Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials

Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:John Wiley & Sons Inc
作者:Capper, Peter (EDT)/ Mauk, Michael (EDT)
出品人:
页数:464
译者:
出版时间:2007-9
价格:2573.00元
装帧:HRD
isbn号码:9780470852903
丛书系列:
图书标签:
  • Liquid Phase Epitaxy
  • Epitaxy
  • Electronic Materials
  • Optical Materials
  • Optoelectronic Materials
  • Materials Science
  • Semiconductor Materials
  • Thin Films
  • Crystal Growth
  • Materials Engineering
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具体描述

Liquid-Phase Epitaxy (LPE) is a technique used in the bulk growth of crystals, typically in semiconductor manufacturing, whereby the crystal is grown from a rich solution of the semiconductor onto a substrate in layers, each of which is formed by supersaturation or cooling. At least 50% of growth in the optoelectronics area is currently focussed on LPE. This book covers the bulk growth of semiconductors, i.e. silicon, gallium arsenide, cadmium mercury telluride, indium phosphide, indium antimonide, gallium nitride, cadmium zinc telluride, a range of wide-bandgap II-VI compounds, diamond and silicon carbide, and a wide range of oxides/fluorides (including sapphire and quartz) that are used in many industrial applications. A separate chapter is devoted to the fascinating field of growth in various forms of microgravity, an activity that is approximately 30-years old and which has revealed many interesting features, some of which have been very surprising to experimenters and theoreticians alike. Covers the most important materials within the field The contributors come from a wide variety of countries and include both academics and industrialists, to give a balanced treatment Builds-on an established series known in the community Highly pertinent to current and future developments in telecommunications and computer-processing industries.

