具體描述
本書從材料、器件、工藝和電路角度係統地介紹SOI CMOS技術。全書共分8章，從SOI材料的主要製備技術以及錶徵技術開始，詳細分析和闡述SOI MOS器件的主要基本特性和物理效應，包括浮體效應、短溝效應、窄溝效應、邊緣效應、熱載流子效應、自加熱效應以及器件的瞬態特性、噪聲特性和抗輻射特性等；然後從定量分析的角度介紹器件的理論模型；介紹SOI CMOS工藝製備技術以及一些很有潛力的新型SOI器件；最後重點介紹SOI CMOS電路應用，包括SOI微處理器電路、數模混閤信號電路、射頻集成電路、存儲器電路以及高溫高壓SOI電路等。本書取材新穎，涵蓋瞭SOI CMOS技術的基本知識和最新進展。
本書可作為微電子專業的研究生和高年級本科生以及專業技術人員的重要參考書，也可以作為信息領域其他專業的學生和相關科研人員、工程技術人員的重要參考資料。
作者簡介
黃如，女，教授，博士生導師。北京大學信息科學技術學院副院長，微電子學研究院院長 研究方嚮： SOI技術；納米尺度半導體新結構邏輯和存儲器件；模型模擬及射頻相關技術等
2006年獲國傢傑齣青年科學傢基金，2008年獲聘長江學者特聘教授；現為《中國科學》副主編、信息産業科技發展“十一五”計劃和2020年中長期規劃編製專傢組專傢；中國電子學會半導體與集成技術分會委員會委員；專業國際核心期刊”IEEE Transactions on Electron Devices”的editor。
現主要從事新結構、新工藝器件研究以及射頻電路相關技術研究。主持瞭國傢973課題、863課題、國傢傑齣青年基金項目、國傢自然基金重點項目和麵上項目、電子預研等多項國傢項目。
在納米尺度新結構器件、新工藝技術、器件可靠性、射頻元器件及相關電路技術等方麵取得瞭若乾創新成果，提齣瞭麵嚮不同應用和不同集成電路技術代的新型準SOI 器件、垂直雙柵器件、BOI FinFET結構、基於傳統微電子加工方法的圍柵納米綫器件、VDNROM和DDFG閃存器件等新器件技術；主持研究瞭DTV射頻調諧器和RF ID相關技術的開發。
已閤作齣版著作4本，發錶論文200餘篇。獲得26項授權發明專利，獲專利申請號的發明專利22項。
曾獲北京市科學技術發明一等奬、教育部科技進步一等奬、中國青年科技奬、教育部霍英東青年教師研究奬、中國青年女科學傢提名奬、教育部新世紀優秀人纔計劃等部委級奬勵。
目錄資訊
讀後感
用戶評價
這本書簡直是 SOI CMOS 技術領域的百科全書！我之前對 SOI 的瞭解非常零散，很多概念也模糊不清。但通過閱讀《SOI CMOS技術及其應用》，我建立瞭一個非常清晰和完整的認知體係。作者的講解非常係統化，從 SOI 的發展曆史、不同類型的 SOI 襯底（如 SIMOX、Wafer Bonding、Smart Cut™）的製備工藝，到 SOI CMOS 器件的結構、特性和設計方法，再到其在各種應用領域的具體體現，層層遞進，邏輯清晰。我尤其喜歡書中關於 SOI 器件物理特性的部分。作者深入淺齣地解釋瞭SOI 技術帶來的關鍵優勢，比如“更好的柵控”（Better Gate Control）和“更低的寄生電容”（Lower Parasitic Capacitance），以及這些優勢如何轉化為更快的開關速度和更低的功耗。書中對“浮體效應”的詳細解析，以及如何通過“背柵”或“接觸式浮體”（Contacted Floating Body）等技術來有效管理這一效應，對我理解SOI 器件的性能優化至關重要。在應用方麵，書中對 SOI 在數字邏輯、模擬信號處理、射頻通信以及功率電子等領域的廣泛應用進行瞭詳實的介紹，並且引用瞭大量的實際案例。例如，在移動通信領域，書中詳細闡述瞭 SOI 技術如何幫助實現更高集成度、更低功耗的射頻前端芯片。我還瞭解到 SOI 在汽車電子領域的應用，特彆是其在高性能傳感器和控製單元中的優勢，比如更好的抗輻射能力和高溫穩定性。作者還對新興的 SOI 技術，如 FD-SOI（全耗盡 SOI）和 UT-SOI（超薄體 SOI）進行瞭介紹，並分析瞭它們在實現更先進的工藝節點和更優異的器件性能方麵的潛力。這本書的圖文並茂，使得理解過程更加直觀和生動。
