电子技术基础实验

电子技术基础实验 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:高等教育出版社
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出品人:
页数:0
译者:
出版时间:1900-01-01
价格:17.50元
装帧:
isbn号码:9787040053760
丛书系列:
图书标签:
  • 电子技术
  • 基础实验
  • 电路原理
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具体描述

本书是根据国家教育委员会1990

好的,这是一份关于《电子技术基础实验》以外其他书籍的详细简介,力求内容丰富、深入,且不透露任何人工智能生成痕迹。 --- 书籍一:《现代光学系统设计与应用》 作者: 张伟 教授, 李明 博士 出版社: 科学技术文献出版社 出版年份: 2023年 内容概述 《现代光学系统设计与应用》是一本全面覆盖光学工程前沿理论与实用设计方法的专著。本书旨在为光学工程师、研究生以及相关领域的科研人员提供一个从基础原理到复杂系统实现的完整技术框架。全书内容深度与广度兼备,理论阐述严谨,同时注重工程实践中的案例分析与解决方案。 核心章节与技术深度 第一部分:光学基础与成像理论的深化 本部分首先回顾了经典几何光学和波动光学的基本原理,随后迅速深入到现代光学系统的核心——傅里叶光学。重点讨论了衍射理论在成像过程中的非线性效应,特别是当孔径有限或物体具有高对比度时,如何运用范涅尔衍射积分和菲涅尔波带片的精确设计方法来修正系统像差。书中详细分析了成像系统的调制传递函数(MTF)的计算方法,并引入了Zernike多项式来定量描述和分离不同类型的像差(如球差、彗差、像散、场曲)。读者将学习如何利用MTF曲线来评估和优化成像质量,而非仅仅依赖于传统的RMS波像差。 第二部分:先进光学元件与材料科学 本部分聚焦于超越传统透镜的设计,探讨了自由曲面光学元件(Freeform Optics)的设计与制造挑战。详细介绍了点阵图(DDM)方法和数值优化算法在设计非球面和复杂曲面中的应用。在材料方面,本书深入分析了增材制造(3D打印)技术在光学结构制造中的潜力与局限,包括光固化树脂和金属粉末烧结对光学性能(如散射和热稳定性)的影响。此外,对超材料(Metamaterials)在光子学中的应用进行了前瞻性讨论,特别是超表面(Metasurfaces)在实现超薄、多功能光学器件方面的最新进展。 第三部分:复杂光学系统的集成与应用 本部分是本书的工程实践高潮。它涵盖了多个高技术领域中的典型光学系统设计。例如,在自适应光学系统(AOS)部分,详细讲解了基于夏克-哈特曼波前传感器的实时像差测量与补偿机制,以及压电驱动变形镜(DM)的控制算法。针对高功率激光系统,本书探讨了热透镜效应的建模,以及如何设计耐受高能量密度的光学镀膜(如布拉格反射镜的损伤阈值分析)。在机器视觉与光度计量领域,作者提供了如何设计偏振敏感成像系统和光谱辐射标定系统的完整流程。 附录:软件工具箱 附录提供了基于Zemax OpticStudio和MATLAB的实用代码示例,涵盖了MTF计算、像差分离、以及优化算法的实现,确保读者能够立即将理论应用于实际的系统仿真和设计迭代中。 --- 书籍二:《半导体器件物理与先进制造工艺》 作者: 王 宏 教授, 陈 涛 博士后 出版社: 电子工业出版社 出版年份: 2022年 内容概述 《半导体器件物理与先进制造工艺》是一本面向集成电路(IC)设计与制造领域的权威参考书。它不仅仅停留在对经典MOSFET工作原理的介绍,而是深入探讨了亚微米乃至纳米尺度下器件物理的奇异行为,以及支撑这些器件实现的前沿微纳加工技术。本书的结构清晰,理论推导详尽,特别侧重于工艺-器件-性能之间的内在耦合关系的解析。 核心章节与技术深度 第一部分:深亚微米CMOS器件的物理极限 本部分从载流子输运机制开始,详细分析了经典德拜长度和耗尽层宽度在极小尺寸下的失效问题。重点解析了短沟道效应(SCE)的物理根源,包括DIBL(漏致势垒降低)和阈值电压滚降。书中引入了非局部效应模型和载流子平均碰撞长度模型来更精确地描述高速率下的输运特性。