固态物理基础:材料结构与性能的深度解析 作者:[此处可虚构一位资深物理学家的名字] 出版社:[此处可虚构一家知名学术出版社的名称] ISBN:[此处可虚构一串数字] --- 内容概述: 本书旨在为致力于固态物理学、材料科学、凝聚态物理以及相关工程领域的研究人员、高级本科生和研究生提供一个全面而深入的理论基础。它将视角集中于物质在原子和晶体层面上的基本行为,系统阐述了晶体结构、电子能带理论、晶格振动(声子)、热力学性质以及介电与磁学响应的内在机制。本书强调理论模型的严谨性与实验观测的紧密结合,力求在概念的清晰度与数学推导的完备性之间取得平衡。 本书结构分为六大部分,共十八章。 --- 第一部分:晶体结构与对称性(Crystal Structure and Symmetry) 本部分奠定了理解所有晶体材料的基础。 第一章:晶体学的基本概念。 引入了晶格、基矢、晶胞、布拉维点阵的概念。详细讨论了密堆积结构(如面心立方、六方最密堆积)的几何特征,以及非晶态物质与准晶体结构的概念对比。内容深入到倒易点阵(Reciprocal Lattice)的构建,这是傅里叶分析在固体物理中的核心应用。 第二章:晶体对称性分析。 侧重于群论在晶体描述中的应用。系统分类了空间群、点群,并讨论了晶体学中允许的旋转轴、反射面和反演中心。重点分析了对称操作如何影响材料的宏观物理性质,例如压电效应和光学活性。 第三章:晶体衍射与结构确定。 详细阐述了X射线、电子束和中子衍射的物理原理。内容覆盖布拉格定律的精确表述,以及通过傅里叶变换技术从衍射强度图谱反演出晶体结构(如原子位置和占有率)的数学方法。特别探讨了衍射峰的形状分析在缺陷和微观应变检测中的作用。 --- 第二部分:晶格振动与热力学(Lattice Vibrations and Thermodynamics) 本部分聚焦于原子集体运动——声子(Phonons)——及其在决定材料热学性质中的核心作用。 第四章:一维和三维晶格动力学。 从最简化的单原子链模型出发,推导出色散关系(Dispersion Relation),引入声学支与光学支的概念。扩展至三维晶体,讨论声子群速度、能量密度,并引入德拜模型(Debye Model)来处理高频声子效应。 第五章:晶格的热力学。 基于声子理论,推导了晶体的比热容(Heat Capacity)公式,从德拜$T^3$定律到高温下的杜隆-珀替定律(Dulong-Petit Law)的过渡。讨论了晶格声子的参与下材料的导热性(Thermal Conductivity),包括声子-声子散射(Umklapp Process)对热阻的贡献。 第六章:缺陷与非晶态固体的热学行为。 分析了点缺陷(空位、间隙原子)和线缺陷(位错)对声子散射的影响。引入了无序系统中的局域化模式和低能激发(Two-Level Systems),这些机制是理解玻璃态材料异常热学行为的关键。 --- 第三部分:电子的能带理论(Electronic Band Theory) 这是理解半导体、导体和绝缘体电学性质的理论核心。 第七章:周期势场中的电子——Bloch定理。 从薛定谔方程在周期势场下的求解入手,系统推导Bloch定理。详细解释了能带(Energy Bands)的形成机制,以及电子在布里渊区(Brillouin Zone)内的运动特性。 第八章:有效质量与能带结构。 定义了电子的有效质量(Effective Mass)及其各向异性。计算了能带的曲率,并阐述了费米能面(Fermi Surface)的概念及其在金属导电性中的决定性作用。探讨了能带的简并性与非简并性。 第九章:金属的电子理论。 深入分析自由电子模型(Free Electron Model)的局限性,并转向近自由电子模型(Nearly Free Electron Model)。重点讨论费米面如何与布里渊区边界相互作用,导致能带隙的产生,进而区分导体与绝缘体。 --- 第四部分:半导体物理(Semiconductor Physics) 本部分专注于具有带隙材料的独特电学行为。 第十章:本征与掺杂半导体。 精确计算了本征半导体中电子和空穴的浓度,推导了它们的密度分布函数。详述了n型和p型掺杂的过程,包括杂质能级的位置和电离过程。 第十一章:载流子输运现象。 分析了电场和浓度梯度对载流子的驱动作用,推导了漂移(Drift)和扩散(Diffusion)的连续性方程。详尽讨论了霍尔效应(Hall Effect)的原理及其在测量载流子浓度和迁移率中的应用。 第十二章:半导体能带工程基础。 介绍如何通过应变工程(Strain Engineering)和组分变化(Alloying)来调控禁带宽度。讨论了有效态密度(Density of States in Bands)的计算方法,为器件设计提供理论依据。 --- 第五部分:磁性材料(Magnetic Materials) 本部分聚焦于材料中电子自旋的集体行为及其宏观磁响应。 第十三章:磁性的微观起源。 从朗之万(Langevin)和居里(Curie)理论出发,引入电子的轨道角动量和自旋角动量,解释顺磁性(Paramagnetism)的起源。 第十四章:铁磁性与交换相互作用。 深入分析海森堡(Heisenberg)模型,阐释量子交换作用(Exchange Interaction)如何导致电子自旋的自发排列,形成铁磁性。讨论了磁畴(Domains)的概念和磁化过程中的磁滞回线。 第十五章:反铁磁性与磁性弛豫。 探讨了反铁磁性(Antiferromagnetism)和亚铁磁性(Ferrimagnetism)的特征,并引入了平均场理论(Mean Field Theory)来处理自旋之间的长程有序。讨论了超顺磁性(Superparamagnetism)和磁性弛豫时间。 --- 第六部分:介电与光学响应(Dielectric and Optical Response) 本部分将理论物理与宏观电磁学联系起来,解释材料如何与外部电磁场相互作用。 第十六章:介电常数与极化。 详细分析了电场作用下材料中产生的各种极化机制:电子极化、离子极化和空间电荷极化。推导了宏观介电函数与微观极化率之间的关系。 第十七章:晶体的光学特性。 基于介电函数,导出材料对电磁波的吸收、反射和折射的理论。讨论了正常色散(Normal Dispersion)和反常色散(Anomalous Dispersion),并阐述了法拉第效应(Faraday Effect)和克尔效应(Kerr Effect)的物理基础。 第十八章:晶体的非线性光学基础。 介绍了二阶和三阶非线性响应的理论框架,例如二次谐波产生(Second Harmonic Generation, SHG)所需的非中心对称晶体结构要求,以及克尔效应中的非线性折射率变化。 --- 目标读者群体: 本书适合于物理学、材料工程、电子科学与技术、化学物理等领域的硕士和博士研究生,以及希望深入理解凝聚态物质内在物理规律的科研工作者。具备微积分、线性代数和基础量子力学知识的读者将能更好地掌握本书内容。本书不假设读者对特定的薄膜生长技术(如液相外延)有预先知识,而是侧重于材料本身的本征物理属性的阐述。

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