Introduction to Spintronics

Introduction to Spintronics pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:CRC Press
作者:Supriyo Bandyopadhyay
出品人:
页数:536
译者:
出版时间:2008-3-20
价格:USD 96.95
装帧:Hardcover
isbn号码:9780849331336
丛书系列:
图书标签:
  • Spintronics
  • Spin electronics
  • Magnetism
  • Condensed matter physics
  • Nanotechnology
  • Materials science
  • Quantum mechanics
  • Solid-state physics
  • Electronic devices
  • Physics
想要找书就要到 小哈图书下载中心
立刻按 ctrl+D收藏本页
你会得到大惊喜!!

具体描述

Using spin to replace or augment the role of charge in signal processing devices, computing systems and circuits may improve speed, power consumption, and device density in some cases-making the study of spinone of the fastest-growing areas in micro- and nanoelectronics. With most of the literature on the subject still highly advanced and heavily theoretical, the demand for a practical introduction to the concepts relating to spin has only now been filled. Explains effects such as giant magnetoresistance, the subject of the 2007 Nobel Prize in physics Introduction to Spintronics is an accessible, organized, and progressive presentation of the quantum mechanical concept of spin. The authors build a foundation of principles and equations underlying the physics, transport, and dynamics of spin in solid state systems. They explain the use of spin for encoding qubits in quantum logic processors; clarify how spin-orbit interaction forms the basis for certain spin-based devices such as spintronic field effect transistors; and discuss the effects of magnetic fields on spin-based device performance. Covers active hybrid spintronic devices, monolithic spintronic devices, passive spintronic devices, and devices based on the giant magnetoresistance effect The final chapters introduce the burgeoning field of spin-based reversible logic gates, spintronic embodiments of quantum computers, and other topics in quantum mechanics that have applications in spintronics. An Introduction to Spintronics provides the knowledge and understanding of the field needed to conduct independent research in spintronics.