对于FinFET(鳍式场效应晶体管),本书超越了简单的三维结构描述,深入研究了几何工程对亚阈值摆幅(SS)的改善机制,并对静电完整性(EIC)进行了严格的数学建模。 第二部分:先进的栅极结构与界面控制 本部分聚焦于解决高k/金属栅极(HKMG)技术中的关键难题。详细阐述了原子层沉积(ALD)技术在沉积高介电常数材料(如HfO2, ZrO2)中的优势,包括其自限制性、优异的均匀性和覆盖能力。书中对界面陷阱密度(Nit)和等效氧化物厚度(EOT)的精确测量方法进行了详尽的对比分析。在新的器件概念方面,本书专门辟章讨论了隧道场效应晶体管(TFET),特别是基于带间隧穿(BTBT)机制的工作原理、材料选择(如InAs/GaSb异质结),以及如何克服其低驱动电流的瓶颈。 第三部分:微纳加工工艺的精细控制 本部分是本书区别于一般教科书的关键所在,它深入探讨了支撑纳米制造的光刻、刻蚀与薄膜沉积技术。 光刻技术: 详尽解析了浸没式光刻(Immersion Lithography)中的液滴管理、物镜设计与像差控制。更进一步,对极紫外光刻(EUV)的复杂光学系统(反射式物镜、掩模版反射率、等离子体光源)进行了物理建模。 干法刻蚀: 重点分析了反应离子刻蚀(RIE)的侧壁钝化与微观形貌控制。阐述了深反应离子刻蚀(DRIE)中的Bosch工艺的机理,以及如何通过调整等离子体成分(如CF4/O2比例)来精确控制侧壁的垂直度和粗糙度。 薄膜沉积: 对物理气相沉积(PVD)中的溅射过程的离子鞘层行为进行了分析,并详细比较了化学气相沉积(CVD)与ALD在应力控制和深孔填充能力上的差异。 第四部分:器件可靠性与先进封装 本书最后探讨了高密度集成电路面临的可靠性挑战,包括电迁移(EM)的金属互连模型、热效应在多层结构中的传热分析,以及光刻胶残留物对后续工艺的影响。 --- 书籍三:《电磁场理论与微波工程实践》 作者: 赵 军 博士, 钱 涛 副教授 出版社: 清华大学出版社 出版年份: 2024年 内容概述 《电磁场理论与微波工程实践》旨在弥合抽象的麦克斯韦方程组与实际高频电子系统设计之间的鸿沟。本书遵循“理论驱动、应用为纲”的原则,从严格的电磁场理论出发,逐步过渡到射频/微波电路和系统的设计与仿真。其核心竞争力在于对传输线理论、阻抗匹配网络、以及电磁兼容性(EMC)的工程化处理。 核心章节与技术深度 第一部分:场论的工程化演绎 本部分对麦克斯韦方程组在时域和频域下的应用进行了深入的阐述,特别强调了边界条件在解决实际问题中的决定性作用。书中详细推导了亥姆霍兹方程的解析解在无限大空间、波导(矩形、同轴)以及谐振腔中的应用,并对TM/TE/TEM模式的截止频率和色散关系进行了精确的数学分析。读者将学习如何运用格林函数法来求解复杂几何结构中的电磁辐射问题。 第二部分:高频传输线与无源器件设计 这是本书的工程核心。作者深入探讨了集总参数电路向分布参数电路过渡的临界频率。书中对史密斯圆图的应用进行了详尽的教程,不仅限于简单的匹配网络设计,还包括多段巴伦(Balun)和宽带匹配网络的设计原理,如里奇(Richards)变换和勃因斯(Bode-Fano)准则在优化带宽中的应用。针对PCB设计,本书详细分析了微带线、带状线的等效电路模型,并特别强调了过孔(Via)的电感建模及其对高频信号完整性的影响。 第三部分:有源器件建模与放大器设计 本部分侧重于将晶体管(如GaAs FET、GaN HEMT)在高频下的S参数模型与阻抗匹配理论结合。书中详细介绍了稳定裕度(K因子、$mu$因子)的计算与评估,确保设计出的放大器在工作频率内是稳定的。针对低噪声放大器(LNA),本书提供了噪声阻抗匹配的理论基础,并指导读者如何利用Smith圆图实现最优的噪声系数(NF)和最大增益之间的权衡。对于功率放大器(PA),讨论了负阻抗匹配以避免振荡,以及如何使用负载牵引分析来预测PA在高非线性工作点下的性能。 第四部分:电磁兼容性与辐射分析 本书最后部分聚焦于高频系统中最常被忽视的工程问题——EMC。书中详细区分了传导发射(CE)和辐射发射(RE)的机理,并对串扰(Crosstalk)现象(如反射串扰和耦合串扰)的传播路径进行了分解。作者提供了法拉第笼设计的工程规范,并介绍了瞬态电磁场(TEMPEST)分析在保护敏感设备中的应用。 实践指导 本书附带了大量基于Keysight ADS和Ansys HFSS的仿真项目,包括一个完整的X波段滤波器设计流程和一个双极化天线的设计案例。

