Logic-timing Simulation And the Degradation Delay Model pdf epub mobi txt 电子书下载 2026

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出版者:World Scientific Pub Co Inc

作者:Bellido, Manuel J./ Juan, Jorge/ Valencia, Manuel

出品人:

页数:268

译者:

出版时间:2005-11

价格:$ 78.00

装帧:HRD

isbn号码:9781860945892

丛书系列:

图书标签:

Logic Simulation
Timing Simulation
Degradation Delay
Delay Modeling
VLSI
Digital Circuit
IC Design
Signal Integrity
Verification
EDA

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具体描述

This book provides the reader with an extensive background in the field of logic-timing simulation and delay modeling. It includes detailed information on the challenges of logic-timing simulation, applications, advantages and drawbacks. The capabilities of logic-timing are explored using the latest research results that are brought together from previously disseminated materials. An important part of the book is devoted to the description of the Degradation Delay Model , developed by the authors, showing how the inclusion of dynamic effects in the modeling of delays greatly improves the application cases and accuracy of logic-timing simulation. These ideas are supported by simulation results extracted from a wide range of practical applications.

Contents: Fundamentals of Timing Simulation; Delay Models: Evolution and Trends; Degradation and Inertial Effects; CMOS Inverter Degradation Delay Model; Gate-Level DDM; Logic Level Simulator Design and Implementation; DDM Simulation Results; Accurate Measurement of the Switching Activity.

好的，这是一份针对您提供的书名《Logic-timing Simulation And the Degradation Delay Model》的反向图书简介，旨在详细描述该书不包含的内容，并且以专业的、非AI痕迹的方式呈现，字数控制在1500字左右。 --- 图书简介：未涵盖主题范围核心关注点缺失：面向宏观系统架构与高级算法理论本手册的范围严格限定于半导体电路的仿真技术和特定延迟模型，因此，对于涉及更高层次抽象的系统级设计方法论、复杂的软件工程实践，以及前沿的计算理论，均未涉及。读者不应期待在此找到关于以下领域的深入探讨：一、宏观系统架构与高级硬件描述语言（HDL）设计实践本书的视角聚焦于数字电路在晶体管和逻辑门层面的延迟分析，因此，对于构建大规模集成电路（IC）的整体架构设计方法论，本书没有提供指导。系统级建模与抽象：本书完全回避了使用SystemC、UVM (Universal Verification Methodology) 或e (e language) 等工具进行事务级建模（TLM）或高层次综合（HLS）的实践。关于如何设计一个完整的处理器流水线、内存子系统（如缓存一致性协议）或高性能网络接口（如PCIe或NVMe）的系统架构选择、分区策略和模块间通信协议，均不在讨论范围之内。设计验证的整体流程：关于功能验证的整体框架、覆盖率收敛策略、形式化验证（Formal Verification）在验证收敛中的作用，以及如何管理一个数百万行代码的SoC（System-on-Chip）验证环境的复杂性，本书未予涉及。重点在于延迟参数的数值计算，而非验证流程的组织管理。硬件描述语言（HDL）的高级应用：虽然仿真依赖于RTL（寄存器传输级）描述，但本书不深入探讨Verilog或VHDL语言中用于高级结构化编程、时序约束的编写规范（如SDC/UPF的复杂应用），或者如何使用这些语言来高效地描述复杂的控制逻辑或并发操作。二、优化算法、机器学习在EDA中的应用，及新型计算范式本书的延迟模型分析建立在既定的物理和逻辑约束之上。对于旨在超越传统电路模拟范畴的前沿计算理论和优化技术，本书保持距离。非线性优化与启发式算法：关于如何使用遗传算法、模拟退火、或更复杂的非线性规划技术来解决超大规模电路的布局布线（Place & Route）优化问题，或进行全局时序收敛优化，本书没有提及。延迟模型的求解被视为一个既定的数学问题，而非需要复杂迭代算法来逼近的开放性优化目标。深度学习与AI驱动的EDA：当前半导体设计领域正探索使用深度强化学习来辅助设计空间探索和良率预测。本书完全没有涉及如何训练神经网络来预测关键路径延迟、优化功耗模型，或自动生成验证激励。其分析工具链假定为基于经典传播延迟模型的确定性或统计学方法。量子计算与新型器件模拟：对于超越经典CMOS晶体管模型的计算范式，例如量子点、自旋电子学或新型存储器技术（如RRAM）的逻辑门延迟特性，本书的 Degradation Delay Model 是基于传统半导体物理假设构建的，不包含对这些新兴计算平台的物理仿真或逻辑级建模。三、制造工艺的物理细节与良率分析（Yield Analysis）本书的重点是“模型”的应用和“仿真”的执行，而非制造过程的底层物理机制及其对模型参数的影响。半导体器件物理学（Device Physics）：关于MOSFET的短沟道效应、载流子迁移率的温度依赖性、夹带效应、或更精细的量子效应如何影响基础晶体管的开关特性，本书仅在需要为延迟模型提供参数输入时提及，但不对这些物理基础进行深入推导或模拟。例如，关于SPICE模型参数提取过程的细节，或如何校准亚纳米工艺下的工艺角（PVT Corners），均属本书范围之外。良率与缺陷密度分析：本书关注的是在给定工艺和设计下“预期”的延迟表现。关于如何利用统计过程控制（SPC）来监控晶圆制造过程的波动、如何使用缺陷密度模型（如Poisson或Negative Binomial）来预测最终芯片的良率，或者如何将良率目标反馈到设计阶段以实现“可制造性设计”（DFM），这些属于良率工程范畴，未被包含。封装与互连寄生效应的深层分析：虽然逻辑仿真需要考虑互连延迟，但本书的重点在于逻辑单元内部的延迟传播。对于高级封装技术（如2.5D/3D集成）、极高频信号的电磁场效应（EMC/EMI）、或者对封装材料的热阻模型进行精确建模，这些超出了本手册对“互连延迟模型”的抽象级别。四、电源完整性与电磁兼容性（Power Integrity & EMC）对瞬态电流和电压波动对电路性能的影响，本书采取了简化的处理方式，未深入研究复杂的电源网络分析。 IR Drop 分析：关于如何对芯片级的电源分配网络（PDN）进行静态（DC）和动态（AC）的IR压降分析，以确保所有逻辑单元都能在规定的电压裕度内工作，本书没有提供相关的仿真技术或修正方法。电磁干扰与串扰分析：本书的关注点在于逻辑的固有延迟和时序约束。对于耦合噪声（Crosstalk）的精确电磁场仿真、如何设计屏蔽层来抑制片上噪声传播，或如何满足外部EMC标准，这些都属于信号完整性（SI）的高级课题，不在本书的讨论范围之内。功耗管理技术：动态和静态功耗的精确建模、时钟门控（Clock Gating）、电源门控（Power Gating）等低功耗设计技术对时序的连锁反应，以及如何通过仿真来验证这些技术在实现功耗目标的同时不违反时序约束，这些复杂的电源/时序协同设计问题，本书未予探讨。总结：本书是针对数字IC设计流程中特定环节——逻辑门级延迟计算和其在给定模型下的仿真验证——的深度技术手册。它不作为系统设计指南、高级验证方法论教程、半导体物理教材或前沿计算理论的参考资料。其价值在于提供对现有延迟模型（Degradation Delay Model）的准确理解和在仿真环境中的有效应用。