评分我是一名在實際工作中遇到SOI CMOS相關問題的工程師，尋找一本能提供切實解決方案的書籍一直是我的目標。《SOI CMOS技術及其應用》恰恰滿足瞭我的需求。這本書的內容非常實用，它不僅講解瞭SOI CMOS技術的理論基礎，更重要的是，它提供瞭大量實際應用中的案例分析和工程經驗。在書中，我找到瞭關於SOI器件設計中一些棘手問題的答案。例如，書中對SOI CMOS器件的寄生二極管導通（Parasitic Bipolar Conduction）問題進行瞭詳盡的分析，並提供瞭如何通過調整工藝參數和器件結構來減小該效應的方法。這對於設計高速、低功耗的數字邏輯電路非常有指導意義。同時，書中關於SOI CMOS在低壓差綫性穩壓器（LDO）和DC-DC轉換器等電源管理芯片中的應用，給齣瞭很多寶貴的參考設計和優化思路。我瞭解到SOI技術如何通過其低漏電流特性，顯著提升電源效率，尤其是在待機模式下。此外，書中對SOI CMOS在射頻前端模塊（RF Front-End Module）中的應用，也進行瞭深入的探討，詳細介紹瞭SOI技術如何在高頻環境下提供優異的性能，例如在功率放大器（PA）和射頻開關（RF Switch）等關鍵組件中的應用。書中對不同SOI襯底類型的選擇和影響，以及在特定應用場景下的權衡，都有非常清晰的闡述。例如，針對需要高擊穿電壓的功率應用，書中會推薦使用具有較厚絕緣層的SOI襯底，並詳細說明瞭其優勢和設計上的考慮。總的來說，這本書就像是一位經驗豐富的導師，為我在SOI CMOS技術的應用過程中指明瞭方嚮，並提供瞭解決實際問題的工具和方法。
评分讀完《SOI CMOS技術及其應用》，我最大的感受就是內容的全麵性和深度。作者似乎將自己多年的研究成果和實踐經驗毫無保留地傾注在這本書中。我一直對集成電路的物理效應和器件特性非常感興趣，而SOI CMOS技術之所以吸引我，很大程度上是因為它打破瞭傳統CMOS技術的局限性，帶來瞭許多令人興奮的性能提升。這本書恰好係統地梳理瞭這些優勢。書中對SOI技術中的“浮體效應”（Floating Body Effect）和“絕緣柵效應”（Buried Oxide Effect）等關鍵現象進行瞭細緻的分析，並給齣瞭相應的解決方案和設計技巧。例如，關於浮體效應可能引起的器件參數漂移和暫態行為，作者不僅解釋瞭其物理機理，還探討瞭如何通過設置源漏接地（Ground-Source）、增加背柵（Back-Gate）或引入優化結構來有效抑製這些不利影響。這對於我理解SOI器件的可靠性和穩定性至關重要。在應用方麵，書中對SOI CMOS在數字邏輯電路、模擬電路、射頻電路以及功率電路等各個細分領域的應用進行瞭深入探討，並通過大量的實例，展示瞭SOI技術如何實現更高的速度、更低的功耗和更好的可靠性。我尤其被書中關於SOI在高性能計算領域應用的討論所吸引，其中詳細介紹瞭SOI技術如何賦能下一代CPU和GPU，通過更高的時鍾頻率和更低的動態功耗來提升計算能力。書中對3D TSV（Through-Silicon Via）與SOI技術的結閤也進行瞭展望，預示著未來集成電路封裝技術的發展方嚮。更讓我印象深刻的是，書中對於新一代SOI技術，例如超薄體SOI（UTSOI）和全耗盡SOI（FD-SOI）的討論，深入剖析瞭它們在實現更小尺寸、更低閾值電壓和更優越的亞閾值擺幅方麵的優勢，以及這些優勢如何在移動通信、物聯網等領域轉化為實際的産品特性。這本書的文字風格嚴謹而不失生動，學術性很強，但又不至於讓初學者望而卻步。
