技术书籍中,无疑是脱颖而出的一本。它的内容涵盖了射频和微波电子学的方方面面,并且在讲解方式上,有着独特的优势。我最欣赏的是作者在介绍复杂概念时,所采用的“可视化”教学方法。很多时候,复杂的电路原理和器件特性,通过文字描述往往难以完全理解,而这本书则通过大量高质量的插图,将这些抽象的概念具象化。例如,在解释驻波比时,作者通过模拟水波在波导中的传播,形象地展示了波的反射和叠加现象,从而直观地解释了驻波比的形成及其物理意义。这种方法让我能够以一种更直观、更形象的方式去理解这些理论知识,大大降低了学习的难度,也提高了学习的效率。同时,这本书在内容深度上也毫不逊色。它在讲解基础概念的同时,也深入探讨了许多高级的主题,如噪声系数、非线性效应、互调失真等,并且都配有相应的分析方法和设计技巧。我记得在阅读关于混频器设计的部分时,书中就详细分析了不同类型的混频器,以及它们在实际应用中的性能表现,并且提供了相应的匹配和优化方法。这让我能够更全面地理解射频微波系统中各个模块的工作原理和相互关系。

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《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书,对于我这样需要将射频和微波理论知识与实际工程应用相结合的读者来说,简直是一份宝贵的财富。这本书最大的亮点在于其“图解”的教学方式,它用大量的精美插图,将抽象的理论概念变得直观易懂。我曾经在学习传输线理论时,对于反射系数和驻波比的概念感到非常困惑,觉得它们只是冷冰冰的数学公式,难以理解其物理意义。但是,这本书通过一系列精巧的图示,生动地展示了波的传播、反射以及阻抗不匹配是如何影响传输线上的能量分布。这让我能够非常直观地理解这些概念,并且能够将其应用到实际的电路设计中。而且,本书在内容上也非常全面,从最基础的电磁波理论,到各种微波器件的特性,再到复杂的微波电路设计,都进行了深入的探讨。我特别喜欢书中关于滤波器设计的部分,它不仅介绍了各种滤波器类型的结构和工作原理,还提供了详细的设计步骤和计算方法,并且配有实际的仿真结果和测量数据。这让我能够清晰地看到理论是如何指导实践,以及如何在实际工程中进行优化和调试。这本书的价值,在于它能够帮助读者建立起对射频微波电路的直观理解,并提供宝贵的工程经验,从而加速其在实际工作中的成长。

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对于任何想要深入了解射频和微波电子学领域的人来说,《Radio Frequency and Microwave Electronics Illustrated》这本书绝对是绕不开的一道坎,同时也是一座宝贵的灯塔。我之前接触过的一些相关书籍,要么过于晦涩难懂,要么内容过于理论化,让我很难在实际应用中找到切入点。这本书却非常巧妙地平衡了理论深度和实践指导。它最突出的特点,就是其“图文并茂”的呈现方式。作者在讲解每一个概念的时候,都会配以大量精美的插图,这些插图不仅仅是示意图,更是对复杂原理的直观可视化。我记得在学习微波器件的S参数时,传统的教材可能只是给出一些复杂的矩阵推导,但这本书却通过各种图示,生动地展示了S参数的物理意义,以及它们如何描述器件的输入和输出特性。这种方式让我能够快速地理解S参数在电路分析和设计中的重要性,并且能够有效地利用它们来分析和设计微波电路。此外,书中还包含了大量的实际电路设计案例,这些案例的讲解非常详尽,从器件的选择到电路的仿真和测试,都进行了详细的说明。这对于我这种希望将理论知识转化为实际应用的人来说,是极大的帮助。它让我能够看到书本上的知识是如何在现实世界中落地,并且为我提供了宝贵的工程经验。

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