《半导体物理与器件(第4版)(英文版)》是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理及半导体器件物理等内容,共三部分(合计15章)。第一部分是基础物理,包括固体晶格结构、量子力学和固体物理;第二部分是半导体材料物理,主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象;第三部分是半导体器件物理,主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识,也分析讨论了小尺寸器件物理问题,具有一定的深度和广度。
Donald A. Neamen(唐纳德.A.尼曼),美国新墨西哥大学电气与计算机工程系教授,于新墨西哥大学取得博士学位后.成为Hanscom空军基地固态科学实验室电子工程师。1976年,加入新墨西哥大学电气与计算机工程系,从事半导体物理与器件课程和电路课程的教学工作。目前,尼曼仍是该系的返聘教员。近来,他曾任教于中国上海的密歇根-上海交通大学联合研究所。
1980年,尼曼教授获得新墨西哥大学“杰出教师奖”;1983年和1985年.获得由美国最悠久的工程荣誉学会Tau Beta Pi(TBI)颁发的“工程学院杰出教师奖”。1990年及从1994年开始至2001年的每一年,获得由电气和计算机工程系毕业生授予的“荣誉教师奖”。他还于1994年获得工程学院的“优秀教学奖”。
除教学外,尼曼教授曾任电气与计算机工程系副主任,并曾与业界的Martin Marietta公司、Sandia美国国家实验室和Raytheon公司合作。发表过许多论文,同时是Microelectronics Circuit Analysis and Design,Fourth Edition和An Introduction to Semiconductor Devices两书的作者。
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作为一名资深研究人员,我更关注的是那些处于知识前沿和交叉学科的讨论。这本书在这方面也展现了极高的水准。它并没有将“半导体物理与器件”局限在传统的晶体管和二极管范畴内,而是大胆地引入了许多新兴领域的内容。比如,关于自旋电子学中非阿贝尔任意子的基础描述,以及拓扑绝缘体表面态的初步探讨,这些内容虽然简略,但足以勾勒出未来几十年半导体领域可能的发展方向。作者在介绍这些前沿概念时,保持了高度的严谨性,但同时又用非常精炼的语言总结了其核心物理意义,避免了陷入过多的数学细节而失焦。这对于希望快速了解一个新兴领域全貌的研究者来说,无疑是一份宝贵的导航图。这本书的视野之广,让我确信它不仅是学生学习的优秀教材,更是我们这些研究人员保持知识更新、拓展研究思路的重要参考资料。
评分坦率地说,这本书的理论深度是令人印象深刻的,它不像市面上很多入门书籍那样浅尝辄止,而是扎扎实实地在关键领域进行了深入的挖掘。特别是关于量子效率和光电导增益的章节,作者的处理方式非常专业和细致。他没有回避薛定谔方程在特定势场下的解法,而是以一种循序渐进的方式,从一维势垒模型开始,逐步过渡到更复杂的异质结结构。对于我这种需要进行前沿器件设计的人来说,这种层次分明的讲解至关重要。更值得称道的是,书中对不同材料体系(如III-V族化合物半导体与硅基材料)的特性差异进行了对比分析,并解释了为什么在特定的应用场景下会选择某一种材料。这种系统性的比较分析,帮助我建立了一个更全面的知识体系,而不是只停留在对单一材料的理解上。读完这一部分,我感觉自己对“为什么”这个问题的认识,比以往任何时候都要深刻。
评分这本书的阅读体验,非常符合我个人偏好的学习节奏。它并非那种要求你一口气读完所有内容的“大部头”,更像是一位经验丰富的导师,在关键节点为你设置了“自检点”。每完成一个核心概念的阐述后,作者都会设置一些“思考题”或“拓展阅读建议”,这些内容并非简单的习题,而是引导你去思考当前知识点在更广阔物理图景中的位置。例如,在讲解载流子输运模型时,它会提示你去思考玻尔兹曼输运方程的局限性,并简要介绍蒙特卡洛方法的引入思路。这种主动引导思考的结构,迫使我必须停下来,将新学的知识与已有的物理直觉进行碰撞和整合,极大地提高了我的知识内化速度。我很少在读教科书时会有一种“与书本对话”的感觉,但这本书的互动性设计,让我切实感受到了这种积极的反馈循环。
评分我是一个工程背景的从业者,在实际工作中经常会遇到一些半导体器件的性能瓶颈问题,但以往的理论书籍往往过于侧重纯理论的推导,让我感觉离实际应用总隔着一层纱。然而,这本书的厉害之处就在于它巧妙地将基础物理原理与实际器件操作紧密地结合在了一起。它没有停留在讨论理想状态下的材料性质,而是花了大量篇幅去分析“杂质、缺陷和界面效应”这些在现实世界中至关重要的因素是如何影响器件特性的。比如,关于PN结的反向恢复过程,书中不仅给出了物理图像,还结合了实际的开关速度限制来探讨,这对我解决一些高速开关电路中的寄生效应问题提供了极大的启发。我特别欣赏作者在讲解MOSFET工作原理时所采用的类比手法,它将复杂的电场和载流子输运过程,比喻成水流通过不同地形的阻力,这种生动的描述,让那些原本晦涩的阈值电压、跨导等参数的意义变得异常清晰。这本书真正做到了连接理论与实践的桥梁。
评分这本书的封面设计和排版实在太吸引人了,那种深邃的蓝色调,配上简洁的几何图形,立刻就能感受到一种严谨而又充满现代感的氛围。我原本对“半导体物理与器件”这个主题有些望而生畏,感觉会是枯燥的公式和抽象的概念堆砌,但这本书的内页设计却给了我一个惊喜。字体选择清晰易读,图表的质量非常高,无论是能带结构图还是晶体管的结构示意图,都标注得非常清晰,即便是初学者也能快速抓住重点。更棒的是,很多关键的物理过程,作者都配上了非常直观的插图和流程图,这在同类教材中是很少见的。它没有直接陷入复杂的数学推导,而是先用清晰的语言勾勒出概念的全貌,让你先建立一个宏观的认知框架,然后再逐步深入细节。这种“先搭框架,后填细节”的叙事方式,极大地降低了我的学习门槛,让我感觉阅读过程更像是一次有引导的探索之旅,而不是被动地接收信息。特别是对一些经典实验现象的描述,作者似乎花了很多心思去模拟那种“灵光一闪”的瞬间,让原本冰冷的知识点变得鲜活起来。
评分讲得挺清楚啦,深度也还合适吧(对于我这种菜鸡来说还是要花点时间)。前半部分讲物理基础的东西还是Pierret讲得好一些(量子物理基础那块除外)。另外内容有不少地方有些旧了。
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