好的,这是一份为一本名为《Introduction to Spintronics》的图书撰写的详细简介,旨在介绍该领域的基础概念、核心技术和前沿发展,同时避免提及您指定的书名,并确保内容详实、自然流畅。 --- 磁电子学导论:探索电子自旋的量子效应与未来应用 内容提要: 本书旨在为对磁电子学(Spintronics)这一新兴交叉学科感兴趣的读者提供一个全面而深入的入门指南。磁电子学,作为传统电子学与磁学原理的有机结合,正以前所未有的速度重塑信息存储、处理和传感技术。本书不仅系统梳理了支撑磁电子学大厦的半导体物理、固体物理和量子力学基础,更聚焦于如何利用电子的内在属性——自旋(Spin),而非仅仅依赖其电荷,来设计和制造更高效、更快速、更低功耗的器件。 我们从最基本的量子力学概念出发,阐述了电子自旋的物理本质及其在材料中的行为,随后逐步过渡到宏观的磁性现象。全书结构清晰,内容涵盖了从经典磁性理论到尖端自旋电子效应的完整图景,特别强调了当前工业界和学术界最为关注的关键技术,如巨磁阻效应(GMR)、隧道磁阻效应(TMR)及其在下一代存储器(MRAM)中的应用。 第一部分:基础理论与量子基石 本部分为理解磁电子学奠定了坚实的理论基础。首先,我们回顾了固体物理中能带理论和晶体场理论的核心概念,为理解电子在晶格中的运动打下基础。随后,重点引入了电子的轨道角动量和自旋角动量,并详细解释了泡利不相容原理和斯彼诺尔(Spin-Orbit Coupling, SOC)效应。 SOC 效应是许多重要磁性现象的根源,例如自旋霍尔效应和各种各样的各向异性。我们通过严格的数学推导和直观的物理图像,解释了这些耦合如何影响电子的能量结构和输运性质。材料的选择在磁电子学中至关重要,因此本部分也探讨了不同类型材料(如铁磁体、反铁磁体、半金属和拓扑材料)的磁性起源,包括居里-外斯定律和布洛赫-布里渊区理论在铁磁性中的应用。我们深入分析了磁畴、磁畴壁的形成与运动机制,这是理解磁性存储器件工作原理的关键。 第二部分:核心自旋输运现象与器件原理 进入本部分,我们将焦点从基础物理转向了实际的输运行为。本章详细剖析了现代磁电子学赖以生存的几个关键物理效应。 巨磁阻效应(GMR): 我们将GMR的发现视为磁电子学时代的真正开启。本书详细阐述了GMR的机理,区分了由层间耦合和自旋扩散长度决定的不同GMR模型。针对多层结构(如“金属/磁性层/金属”堆栈),我们分析了自旋过滤机制和散射过程,并探讨了GMR在磁头读出技术中的巨大成功及其工程实现细节。 隧道磁阻效应(TMR): 作为GMR的后继者,TMR在能效和集成度上提供了显著优势。本书系统介绍了量子隧穿理论在磁隧道结(MTJ)中的应用。我们考察了不同氧化物势垒材料(如MgO)对TMR比率的巨大提升作用,并详细解释了基于对称性保护的界面电子态(Interface States)在增强TMR中的关键角色。TMR的温度依赖性和电压依赖性也被纳入讨论,为实际应用中的可靠性分析提供了工具。 自旋转移矩(STT)与自旋轨道矩(SOT): 随着器件尺寸的缩小,传统的电流驱动磁化翻转方法遇到了热稳定性和功耗的瓶颈。本书详细介绍了利用自旋角动量转移来控制磁化切换的技术。对于STT,我们分析了斯格尔米昂理论在描述自旋极化电流与磁矩相互作用中的应用;对于SOT,则侧重于自旋霍尔效应如何通过生成横向纯自旋流来高效地驱动磁化翻转,并讨论了其在MRAM中的低能耗潜力。 第三部分:前沿应用与未来展望 磁电子学的影响力已经超越了传统的数据存储领域,正在向计算、传感和量子信息科学渗透。 磁随机存取存储器(MRAM): MRAM被认为是下一代非易失性存储技术的最有力竞争者。本书深入剖析了STT-MRAM和SOT-MRAM的结构、读写机制、性能指标(如写入电流密度、延迟和耐久性)的优化策略。我们还探讨了热辅助磁平均(STT-MRAM的挑战)和高密度集成所面临的工程难题。 自旋逻辑器件与轨道逻辑器件: 信息的处理不再局限于电荷,自旋作为信息载体的潜力正在被挖掘。本书探讨了利用自旋波(Magnonics)进行信息传输和处理的概念,分析了磁晶各向异性对自旋波的操控能力。此外,基于自旋霍尔效应的逻辑门设计,如利用自旋流的开关功能,也作为低功耗计算的前景被详细介绍。 磁性传感器与生物医学应用: 磁电子学器件极高的灵敏度使其在传感领域大放异彩。我们详细分析了基于GMR和TMR的磁场传感器,包括其噪声特性和频率响应范围。在生物医学领域,我们将探讨利用高灵敏磁性纳米粒子(MNPs)与磁电子器件结合,实现高精度生物分子检测和靶向治疗的技术路径。 总结与展望: 本书的最后一部分对磁电子学的未来发展趋势进行了预测。我们将讨论拓扑材料(如拓扑绝缘体和Weyl半金属)中独特的自旋-电荷耦合现象,以及它们如何可能催生超低功耗的下一代器件。同时,磁性马约拉纳费米子和基于拓扑磁性的量子计算前景也将作为激发读者深入研究的讨论点。 通过系统化的介绍和对前沿技术的深入剖析,本书力求成为物理学、材料科学、电子工程等领域研究生及专业工程师的宝贵参考资料,引领读者全面把握磁电子学的理论深度与广阔的应用前景。

作者简介

目录信息

读后感

评分

评分

评分

评分

评分

用户评价

评分

这本书的写作风格非常严谨,几乎达到了教条主义的程度,每一个论断都小心翼翼地加上了大量的限制条件和脚注。这在学术写作中是值得称赞的,但在作为“导论”时,却成了巨大的障碍。作者似乎害怕读者产生任何一丝误解,于是对每一个物理量的定义都进行了百科全书式的穷尽解释。我花了大量时间去理解那些晦涩的数学推导,这些推导本身是正确的,但它们似乎更偏向于物理系高年级学生的需求,而不是那些希望快速了解“自旋电子学到底能做什么”的跨学科读者。例如,在讨论自旋霍尔效应时,书中花费了整整一个章节来论证其对称性破缺的必要性,却只是在附录里简单提了一下自旋电子器件的功耗优势。这种信息分配的权重失衡,使得这本书的重点似乎完全偏离了“应用导向”的初衷。坦率地说,如果不是为了应付课程考试,我更倾向于直接去查阅那些关于特定器件的综述文章,而不是在这本书里艰难地挖掘出哪怕一个可以立即投入实践的工程细节。它更像是一份为未来研究人员准备的“理论基础备忘录”,而不是一个面向新手的“实践指南”。

