Silicon Carbide

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出版者:Routledge
作者:Feng, Zhe Chuan (EDT)/ Zhao, Jian H. (EDT)
出品人:
页数:416
译者:
出版时间:
价格:2442.00元
装帧:HRD
isbn号码:9781591690238
丛书系列:
图书标签:
  • 碳化硅
  • 半导体材料
  • 电力电子
  • 高温半导体
  • 宽禁带半导体
  • 材料科学
  • 晶体生长
  • 器件物理
  • SiC
  • 功率器件
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具体描述

好的,请看以下图书简介,该书名为《硅碳材料的未来:从半导体到能源储存》。 --- 硅碳材料的未来:从半导体到能源储存 本书概述: 《硅碳材料的未来:从半导体到能源储存》是一部深入探讨新型硅碳(SiC)基复合材料在当代科技前沿领域应用的权威著作。本书旨在为材料科学家、化学工程师、电子设备设计师以及从事新能源技术研究的专业人士,提供一个全面、前瞻且详尽的技术蓝图。我们聚焦于如何通过精妙的材料工程与界面调控,解锁硅碳材料在高温高压环境、高频电力电子设备以及下一代储能系统中的巨大潜力。全书结构严谨,从基础的晶体结构、合成方法入手,逐步深入到复杂的器件应用和市场前景分析,力求在理论深度与工程实践之间搭建坚实的桥梁。 第一部分:硅碳材料的本质与合成 第一章:硅碳晶体结构与基本物理化学特性 本章是理解硅碳材料性能的基础。我们将从原子层面剖析不同晶型的碳化硅(如4H-SiC, 6H-SiC, 3C-SiC)的晶格排列、缺陷类型(如层错、位错)及其对电子迁移率、禁带宽度和热导率的影响。重点探讨了如何通过掺杂(如氮、铝)来精确调控材料的导电类型和载流子浓度,为后续的半导体应用奠定理论基础。此外,还详细介绍了碳化硅在极端温度和腐蚀性环境下的热力学稳定性分析,这对于其在航空航天和深地探测中的应用至关重要。 第二章:前沿合成技术与高质量晶体生长 高质量单晶的制备是硅碳技术发展的瓶颈之一。本章系统回顾并评估了当前主流的合成技术。涵盖了高温升华法(PVT)的优化策略,特别是如何控制生长速率、优化籽晶取向以抑制缺陷密度。同时,本书对化学气相沉积(CVD)技术进行了深入分析,重点讨论了反应气体配比、衬底预处理以及原位清洁技术如何协同作用,以实现原子级别的薄膜外延生长。对于新型的、具有独特形貌的纳米级硅碳结构(如纳米线、纳米片、多孔碳化硅)的溶液法和模板辅助合成技术,我们提供了详细的实验参数指导和表征方法。 第三章:硅碳基复合材料的设计与界面工程 超越纯相碳化硅,本部分着重探讨了硅碳与其他材料的复合。我们详细介绍了硅碳/石墨烯、硅碳/金属氧化物等复合体系的构建方法。核心在于界面工程——如何实现材料间优异的晶格匹配和化学键合,以增强复合材料的力学强度、改善导电网络,并有效缓解不同材料间的热膨胀失配。内容涵盖了固态反应、物理共溅射以及先进的原位反应合成技术,并利用透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)对界面结构进行了详尽的微观分析。 第二部分:硅碳在电力电子领域的革命 第四章:宽禁带半导体器件的物理机制 碳化硅是第三代半导体的核心成员。本章深入解析了基于SiC的功率器件(如肖特基二极管SBD、功率MOSFET和IGBT)的工作原理。重点阐述了SiC相对于传统硅基器件在击穿电场强度、热阻抗和开关损耗上的物理优势。通过详细的能带图和载流子输运模型,解释了高电场下雪崩效应和载流子注入机制,为器件的可靠性设计提供了理论支撑。 第五章:高温高频电力电子模块设计与可靠性 现代电动汽车、轨道交通和可再生能源并网对功率密度提出了更高要求。本章聚焦于如何利用SiC器件构建工作在200°C以上环境的电力模块。内容包括:高导热封装材料的选择(如氮化铝陶瓷基板)、键合线材料的抗疲劳优化(探讨金锡共晶焊点的长期稳定性)、以及新型散热结构(如微通道冷却)的设计。我们还对SiC器件在高强度辐射和瞬态过压条件下的可靠性进行了寿命预测和加速老化测试方法的探讨。 第六章:射频与微波应用中的硅碳 除了功率领域,SiC的低介电损耗和高热导性使其在射频(RF)和微波应用中展现出独特价值。本章分析了SiC在制造高功率射频滤波器、功率放大器(PA)和高频滤波器中的优势。讨论了如何利用SiC衬底的热管理能力来稳定 GaN HEMT 器件的工作状态,从而实现更高的输出功率和更长的使用寿命。 第三部分:硅碳在能源储存与转换中的前沿应用 第七章:高能量密度锂离子电池的负极材料 硅基负极因其理论上极高的比容量而备受关注,但其巨大的体积膨胀是商业化的主要障碍。本书详细介绍了如何利用碳材料(如多孔碳、碳纳米管)作为骨架,将纳米硅或无定形硅碳复合体结构化。本章深入研究了各种结构设计(如核壳结构、藕联结构)对缓冲体积变化、稳定固体电解质界面(SEI)层以及提高循环稳定性的作用机制,并对比了不同硅碳比对电池能量密度的影响。 第八章:先进固态电解质中的硅碳界面 固态电池是下一代储能技术的热点。硅碳负极与固态电解质(如硫化物、氧化物和聚合物电解质)之间的界面阻抗是性能的关键瓶颈。本章分析了界面接触不良、锂枝晶生长和界面副反应的机理。提出了通过引入导电界面层(如碳涂层)或优化电极压实密度来降低界面阻抗的工程策略,并展示了使用原位监测技术对固态电池充放电过程中的界面演变进行实时表征的案例。 第九章:高效催化剂载体与燃料电池 在电化学能源转换领域,碳化硅作为一种化学惰性、高导电性的载体材料,正被用于替代传统的炭黑。本章探讨了如何通过刻蚀或模板法在SiC表面构建高比表面积的结构(如SiC泡沫或微纤维),并将其用作贵金属催化剂(如Pt, Pd)的载体。重点分析了SiC载体与催化剂颗粒之间的电子耦合效应,以及这种耦合如何提高氧还原反应(ORR)的效率和催化剂的抗腐蚀能力,为下一代质子交换膜燃料电池(PEMFC)提供了新的材料选择。 结论与展望: 本书最后总结了当前硅碳材料研究面临的挑战,包括成本控制、大规模高质量晶体生长均匀性以及复杂应用环境下的长期稳定性评估。同时,展望了人工智能辅助材料设计(AI-driven material discovery)在加速新型硅碳合金和复合结构开发中的巨大潜力。本书期望为推动硅碳技术从实验室走向全球工业应用提供坚实的理论和实践支持。 ---

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