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出版者:哈尔滨工业大学出版社

作者:邱成军

出品人:

页数:329

译者:

出版时间:2007-8

价格:19.80元

装帧:

isbn号码:9787560322971

丛书系列:

图书标签:

• 微电子技术专业英语
• 电子科学与技术
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好的，这里是一份关于《微电子技术专业英语》一书的详细图书简介，内容侧重于该专业领域的其他重要方面，旨在体现该领域知识的广度和深度，同时避免提及该特定书籍的内容。 --- 书名：现代半导体制造与器件设计前沿探析 图书简介 本书旨在为电子工程、材料科学及相关领域的专业人士、研究人员和高年级学生提供一个全面而深入的视角，聚焦于当前半导体制造工艺、先进器件结构及其应用领域的最新发展与挑战。我们深知，在当今信息技术飞速迭代的背景下，对半导体技术核心原理的掌握和对前沿动态的追踪至关重要。本书的编撰，正是在这一时代背景下，力求搭建一座连接基础理论与尖端实践的桥梁。 第一部分：先进集成电路制造工艺的精细化与复杂化 现代集成电路（IC）的性能提升，越来越依赖于对制造工艺极限的不断突破。本书首先对当前主流的光刻技术进行了深入剖析，特别是聚焦于极紫外光（EUV）光刻在分辨率提升、套刻精度控制以及光刻胶化学反应机制等方面的最新进展。我们详细探讨了EUV光刻系统的复杂性，包括光源生成、掩模版设计与缺陷检测的挑战。 紧随其后的是对薄膜沉积与刻蚀技术的专题研究。在薄膜沉积方面，本书不再仅仅停留在传统的化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD），而是将重点放在了原子层沉积（ALD）技术的精密度控制上。ALD如何实现亚纳米级的厚度均匀性和极佳的覆盖率，成为构筑高介电常数（High-k）栅极介质和金属栅极结构的关键。在刻蚀环节，我们深入分析了反应离子刻蚀（RIE）和深反应离子刻蚀（DRIE）在实现高深宽比结构（High Aspect Ratio, HAR）制造中的工艺窗口优化、侧壁形貌控制以及对敏感材料（如Si、III-V族化合物半导体）的损伤最小化策略。 此外，本书还专门开辟章节讨论后道处理（Back-End-Of-Line, BEOL）工艺的演进。随着晶体管密度的增加，互连线的延迟和串扰问题日益突出。我们详尽论述了大马士革（Damascene）工艺在铜互连技术中的应用，以及对低介电常数（Low-k）材料选择、化学机械抛光（CMP）技术的精确控制，以确保多层互联线的可靠性和信号完整性。 第二部分：新型晶体管结构与超越摩尔定律的探索 传统的硅基CMOS技术正面临物理极限的挑战。本书的第二部分着眼于为延续集成电路性能增长而提出的新一代晶体管结构。 我们对FinFET（鳍式场效应晶体管）的结构设计原理、电学特性及其在三维空间内对亚阈值摆幅（SS）和短沟道效应的抑制进行了细致的分析。随后，本书将目光投向了更具前景的结构，如全环绕栅极（GAA）晶体管，特别是纳米片（Nanosheet）和纳米线（Nanowire）架构。我们对比了这些新型器件在载流子迁移率、功耗和静电控制能力上的优势，并探讨了其在二维到三维结构过渡中所涉及的制造难题，例如晶圆级集成和垂直堆叠的可行性。 为了应对功耗墙问题，本书还详细介绍了新材料和新概念器件的引入。这包括对二维材料（如MoS2, WSe2）在构建超薄沟道器件中的潜力评估，探讨它们如何实现极低的短沟道效应。同时，我们对铁电场效应晶体管（FeFET）和磁性隧道结（MTJ）在非易失性存储器（NVM）和新型逻辑器件（如自旋电子学器件）中的应用前景进行了前瞻性的讨论，强调了材料本征特性如何影响器件的开关速度和能效比。 第三部分：封装技术对系统级性能的决定性影响 在先进的异构集成时代，芯片的性能已不再仅仅取决于单个核心的微缩，更依赖于先进封装技术如何高效地连接和协同工作不同的功能模块。本书投入大量篇幅解析系统级封装（SiP）和芯片堆叠（3D IC）技术。 我们详细阐述了混合键合（Hybrid Bonding）技术在实现极高I/O密度和微米级间距互联方面的突破，这是实现多层逻辑和存储器堆叠的关键。针对热管理这一核心挑战，本书分析了热设计与热管理策略，包括热界面材料（TIMs）的选择、微通道散热结构的设计，以及如何通过先进的结构设计来分散和导出高密度集成电路产生的巨大热流。 此外，本书还涵盖了高带宽内存（HBM）技术的最新发展，特别是其在连接CPU/GPU与内存阵列时所展现出的巨大带宽优势，以及异构集成在AI加速器、高性能计算（HPC）和边缘计算设备中的实际案例与技术路线图。 总结 《现代半导体制造与器件设计前沿探析》力求提供一个连贯、深入且具有前瞻性的知识体系，使读者能够系统地理解从原子尺度材料工程到宏观系统集成的全流程技术链条。本书的深度分析和对实际工程挑战的关注，将是所有致力于推动下一代信息技术发展的工程师和研究人员的宝贵参考资料。

