新编中国半导体器件数据手册(第2册)--半导体三极管 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:机械工业出版社

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出品人:

页数:1337

译者:

出版时间:1998-03

价格:150.00

装帧:平装

isbn号码:9787111060444

丛书系列:

图书标签:

• 半导体
• 三极管
• 数据手册
• 电子工程
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• 新编中国半导体器件
• 半导体器件
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• 电子技术

《精通半导体三极管：工作原理、选型与应用解析》 本书旨在为广大电子工程技术人员、在校学生及电子爱好者提供一本系统、深入且实用的半导体三极管学习指南。半导体三极管，作为现代电子技术中最基本、最核心的无源器件之一，其理解和掌握程度直接影响到电路设计的质量与效率。本书将超越简单的器件参数罗列，深入剖析各类三极管的核心工作原理，并结合实际应用场景，指导读者如何根据具体需求进行精准选型，并优化电路设计。 内容梗概： 全书围绕半导体三极管的“为何”、“如何”和“用好”三个核心维度展开，结构清晰，层层递进。 第一部分：三极管的基石——半导体物理与PN结原理 在深入讲解三极管的结构和工作特性之前，我们首先会回顾并梳理构成三极管基础的半导体物理知识。本部分将以通俗易懂的语言，再次审视半导体材料的特性，如本征半导体、杂质半导体（N型和P型）的形成及其载流子运动规律。重点将围绕PN结的形成、内建电场、扩散电流和漂移电流的 interplay，以及PN结在外加电压作用下的正向导通和反向截止特性进行详细阐述。这一部分是理解三极管作为电流控制器件的基础，为后续深入分析打下坚实基础。 第二部分：双极型三极管（BJT）的奥秘 作为最广泛应用的三极管类型之一，双极型三极管（BJT）将是本书的重点关注对象。我们将从其结构（NPN和PNP）、载流子注入和传输机制出发，深入剖析其放大作用的物理根源——电流放大。 工作区域详解： 书中将详细讲解BJT的三个基本工作区域：截止区、放大区和饱和区。对于每个区域，不仅会阐述其电学特性（电流、电压关系），还会深入分析器件内部的载流子分布和运动状态，揭示其形成机理。例如，在放大区，基区宽度调制效应（米勒效应）对电流放大系数的影响将被细致解读；在饱和区，双重扩散和少数载流子存储效应将成为解析的重点。 重要参数解读： 除了基本的直流电流增益（β）和临界导通电压（VBE(on)）外，本书还将深入探讨一系列关键的交流参数，如输出电阻（ro）、跨导（gm）、输入电容（Cbe, Cbc）、输出电容（Cce）等，并解释它们是如何影响三极管在不同频率下的工作性能的。例如，将详细分析Cbe和Cbc如何限制高频响应，以及如何通过引入反馈或使用特定结构来改善这一问题。 等效电路模型： 为了便于电路分析，我们将介绍两种常用的BJT等效电路模型：混合π模型和T型模型。不仅会推导模型的建立过程，还会详细讲解模型中各元器件（电阻、电容、受控源）的物理含义及其与BJT物理参数之间的关系，帮助读者建立直观的电路分析框架。 第三部分：场效应三极管（FET）的多样性 除了BJT，场效应三极管（FET）以其高输入阻抗、低功耗等优势，在许多现代电子系统中扮演着重要角色。