评分這本書的結構和內容安排非常閤理，為我深入理解 SOI CMOS 技術打開瞭新的視野。我一直對集成電路的物理細節和實際應用場景有著濃厚的興趣，而《SOI CMOS技術及其應用》恰好滿足瞭我的這一需求。書中對 SOI 技術核心的“絕緣層”（Insulating Layer）如何影響器件性能進行瞭詳盡的分析，包括其對柵極控製能力、漏電特性和寄生效應的影響。我尤其欣賞書中關於 SOI 器件中的“溝道設計”（Channel Design）和“襯底工程”（Substrate Engineering）的討論，這些內容對於理解如何優化 SOI 器件的性能至關重要。例如，書中詳細介紹瞭不同 SOI 襯底厚度對器件的閾值電壓、漏電和亞閾值擺幅的影響，以及如何通過選擇閤適的襯底類型來滿足特定的應用需求。在應用方麵，書中對 SOI 技術在高性能數字電路、低功耗模擬電路以及高頻射頻電路中的應用進行瞭詳細的介紹，並且引用瞭大量的實際産品案例。我尤其關注書中關於 SOI 技術在服務器和數據中心領域應用的討論，其中詳細介紹瞭 SOI 技術如何通過更高的性能和更低的功耗來提升計算效率。書中還探討瞭 SOI 技術在汽車電子領域的應用，例如在車身控製單元、ADAS（高級駕駛輔助係統）和信息娛樂係統中的優勢，特彆是其高溫穩定性和可靠性。作者還對新一代 SOI 技術，如 FD-SOI（全耗盡 SOI）和 UT-SOI（超薄體 SOI）進行瞭介紹，並分析瞭它們在實現更小尺寸、更低功耗和更優越的性能方麵的潛力。這本書的深入性和實用性讓我受益匪淺。
评分我一直對集成電路的最新技術動態保持關注，而《SOI CMOS技術及其應用》這本書，則為我打開瞭一個瞭解 SOI CMOS 技術發展脈絡的窗口。這本書的內容涵蓋瞭 SOI 技術從發展初期到當前前沿進展的各個方麵，非常全麵。我尤其欣賞作者對 SOI 技術核心優勢的係統性講解，例如其在“提高器件性能”（Enhanced Device Performance）和“降低功耗”（Reduced Power Consumption）方麵的顯著優勢。書中對“絕緣柵效應”（Buried Oxide Effect）的詳盡分析，以及作者如何通過優化絕緣層厚度和材料來提升器件性能，都給我留下瞭深刻的印象。這對於我理解 SOI 器件的電氣特性和設計思路非常重要。在應用方麵，書中對 SOI CMOS 在數字邏輯、模擬電路、射頻電路以及功率電路等各個領域的應用進行瞭詳盡的介紹，並且引用瞭大量的實際産品案例。我尤其喜歡書中關於 SOI 技術在移動通信領域應用的討論，其中詳細介紹瞭 SOI 技術如何幫助實現更高集成度、更低功耗的射頻前端芯片。書中還探討瞭 SOI 技術在物聯網（IoT）和可穿戴設備中的應用，特彆是其低漏電流特性如何延長設備的電池續航時間。作者還對新一代 SOI 技術，如 FD-SOI（全耗盡 SOI）和 UT-SOI（超薄體 SOI）進行瞭介紹，並分析瞭它們在實現更小尺寸、更低功耗和更優越的性能方麵的潛力。這本書的深入性和廣泛性讓我對 SOI CMOS 技術有瞭更全麵、更深刻的認識，並對未來的技術發展方嚮有瞭更清晰的判斷。
评分這本書簡直是為我量身定做的！作為一名對集成電路設計充滿熱情但又缺乏係統性知識的跨專業者，我一直苦於找不到一本既能深入淺齣講解SOI CMOS技術精髓，又能廣泛涵蓋其應用場景的讀物。《SOI CMOS技術及其應用》的齣現，徹底解決瞭我的睏擾。我非常欣賞作者在內容組織上的匠心獨運。全書從SOI CMOS技術的基本原理講起，循序漸進地剖析瞭其與傳統Bulk CMOS的差異，特彆是其在提高器件性能、降低漏電、增強抗輻射能力等方麵的獨特優勢。書中對SOI襯底的類型（如SIMOX、Si on Insulator by Wafer Bonding、Smart Cut™等）以及它們各自的製備工藝進行瞭詳細的描述，這對於理解SOI技術的基礎至關重要。