评分

这本关于自旋电子学的入门教材,真是让人又爱又恨。它试图以一种非常宏大和概括性的视角来介绍这个前沿领域,但坦白说,对于一个初次接触的读者来说,这种广度反而带来了一种迷失感。开篇几章对于磁性物理学基础的铺陈略显冗长,仿佛在努力地为后续的“新颖”概念打地基,但地基打得太厚重,以至于读者在真正接触到Spintronics的核心思想之前,就已经被大量的经典物理术语淹没了。书中引用的案例大多是教科书式的、非常理想化的模型,这在理论上是清晰的,但在实际应用层面,几乎找不到任何能让读者立刻联想到当前科技前沿的鲜活实例。举例来说,当谈及巨磁阻效应(GMR)时,描述停留在了理论公式和理想曲线的展示上,而关于如何将其集成到实际硬盘读取头中的工程挑战,几乎一笔带过。这使得整本书读起来像是一份精心整理但略显陈旧的学术综述,而非一本激发探索欲的“入门”指南。如果作者能更早地抛出一些令人振奋的未来应用前景,并以此反向驱动对基础知识的讲解,阅读体验或许会更加流畅和引人入胜。目前的结构更像是将一个博士课程的大纲强行压缩进了本科教材的篇幅里,知识点密度极高,但缺乏必要的“呼吸空间”。

评分

如果用一句话来概括我的感受,这本书更像是一份“理论完备性”的证明,而非一本“读者友好性”的教材。它极其详尽地覆盖了自旋电子学领域内所有“经典”的理论基础和数学模型,对于那些已经具备扎实固体物理和量子力学背景的学生来说,它可能是一本极好的参考手册,用来查阅精确的公式和推导过程。然而,对于希望通过这本书对自旋电子学产生初步兴趣并了解其工程潜力的初学者而言,它显得过于学术化、过于晦涩,并且在信息呈现上略显冰冷。全书充斥着大量的希腊字母和张量符号,而真正能够点燃学习热情的、关于未来计算范式变革的讨论,却被寥寥几笔带过。总而言之,它在深度上做到了极致,但在广度和可接近性上却远远不足,更像是为未来的专家而非初学者准备的“圣经”,需要极强的毅力和深厚的预备知识才能啃下来。

评分

这本书的章节组织逻辑非常僵硬,缺乏一种有机流动的叙事感。它更像是一系列相互独立的专题讲座被机械地串联在一起。从第一章的经典磁学,跳到第三章的半导体物理,再到第五章的自旋转移矩(STT)理论,中间的过渡非常生硬,让人感觉每一部分都是为了填充特定知识点而存在的。作者似乎没有花足够的心思去构建一个连贯的知识图谱,让读者自然而然地看到,为什么我们需要从A过渡到B,再到C。比如,在讲解磁性隧道结(MTJ)的隧道磁阻效应(TMR)时,对量子力学中的隧穿势垒处理已经足够深入,但当转入自旋轨道矩(SOMR)时,讲解的深度突然下降,感觉像是换了一组作者来撰写这一部分。这种不一致的深度和跳跃的焦点,使得学习体验支离破碎。我发现自己不得不频繁地回顾前面章节的内容,来试图理解当前章节中突然引入的新概念,这完全违背了导论书籍应该提供的平滑学习曲线。

评分

阅读过程中,我最大的困惑来自于图表的质量和排版。这本书的视觉呈现效果,怎么说呢,非常“复古”。插图大多是黑白的,线条简单到几乎无法分辨不同材料之间的界面差异,很多关键的能带结构图看起来像是直接从上世纪末期的期刊论文中扫描出来的。在讨论量子隧穿效应和自旋极化输运时,图示的缺失或模糊不清,极大地增加了理解难度。我不得不频繁地在网上搜索高质量的、彩色的对比图来辅助理解书中的文字描述,这无疑打断了阅读的连贯性。更让人沮丧的是,书中引用的参考文献列表显得年代久远,虽然它很好地覆盖了领域发展的历史脉络,但对于一个关注前沿动态的读者而言,却显得信息滞后。几乎没有提及近五年内基于新材料(比如二维材料或拓扑绝缘体)的自旋输运研究进展。这本书像是停留在了一个相对成熟但已非主流的理论框架内进行阐述,对于那些期待了解最新技术突破的读者来说,这无疑是一次对“前沿”概念的错配期待。

评分

评分

评分

评分

评分

本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息,本站不存储任何数据与内容,任何内容与数据均与本站无关,如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度google,bing,sogou

© 2026 qciss.net All Rights Reserved. 小哈图书下载中心 版权所有