標準集成電路數據手冊存儲器電路 pdf epub mobi txt 電子書 下載2026

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出版者:電子工業齣版社

作者:童本敏

出品人:

頁數:0

译者:

出版時間:1997-07

價格:78.00

裝幀:平裝

isbn號碼:9787505337695

叢書系列:

圖書標籤:

• 集成電路
• 存儲器
• 數據手冊
• 標準電路
• 電子工程
• 半導體
• 電路設計
• 參考數據
• 電子技術
• 存儲器電路

《高性能數字邏輯與時序電路設計》 本書聚焦於現代數字集成電路設計領域的前沿技術與核心概念，深入剖析瞭復雜數字係統的構建基石——邏輯門與時序電路。我們摒棄瞭傳統數據手冊中對具體器件型號的羅列，轉而著眼於驅動電路性能的關鍵理論與方法論，為讀者構建一套紮實的數字邏輯設計知識體係。 第一部分：數字邏輯基礎與優化 本部分將從最基本的邏輯門（AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR, XNOR）齣發，係統性地介紹布爾代數原理及其在電路簡化中的應用。我們將詳細闡述卡諾圖（Karnaugh Maps）和奎恩-麥剋拉斯基（Quine-McCluskey）算法等邏輯化簡技術，幫助讀者理解如何最小化邏輯錶達式，從而降低電路復雜度、功耗以及潛在的信號延遲。在此基礎上，我們將深入探討組閤邏輯電路的設計，包括譯碼器、編碼器、多路選擇器、數據選擇器、加法器、減法器以及比較器等基本模塊的原理與實現。本書特彆強調瞭邏輯功能的時序無關性，以及如何通過優化門級結構來提升電路的性能指標。 此外，我們將重點介紹現代邏輯綜閤（Logic Synthesis）的概念，揭示如何將高級描述語言（HDL，如Verilog或VHDL）生成的邏輯功能映射到優化的門級網錶中。這包括對不同綜閤目標（麵積、速度、功耗）的權衡，以及理解綜閤工具背後的優化策略，例如共用邏輯、傳播延遲最小化和關鍵路徑分析。讀者將學習到如何通過調整綜閤約束和選項來獲得更優化的電路實現。 第二部分：時序電路設計與分析 時序電路是數字係統能夠執行復雜運算和數據處理的關鍵。本部分將深入講解觸發器（Flip-Flops）和鎖存器（Latches）的各種類型，包括D觸發器、T觸發器、JK觸發器和SR觸發器，以及它們的建立時間（Setup Time）、保持時間（Hold Time）和時鍾到輸齣延遲（Clock-to-Output Delay）等重要時序參數。本書將詳細剖析這些參數對電路穩定性的影響，並提供實際設計中應如何處理和滿足這些時序要求的指導。 我們將重點關注時序電路的基本單元——寄存器（Registers）和移位寄存器（Shift Registers）的設計，以及它們在數據存儲、並行/串行轉換中的應用。在此基礎上，本書將深入探討各種計數器（Counters）的設計，包括同步計數器、異步計數器、任意模計數器以及它們的BCD計數器和約翰遜計數器等變種。讀者將學習到如何根據特定的計數序列和時序要求來設計高效的計數器電路。 更進一步，我們將係統性地介紹有限狀態機（Finite State Machine, FSM）的設計與實現。本書將詳細講解摩爾（Moore）型和米利（Mealy）型有限狀態機的區彆，以及如何通過狀態圖、狀態錶和狀態分配來完成FSM的邏輯設計。我們將深入探討狀態分配對硬件實現麵積和速度的影響，以及如何利用先進的狀態編碼技術（如格雷碼編碼、順序編碼）來優化FSM的性能。 第三部分：時序分析與時序收斂 理解和控製時序是數字集成電路設計的核心挑戰之一。本部分將全麵講解時序分析（Timing Analysis）的基本原理，包括靜態時序分析（Static Timing Analysis, STA）的概念和方法。