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我对书中在实践与理论结合上所采取的平衡策略表示由衷的赞赏。很多教材要么是理论高谈阔论,与实际操作脱节;要么就是纯粹的“菜谱式”步骤罗列,缺乏对“为什么”的解释。而这本教材则完美地弥合了两者之间的鸿沟。在每一章的理论推导结束后,总会紧接着设置一系列具有明确目的性的实验案例,这些实验并非简单的验证性操作,而是要求读者必须运用前述的理论知识去预测结果、分析误差、甚至优化参数。特别是关于元件选型的那一部分,作者清晰地指出了理想模型与实际元件之间的偏差来源,并且提供了在实际电路板设计中如何考虑寄生参数影响的初步指导,这对于我们这些即将走上工程岗位的学生来说,简直是无价之宝。

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这本书的价值在于其超越时效性的基础构建能力。电子技术领域日新月异,新的芯片和技术层出不穷,但真正经得起时间考验的,永远是那些最底层的物理定律和电路思想。这本书的核心内容,如稳态分析、瞬态响应、以及对基本逻辑门电路的深入理解,虽然是“基础”,但其阐述的深度足以支撑起对未来任何复杂系统的解读。我发现即便是学习一些前沿的嵌入式系统课程时,那些关于信号完整性和噪声抑制的讨论,最终都能追溯到这本书里关于阻抗匹配和滤波器的基础讲解。它不是一本告诉你“现在该用什么芯片”的书,而是一本告诉你“任何电路是如何被构建出来”的基石之作,这种底层逻辑的建立,才是真正决定一个人工程视野高度的关键所在。

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这本书的理论深度和广度着实令人印象深刻,它远超出了我对“基础”二字的传统认知。它并没有停留在简单的欧姆定律和基尔霍夫定律的机械应用上,而是深入探讨了信号的无源和有源元件在不同工作状态下的非线性特性,甚至涉及到了部分集成电路的设计思想的萌芽。例如,在讲解反馈原理时,作者巧妙地引入了波特图和根轨迹分析的直观概念,使得原本抽象的稳定性问题变得可以“触摸”和“观察”。这种对基础原理的深挖,使得读者在后续接触更高级的课程,比如数字信号处理或微处理器接口时,能够建立起一个极其坚固和灵活的知识框架,而不是仅仅停留在应用层面的“调参工程师”。阅读过程中,我好几次停下来,思考作者是如何将如此庞大的知识体系组织得如此井井有条,逻辑链条紧密得几乎找不到可以质疑的薄弱环节。

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与其他同类教材相比,这本书的语言风格展现出一种罕见的、近乎文学性的严谨和流畅。它摒弃了那种刻板、干燥的科技术语堆砌,而是用一种非常精准且富有节奏感的叙述方式来构建知识点。当解释一些比较拗口的物理现象时,作者总能找到一个恰当的比喻或者一个生动的类比,瞬间将概念“拉回”到读者的日常经验层面。比如,它对电荷运动的描述,就仿佛在描绘一场微观世界的“迁徙”,充满了动态感和目的性。这种叙述上的魅力,极大地降低了阅读疲劳度,使得即便是长时间面对密集的公式和电路图,精神上也不会感到枯竭。可以说,这本书在“教人学知识”的同时,也兼顾了“让人享受学习过程”的体验。

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这本书的插图和图表制作得非常精良,简直是教科书级别的典范。那些复杂的电路图和波形分析图,在经过细致的排版和清晰的标注后,即便是初学者也能迅速抓住核心要点。我记得上次在学习某个半导体器件的工作原理时,光是看文字描述就一头雾水,但翻到这本书的对应章节,那张精心绘制的剖面图直接就把原理呈现在眼前,那种豁然开朗的感觉,非常美妙。更值得称赞的是,书中的实验步骤描述得极其详尽,每一步的物理连接、参数设置,甚至连注意事项都考虑得面面俱到,感觉作者不仅是位专家,更是一位极富耐心的导师,手把手地引导读者避开所有可能的陷阱。读起来感觉就像是跟着一位经验丰富的老工程师在实验室里进行实际操作,每一个细节的强调都透露出实战经验的沉淀。

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