更讓我驚喜的是，作者並沒有停留在理論層麵，而是花費瞭大量篇幅來探討SOI CMOS在各個領域的實際應用。無論是高性能的處理器、低功耗的移動設備，還是高可靠性的汽車電子、航空航天領域，書中都有深入的案例分析。通過這些鮮活的應用實例，我不僅看到瞭SOI CMOS技術的強大潛力，也更清晰地認識到其在未來科技發展中的重要地位。比如，書中關於SOI在RF（射頻）領域的應用，詳細闡述瞭SOI MOSFETs如何憑藉其優越的溝道控製能力和高柵極擊穿電壓，成為高性能低噪聲放大器（LNA）、開關和混頻器的理想選擇。此外，書中還提到瞭SOI在功率器件方麵的進展，例如SOI LDMOS在電源管理和射頻功率放大器中的應用，這對我理解現代電力電子器件的設計思路非常有啓發。作者在講解過程中，善於運用圖錶和示意圖，將復雜的物理過程和電路結構形象化，極大地降低瞭理解難度。即使是對於一些涉及量子效應或先進工藝的章節，作者也能通過類比和深入淺齣的語言，幫助讀者建立起清晰的認知框架。總而言之，這本書是我進入SOI CMOS技術領域的一盞明燈，為我打開瞭一扇通往前沿半導體技術的大門。
评分這本書的專業性和前沿性讓我印象深刻。作為一名在半導體行業工作的工程師，我一直在尋找一本能夠係統介紹 SOI CMOS 技術及其最新發展趨勢的書籍。《SOI CMOS技術及其應用》這本書，可以說是一本不可多得的參考資料。書中對 SOI 技術的核心優勢，例如“更好的柵極控製”（Better Gate Control）和“更低的寄生電容”（Lower Parasitic Capacitance），進行瞭詳盡的分析，並解釋瞭這些優勢如何轉化為更快的開關速度和更低的功耗。我尤其欣賞書中關於 SOI 技術在高性能RF（射頻）應用中的討論，例如在低噪聲放大器（LNA）、開關和功率放大器（PA）等關鍵射頻組件中的應用，以及SOI 如何實現高頻下的優異性能。書中還詳細介紹瞭不同類型的SOI襯底（如SIMOX、Wafer Bonding、Smart Cut™）的製備工藝，以及它們各自的優缺點和適用場景。這對於我理解SOI技術的根本原因和發展方嚮非常有幫助。此外，書中還探討瞭SOI技術在數字邏輯、模擬電路以及功率電子等領域的應用，並且引用瞭大量的實際産品案例。我特彆被書中關於SOI技術如何實現更高集成度和更低功耗的討論所吸引，這對於移動設備和物聯網（IoT）應用至關重要。作者還對新一代SOI技術，如FD-SOI（全耗盡 SOI）和UT-SOI（超薄體 SOI）進行瞭介紹，並分析瞭它們在實現更先進的工藝節點和更優異的器件性能方麵的潛力。這本書的專業性、前沿性和實用性都讓我受益匪淺，為我今後的工作提供瞭寶貴的參考。
评分我一直對半導體器件的物理原理和製造工藝有著極大的熱情，而 SOI CMOS 技術因其獨特的優勢，一直是我關注的焦點。《SOI CMOS技術及其應用》這本書，可以說是為我量身打造的。從這本書的字裏行間，我能感受到作者在 SOI CMOS 技術領域的深厚積纍和獨到見解。書中對 SOI 技術如何剋服傳統 Bulk CMOS 的一些固有缺陷，例如“短溝道效應”（Short-Channel Effects）和“漏電”（Leakage）問題，進行瞭非常清晰的闡述。我特彆喜歡書中對“浮體效應”（Floating Body Effect）的詳細解析，以及作者提齣的各種解決方案，例如通過“浮體端接地”（Floating Body Grounding）或“背柵”（Back Gate）來控製這一效應。這對於我理解 SOI 器件的性能穩定性和可靠性至關重要。在應用層麵，書中對 SOI CMOS 在數字邏輯、模擬電路、射頻電路以及功率電路等各個領域的應用進行瞭詳盡的介紹，並且引用瞭大量的實際産品案例。我尤其對書中關於 SOI 技術在高性能計算領域應用的討論感到興奮，其中詳細介紹瞭 SOI 技術如何賦能下一代 CPU 和 GPU，通過更高的時鍾頻率和更低的動態功耗來提升計算能力。書中還涉及瞭 SOI 技術在汽車電子領域的應用，特彆是其在高性能傳感器和控製單元中的優勢，比如更好的抗輻射能力和高溫穩定性。作者還對新一代 SOI 技術，如 FD-SOI（全耗盡 SOI）和 UT-SOI（超薄體 SOI）進行瞭介紹，並分析瞭它們在實現更小尺寸、更低功耗和更優越的性能方麵的潛力。這本書的深入性和廣泛性讓我對 SOI CMOS 技術有瞭更全麵、更深刻的認識。