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说实话，我对这类专业词汇书总是抱有一丝警惕，因为很多时候它们更像是厚重的“字典”而非实用的“工具书”。然而，《微电子技术专业英语》彻底颠覆了我的看法。它的叙事方式非常“口语化”，尽管内容极其硬核，但行文流畅得像是在听一场高质量的学术讲座。书中大量穿插的“Critical Analysis”或“Industry Insight”部分，简直是点睛之笔。这些小节并非简单地翻译某个术语，而是深入剖析了该技术在不同国家和文化背景下的表达差异，以及在撰写专利或商业报告时应注意的语言陷阱。例如，书中对“Yield Rate Optimization”这个短语的探讨，就不仅仅停留在字面意义，而是延伸到了讨论如何用更具说服力的英文来描述良率提升的量化成果，这对于未来想在跨国公司工作的我来说，具有极高的实战价值。此外，我特别喜欢它对缩略词的收录和解释。它没有将所有缩写一股脑塞在一起，而是根据其在不同技术分支（如光刻、封装、IC设计）中的侧重点，分门别类地进行了详尽的注解和溯源。这种结构化的处理方式，极大地降低了初学者的入门门槛，也为资深工程师进行快速回顾提供了极大的便利。我甚至觉得，这本书本身就是一本微电子领域的“小型技术通史”，通过语言的演进，侧面反映了整个行业的发展脉络。

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坦率地说，我之前购买过好几本号称是“专业英语”的书籍，但它们要么是过于偏重基础语法，对专业术语的解释浮于表面；要么就是完全堆砌了技术词汇，句子结构复杂到令人望而却步。《微电子技术专业英语》的独特之处在于它找到了一个完美的平衡点。它深知微电子领域的语言特点是高度凝练、信息密度极大。因此，它在处理复合名词和复杂的定语从句时，采取了一种“可视化拆解”的策略。它会用图形化的方式，将一个长达十几个单词的复合术语（比如“Submicron Gate Oxide Thickness Variation”）分解成若干个语义单元，并分别用不同的颜色或加粗字体标识出来，然后再将它们重新组合，最后给出在不同语境下最简洁的表达方式。这种教学方法极大地降低了对长难句的恐惧感。更细致到标点符号的使用，书中也花了专门的章节来讨论，比如在撰写技术摘要（Abstract）时，分号（;）和冒号（:）在区分并列技术点和主次关系上的微妙差异。这种对细节的苛求，正是优秀工程语言所必需的，这本书显然深谙此道，它教会了我如何用最少的文字传递最大的信息量，这是语言学习中的最高境界。

