半導體器件物理 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

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施敏

耿莉

2008-6

598

76.00元

國外名校最新教材精選

9787560525969

圖書標籤: 半導體微電子半導體器件物理經典教材施敏 IC 物理學物理

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发表于2024-12-26

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半導體器件物理 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

圖書描述

《半導體器件物理》（第3版）這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起瞭先進的學習和參考典範。此書的第3版保留瞭重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，並做瞭更新和重新組織，反映瞭當今器件在概念和性能等方麵的巨大進展，它可以使讀者快速地瞭解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點。《半導體器件物理》（第3版）專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：以最新進展進行瞭全麵更新；包括瞭對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導體傳感器、量子級聯激光器、單電子晶體管、實空間轉移器件等新型器件的敘述；對內容進行瞭重新組織和安排；各章後麵配備瞭習題；重新高質量地製作瞭書中的所有插圖。

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著者簡介

施敏（Simon M·Sze）美國籍，微電子科學技術、半導體器件物理專業，颱灣交通大學電子工程學係毫微米元件實驗室教授，美國工程院院士。1936年齣生。1957年畢業於颱灣大學。1960年、1963年分彆獲得華盛頓大學和斯坦福大學碩士與博士學位。

施敏博士是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專傢和教育傢。他是非揮發MOS場效應記憶晶體管（MOSFET）的發明者，這項發明已成為世界集成電路産業主導産品之一，90年代初其産值已達100億美元。此外，他還有多項創造性成果，如80年代初首先以電子束製造齣綫寬為0.15μm MOSFET器件，首先發現崩潰電壓與能隙的關係，建立瞭微電子元件最高電場的指標，如此等等。

施敏博士在微電子科學技術著作方麵舉世聞名，對半導體元件的發展和人纔培養方麵，作齣貢獻。他的三本專著已在我國翻譯齣版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發行量逾百萬冊；他的著作廣泛用作教科書與參考書。由於他在微電子器件及在人纔培養方麵的貢獻，先後被選為颱灣中央研究院院士和美國國傢工程院院士；1991年他得到IEEE電子器件的最高榮譽奬（Ebers奬），稱他在電子元件領域做齣瞭基礎性及前瞻性貢獻。

施敏博士多次來國內講學，參加我國微電子器件研討會；他對颱灣微電子産業的發展，曾提齣過有份量的建議。他曾一再錶示願為我國微電子産業的發展提供谘詢。

1998年6月當選為中國工程院外籍院士。