评分作為一名對集成電路設計有著濃厚興趣的業餘愛好者，我一直在尋找一本能夠深入淺齣介紹 SOI CMOS 技術的好書。《SOI CMOS技術及其應用》無疑是我的首選。這本書的內容非常紮實，從 SOI 技術的基本概念到其在各個領域的應用，都做瞭詳盡的闡述。我非常欣賞作者在講解SOI 技術優勢時所采取的對比方法，通過與傳統 Bulk CMOS 技術進行比較，清晰地突齣瞭 SOI 技術在性能、功耗和可靠性方麵的優越性。書中對SOI 技術如何實現“高速度”（Higher Speed）和“低功耗”（Lower Power Consumption）的機製進行瞭深入的分析，例如其減少的襯底漏電和寄生電容。我特彆關注書中關於SOI 技術在低功耗應用領域，例如物聯網（IoT）和可穿戴設備中的應用。書中詳細介紹瞭SOI 技術如何通過其低漏電流特性，顯著延長設備的電池續航時間，以及如何通過高集成度來減小設備體積。此外，書中對SOI 技術在射頻（RF）領域的應用也進行瞭深入的探討，例如在開關、低噪聲放大器（LNA）和功率放大器（PA）等關鍵射頻組件中的應用，以及SOI 如何實現高頻下的優異性能。作者在講解過程中，使用瞭大量的圖錶和模型，使得復雜的物理原理和器件特性變得易於理解。書中還涉及瞭SOI 技術的一些前沿進展，例如對FD-SOI（全耗盡 SOI）和 UT-SOI（超薄體 SOI）的介紹，以及它們在未來先進工藝節點中的應用前景。這本書的深度和廣度都讓我印象深刻，為我理解 SOI CMOS 技術提供瞭一個堅實的基礎。
评分這本書的內容詳實且具有很高的參考價值，為我瞭解 SOI CMOS 技術提供瞭堅實的基礎。《SOI CMOS技術及其應用》一書，從基礎原理到實際應用，幾乎涵蓋瞭SOI CMOS 技術的方方麵麵。我特彆欣賞作者對 SOI 技術核心優勢的闡釋，例如其在“降低漏電”（Reduced Leakage）和“提高器件速度”（Improved Device Speed）方麵的錶現。書中對“浮體效應”（Floating Body Effect）的深入分析，以及作者提齣的各種緩解和利用該效應的技巧，對於我理解 SOI 器件的設計和優化至關重要。例如，書中詳細介紹瞭如何通過“接觸式浮體”（Contacted Floating Body）設計來有效地控製浮體效應，從而獲得更穩定的器件特性。在應用方麵，書中對 SOI CMOS 在數字邏輯、模擬電路、射頻電路以及功率電路等各個領域的應用進行瞭詳盡的介紹，並且引用瞭大量的實際産品案例。我尤其關注書中關於 SOI 技術在高性能計算領域應用的討論，其中詳細介紹瞭 SOI 技術如何賦能下一代 CPU 和 GPU，通過更高的時鍾頻率和更低的動態功耗來提升計算能力。書中還涉及瞭 SOI 技術在汽車電子領域的應用，特彆是其在高性能傳感器和控製單元中的優勢，比如更好的抗輻射能力和高溫穩定性。作者還對新一代 SOI 技術，如 FD-SOI（全耗盡 SOI）和 UT-SOI（超薄體 SOI）進行瞭介紹，並分析瞭它們在實現更小尺寸、更低功耗和更優越的性能方麵的潛力。這本書的廣度和深度都讓我印象深刻，為我全麵掌握 SOI CMOS 技術提供瞭重要的學習資源。
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