半导体物理基础

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出版者:科学出版社
作者:黄昆
出品人:
页数:283
译者:
出版时间:1979-7-1
价格:68.00元
装帧:
isbn号码:9787030287281
丛书系列:中国科学技术经典文库 物理卷
图书标签:
  • 半导体
  • 物理学
  • 固体物理
  • 半导体物理
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具体描述

《半导体物理基础》主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理;第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析;第5章结合具体的半导体材料,介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。

《半导体物理基础》对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学,在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。《半导体物理基础》可以作为高等学校有关课程的教学参考书,也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。

作者简介

目录信息

前言
第1章 掺杂半导体的导电性
1.1 掺杂和载流子
1.2 电导率和电阻率
1.3 迁移率
1.4 测量电阻率的四探针方法
1.5 扩散薄层的方块电阻
第2章 能级和载流子
2.1 量子态和能级
2.2 多子和少子的热平衡
2.3 费米能级
2.4 电子的平衡统计分布规律
2.5 非平衡载流子的复合
2.6 非平衡载流子的扩散
第3章 pn结
3.1 pn结的电流一电压关系
3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
3.3 晶体管的电流放大作用
3.4 高掺杂的半导体和pn结
3.5 pn结的击穿
3.6 pn结的电容效应
3.7 金属一半导体接触
第4章 半导体表面
4.1 表面空间电荷区及反型层
4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
4.3 实际MIs电容器的c(V)特性及应用
4.4 硅一二氧化硅系统的性质
4.5 MOs场效应晶体管
4.6 电荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5.1 晶格
5.2 空位和间隙原子
5.3 位错
5.4 层错
5.5 相变和相图
· · · · · · (收起)

读后感

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用户评价

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我必须得说,这本书的结构编排简直是教科书级别的典范。它遵循了从宏观到微观,再到实际应用的完美逻辑链条。开篇就奠定了扎实的晶体结构和量子力学基础,这部分处理得非常到位,没有过度简化,也没有陷入晦涩的数学推导泥潭,恰到好处地平衡了理论深度和可读性。随后,作者非常有条理地过渡到能带理论,并巧妙地引入了统计力学的概念来解释载流子的分布。阅读过程中,我发现作者对细节的把控极其严谨,每一个公式的推导都清晰可见,让人能够完全跟上思路,而不是被动地接受结论。这种系统性的知识构建,使得学习曲线变得异常平滑,极大地增强了我的学习信心。

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作为一本技术书籍,它在图文并茂方面的处理达到了极高的水准。书中的插图并非简单的示意图,而是经过精心设计的,每一个图例都直观地对应着特定的物理现象或数学关系。举个例子,书中用来解释有效质量概念的那几张能带图,通过不同的曲率变化,非常形象地展示了电子和空穴在晶格中运动时的差异。此外,书中的排版也十分舒服,字体选择和行距都考虑到了长时间阅读的需求,这在技术类书籍中是难能可贵的。它让我在面对大量专业术语时,依然能保持专注和愉悦的心情。

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这本书真是让我大开眼界,它以一种非常易于理解的方式,将半导体物理那些看似高深的理论知识娓娓道来。我之前对这个领域一直停留在非常表面的了解,总觉得那些能带理论、费米能级之类的概念离我很遥远,但作者的讲解方式让我仿佛置身于一个精心设计的课堂,每一个复杂的概念都通过生动的比喻和清晰的图示被层层剥开。特别是关于P型和N型半导体的掺杂过程,书里用了大量的实例来解释杂质原子如何影响载流子的浓度和导电特性,读完之后,我感觉自己对半导体器件的工作原理有了一种全新的、更深层次的认识。它不仅仅是知识的堆砌,更像是一份思想的引导,教会我如何用物理学的思维去剖析这些微观世界里的现象。

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这本书的价值远不止于课堂教学的工具,它更像是为未来研究者准备的一份路线图。在最后几章,作者并没有止步于基础的稳态分析,而是将视角拓展到了更前沿的领域,例如半导体中的输运现象、噪声分析,甚至是量子限制效应的初步介绍。这些内容的引入,使得这本书的知识体系变得非常完整和具有前瞻性。它不仅教会了我“是什么”和“为什么”,更引导我去思考“如何做得更好”。对于任何想在半导体领域深入发展,希望构建起扎实理论框架的工程师或学生来说,这本书无疑是一份不可或缺的基石。

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这本书最让我惊喜的是它对于半导体异质结和界面效应的深入探讨。这部分内容在很多入门教材中往往是一带而过,但在这里却被赋予了足够的篇幅和深度。作者详细分析了能带错配如何导致势垒的形成,以及这些界面在现代电子设备,比如双极性晶体管和场效应管中扮演的关键角色。我特别欣赏作者对“空间电荷区”概念的阐述,它不仅仅是一个理论模型,更是在解释PN结反向偏置时,载流子如何被有效地阻挡。读完这一章节,我对集成电路中“结”的物理意义有了更直观的理解,这对于理解器件的极限性能非常有帮助。

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在博士实验组里呆了有三年,结果呢?我才发现我们组的课题的基础来自黄昆的这本书,其实,很经验化的东西,实验依据的一定是原理,一定是科学!关于相图和载流子那段让我想到了我在实验室的那段悲催的日子。。。

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