本书将涵盖几种主流的FET类型： 结型场效应三极管（JFET）： 详细介绍JFET的P沟道和N沟道结构，以及栅极电压如何通过控制夹断电压（Vp）来调制沟道导电性，从而实现电流控制。将重点分析其转移特性曲线（ID vs VGS），并阐述其在放大和开关电路中的应用。 绝缘栅型场效应三极管（MOSFET）： 这是本书中最为详尽的部分之一。我们将区分增强型和耗尽型MOSFET，并深入讲解其工作原理。 MOSFET的电容模型： 强调MOSFET的栅氧化层形成的栅极-沟道电容（Cgs, Cgd）和体-沟道电容（Csb, Cdb）在器件性能中的重要作用，以及它们如何影响高频特性和开关速度。 阈值电压（Vt）的形成与影响： 详细解释阈值电压的物理成因，以及它如何决定MOSFET的开启条件。 不同工作区域： 深入分析MOSFET的截止区、线性区（或称饱和区）和饱和区（或称恒流区）的工作原理，并对比分析其与BJT在这些区域的特性差异。 NMOS和PMOS： 详细介绍NMOS和PMOS的结构、工作原理和相互配合在CMOS集成电路设计中的重要性。 LDMOS（横向双扩散MOSFET）： 针对高功率、高频率应用，将专门介绍LDMOS的特殊结构和工作特性，解析其在高频功率放大器设计中的应用优势。 第四部分：三极管的选型与应用实践 理论回归实践，本部分将指导读者如何根据实际需求进行三极管的选型，并提供丰富的应用电路实例。 选型指南： 结合前两部分的理论知识，本书将提供一套系统性的三极管选型方法。将考虑的关键因素包括： 电流和电压额定值： 如何根据电路的负载和电源电压选择合适的耐压（BVce, BVds）和额定电流（Ic, Id）的三极管。 功率耗散： 如何估算三极管的功率耗散，并选择具有足够散热能力的器件。 频率响应： 如何根据信号的频率选择具有足够增益带宽积（GBW）或特征频率（fT）的三极管。 噪声性能： 在低噪声应用中，如何选择具有低噪声系数（NF）的三极管。 温度稳定性： 讨论温度变化对三极管参数的影响，以及如何在高温或低温环境下进行选型。 封装和散热： 介绍不同封装类型（如TO-92, TO-220, SOT-23等）的优缺点，以及散热片的使用方法。 典型应用电路： 放大电路： 详细解析分立式三极管放大器的各种基本组态，如共发射极放大器、共集电极（射极跟随器）放大器、共基极放大器，并讨论它们的增益、输入阻抗、输出阻抗和频率响应特点。还将介绍多级放大器、差分放大器等更复杂的放大电路。 开关电路： 阐述三极管如何作为电子开关使用，实现信号的通断控制。将重点讲解其在数字逻辑电路、继电器驱动、LED驱动等方面的应用。 稳压电路： 介绍基于三极管的简单线性稳压电路，以及如何利用稳压二极管和三极管构建更稳定的电源。 振荡电路： 简要介绍基于三极管的LC振荡器和RC振荡器的基本原理。 其他应用： 简要提及三极管在混频、调制、解调等更高级电路中的应用。 第五部分：现代三极管技术与发展趋势 为了让读者了解三极管技术的最新进展，本部分将对一些现代三极管技术进行介绍，包括： 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三极管： 介绍SiC和GaN等宽禁带半导体材料的优势，以及基于这些材料制成的高功率、高频、高温三极管在新能源汽车、5G通信、工业电源等领域的应用前景。 肖特基二极管与三极管的结合： 介绍SiC SBD与SiC MOSFET集成的器件（如SiC SJFET），以及它们在提高功率器件性能方面的优势。 本书力求理论与实践相结合，通过丰富的图表、详细的公式推导和实际的电路分析，帮助读者建立起对半导体三极管全面而深刻的认识，并能将其知识转化为解决实际工程问题的能力。无论是初学者还是经验丰富的工程师，都能从中获益匪浅。