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从图书馆借到这本书后，我几乎是爱不释手，因为它彻底改变了我对“工具书”的认知——它更像是一部精心编排的“行业词典与沟通指南”的合体。我尤其欣赏它在介绍新一代技术，如“FinFET”或“EUV Lithography”等前沿内容时的时效性和深度。它没有停留在陈旧的定义上，而是紧跟最新的IEEE和VLSI领域的术语演变，这一点非常难得，显示出编著者紧密关注行业动态的专业素养。书中附带的光盘（虽然我更习惯在线资源）中提供的音频材料，清晰地模拟了不同口音的专家在进行技术报告时的语速和停顿，这对于提升我的听力理解能力，特别是在参加国际在线研讨会时，起到了立竿见影的效果。它不仅是关于“微电子”的英语，更是关于如何“用英语进行微电子的专业交流”的综合指南。每当我遇到一个难以用中文精确表达的、涉及多物理场耦合的概念时，翻开这本书，总能找到一个既权威又易于理解的英文表达框架。可以说，这本书已经从一个学习资料，升级成了我工作桌面上一个不可或缺的、随时待命的“首席翻译官”和“语言顾问”。

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这本书的实用性是毋庸置疑的，但更让我感到惊喜的是它对“工程思维”的培养。它不仅仅教授你“如何说”，更重要的是指导你“如何思考”——用一种国际化的、精确的工程语言来组织逻辑。举个例子，当描述一个电路故障时，书中给出的英文表达范式，总是强调逻辑的层次性：从宏观现象（Symptom）到微观根源（Root Cause），再到验证步骤（Verification Steps）。这与我们日常学习英语口语时那种倾向于描述感受的习惯截然不同，它迫使读者在组织语言时，必须先在脑海中完成一套严谨的科学推理流程。我尝试着用书中的句式来写一份模拟的实验报告，结果发现，原本那些拖沓冗长、逻辑不清的中文描述，被精炼成了言简意赅、逻辑严密的英文段落。书中提供的“Report Template Suggestions”和“Presentation Phrase Bank”更是我目前最宝贵的学习资料。它们并非生硬的模板，而是基于海量真实文献和报告提炼出的精华。比如，在介绍“New Fabrication Process”时，建议使用的动词和副词的选择，都充满了学术的张力和对技术突破的肯定，让人在遣词造句时就能自然而然地散发出专业自信。这本书是连接理论知识与国际交流实践的坚实桥梁。

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这本《微电子技术专业英语》的封面设计简直就是一幅充满未来感的科技画卷，深邃的蓝色背景上点缀着密密麻麻的电路图和芯片的微观结构，让人一眼就能感受到其内容的专业与前沿。书脊的烫金字体醒目有力，透着一股严谨的气息。我初次翻阅，就被其中清晰的章节划分和详尽的术语索引所吸引。它并非那种枯燥的词汇堆砌，而是将每一个关键概念都置于具体的应用场景中进行阐释。比如，讲解MOSFET时，书中不仅罗列了大量的英文术语，还配上了精美的剖面图和工作原理示意图，使得那些晦涩难懂的物理过程变得直观易懂。尤其值得称赞的是，作者在处理一些跨学科的复杂表达时，采用了非常巧妙的意译和直译结合的方式，既保证了学术的准确性，又兼顾了非英语母语读者的理解习惯。我发现，那些在其他教材中常常一笔带过的关键短语，在这本书里都被赋予了丰富的上下文解释，比如“channel doping”和“threshold voltage adjustment”等，都配有相关的工程实例。这对于我这种需要阅读大量英文技术文档和国际会议论文的研究生来说，无疑是如虎添翼的宝典。阅读过程中，我感觉自己仿佛有了一位经验丰富的导师在身边悉心指导，随时为我扫清语言和技术上的障碍。它的排版也极其考究，留白恰到好处，字体选择既古典又现代，长时间阅读也不会感到视觉疲劳。

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