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这本《新编中国半导体器件数据手册(第2册)--半导体三极管》当我拿到手里，第一感觉就是沉甸甸的，这预示着它里面包含了海量的知识。我是一名电子工程专业的学生，平时在做课程设计或者阅读技术文献时，经常会遇到各种各样的三极管型号，而市场上它们又更新换代得如此之快，很多时候自己手中的资料已经跟不上趟了。这本手册的出现，简直就像是雪中送炭。我最看重的是它数据的详尽程度，不仅仅是简单的参数罗列，更重要的是那些在实际应用中至关重要的参数，比如漏电流、结电容、开关时间、甚至是一些在特定工作条件下才能体现出来的特性曲线。我记得有一次，我的一个项目需要用到一个非常特殊的高频三极管，我翻遍了手边的几本老旧的器件手册，都找不到合适的替代品，最后是在一个论坛上偶然看到了这款手册的推荐，抱着试试看的心态买来，结果居然找到了我需要的那款，而且详细的参数让我对它的性能有了更准确的把握，顺利完成了我的设计。这种及时、准确、全面的数据支持，对于我们这种需要理论联系实际的学生来说，是无价的。

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我是一名电子产品维修师傅，每天接触到形形色色的电子设备，其中三极管是出现故障最频繁的元器件之一。很多时候，客户送来的机器，里面的三极管型号都比较老旧，或者已经停产，很难找到完全一样的替代品。这时候，一本内容详实、涵盖范围广泛的器件手册就显得尤为重要。《新编中国半导体器件数据手册(第2册)--半导体三极管》这本书，对于我的维修工作来说，简直是“神器”。我特别喜欢它在每个三极管型号后面都会列出其主要的替代型号，这对于我寻找替换件提供了极大的便利。我记得有一次，一台老式的功放机坏了，里面有一个三极管我怎么也找不到型号，都快要放弃了。幸好我翻到了这本手册，在仔细对比了参数后，我找到了一个国产的替代品，试了一下，效果非常好，机器又恢复了正常。而且，手册中对于不同三极管的封装形式、极限参数的说明，也帮助我避免了因选型不当而导致的二次损坏。这本书让我能够更加高效、准确地诊断和修复各种电子设备的故障，大大提升了我的工作效率和客户满意度。

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我是一名电子产品的研发工程师，日常工作离不开对各种电子元器件的深入了解。随着电子技术的飞速发展，新型三极管层出不穷，如何快速、准确地掌握这些器件的性能参数，对我们的产品开发效率至关重要。《新编中国半导体器件数据手册(第2册)--半导体三极管》的出现，为我们提供了一个非常宝贵的参考资源。我尤其欣赏它对中国本土生产的三极管型号的收录，这对于我们与国内供应商的合作，以及在设计中考虑成本和供应稳定性方面，都提供了极大的便利。手册中的数据不仅仅是冷冰冰的数字，它背后往往隐藏着器件的设计理念和应用场景。我记得在一次为一款便携式医疗设备选择低噪声放大三极管时，我对比了好几种不同型号。通过查阅手册中关于噪声系数、输入阻抗等关键参数，并结合手册提供的典型应用电路图，我最终选择了最适合我们产品需求的器件。这种深度的信息挖掘能力，是其他许多通用型器件手册所无法比拟的。它帮助我们节省了大量的时间和精力，避免了不必要的试错成本，直接提升了我们的研发效率。

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作为一个资深的业余电子爱好者，我的工作与电子技术并无直接关联，但对电子电路的迷恋却从未减退。我喜欢从零开始搭建各种有趣的小玩意儿，从简单的收音机到稍微复杂一点的DIY音响，每一个成功的作品都能带给我巨大的成就感。然而，在DIY的过程中，最让我头疼的往往就是三极管的选择。有时候，一个看似不起眼的晶体管型号，却能对整个电路的性能产生决定性的影响。我过去主要依赖一些网络资源，但信息的碎片化和不准确性常常让我踩坑。这次购入《新编中国半导体器件数据手册(第2册)--半导体三极管》纯属偶然，是在一次电子展会上无意间翻到的。我惊喜地发现，这本书的条理性和系统性远超我以往接触到的任何资料。它不仅提供了详尽的参数，还对不同类型的三极管的特点、应用领域以及一些选型注意事项进行了说明。我尤其喜欢其中关于“极限参数”和“安全工作区”的介绍，这对于避免在实验中烧毁元件至关重要。上次我尝试制作一个简单的功率放大器，由于对某个特定三极管的电流承载能力估算不足，差点毁了整个电路板。有了这本手册，我在选择三极管时更加心中有数，大大提高了DIY的成功率，也让我对电路的理解更加深入。

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作为一名电子类专业的讲师，我一直致力于为学生们提供最前沿、最实用的教学资源。在教授半导体器件相关课程时，三极管是不可或缺的核心内容。过去，我常常会从不同的渠道搜集三极管的资料，但信息的来源多样，质量参差不齐，而且很多数据都比较陈旧。《新编中国半导体器件数据手册(第2册)--半导体三极管》这本书，对于我来说，简直是一个“权威的宝库”。我发现它在内容的组织上非常合理，不仅包含了各种类型三极管的基础参数，还涉及到了它们在不同电路中的应用特点，甚至还有一些关于可靠性、失效模式的讨论。在课堂上，我经常会引用手册中的实例来讲解三极管的工作原理和选型原则。例如，在讲解BJT的电流放大作用时，我会展示手册中某个型号的hFE随集电极电流变化曲线，直观地说明其线性度；在讨论MOSFET的栅极驱动特性时，我会引用手册中关于栅极阈值电压、跨导等参数，引导学生理解其开关特性。这本书极大地丰富了我的教学内容，让我的课程更加生动、深入，也帮助我的学生们建立了对三极管更为系统和全面的认识。

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