我們將詳細闡述建立時間違例（Setup Violations）和保持時間違例（Hold Violations）的産生原因，以及它們對電路功能可能帶來的影響。 本書將指導讀者如何利用時序分析工具來識彆電路中的時序瓶頸，並提供一係列實用的時序收斂（Timing Closure）策略。這包括： 邏輯優化： 通過調整綜閤約束、使用更快的邏輯單元、拆分長組閤邏輯路徑來減少傳播延遲。 布局布綫優化： 探討物理設計階段對時序的影響，如綫延遲、時鍾網絡平衡（Clock Tree Synthesis, CTS）、門控時鍾（Clock Gating）等技術。 寄存器到寄存器路徑延遲計算： 詳細講解如何計算組閤邏輯延遲、寄存器時鍾到輸齣延遲、建立時間要求等，並最終判斷路徑是否滿足時序要求。 時鍾偏移（Clock Skew）和時鍾抖動（Clock Jitter）的處理： 分析這些時鍾信號的不確定性對時序裕量（Timing Margin）的影響，並介紹如何設計時鍾網絡以最小化這些效應。 功耗優化與時序的平衡： 探討如何在降低功耗的同時保持或改善電路的性能，例如通過動態電壓頻率調整（DVFS）和門控時鍾技術。 第四部分：進階數字電路設計模式 為瞭應對日益增長的復雜性和性能要求，本部分將介紹一些高級的數字電路設計模式和技術。我們將深入探討流水綫（Pipelining）技術，解釋如何通過將復雜的計算任務分解為一係列小的、相互連接的階段來提高係統的吞吐量。本書將詳細講解流水綫寄存器的設計，以及如何通過調整流水綫深度來平衡延遲和吞吐量。 此外，我們還將介紹並行處理（Parallel Processing）技術，包括如何設計多處理器係統、數據通路並行化以及SIMD（Single Instruction, Multiple Data）架構。讀者將學習到如何利用這些技術來加速計算密集型任務。 本書還將涵蓋異步時序設計（Asynchronous Timing Design）的一些基本概念，探討在某些特定應用場景下，如何避免對全局時鍾信號的依賴，從而實現更低的功耗和更好的抗噪聲能力。 總結： 《高性能數字邏輯與時序電路設計》不僅僅是一本介紹基本概念的教材，更是一本實用的設計指南。通過對邏輯功能、時序行為、性能分析和優化策略的全麵而深入的探討，本書旨在幫助讀者掌握構建高效、可靠數字集成電路的核心技能。無論您是電子工程專業的學生，還是有誌於從事數字IC設計領域的工程師，本書都將為您提供堅實的理論基礎和寶貴的實踐經驗，讓您能夠自信地應對現代數字係統設計的挑戰。本書內容聚焦於“如何設計”和“如何優化”，提供的是一種思維方式和解決問題的方法論，而不是對特定型號器件的功能性羅列。

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這本書的名字《標準集成電路數據手冊存儲器電路》讓我聯想到的是一份沉甸甸的、充滿瞭各種型號、各種參數的“字典”。作為一名在嵌入式係統領域摸爬滾打多年的工程師，我深知一份高質量的數據手冊對於項目的重要性。我期望這本書能夠成為我手中最得力的工具之一，能夠快速、準確地找到我需要的存儲器芯片的規格。例如，在為某個新項目選擇RAM時，我需要知道它的速度（訪問時間）、容量、接口類型（DDR3, DDR4, LPDDR等），以及功耗和工作電壓。而對於Flash Memory，我需要瞭解它的擦寫次數、讀取速度、接口（SPI, I2C, Parallel NAND, eMMC等），以及是否支持ECC（Error Correction Code）等。我希望這本書能係統地梳理市麵上主流的存儲器芯片，並提供詳細的參數列錶，甚至是一些性能對比圖錶，讓我能夠高效地進行器件選型。此外，如果書中能包含一些實際應用的案例，例如如何將特定存儲器集成到微控製器係統中，或者如何設計相應的驅動電路，那就更實用瞭。

评分☆☆☆☆☆

我收到這本《標準集成電路數據手冊存儲器電路》時，內心是充滿好奇與期待的。我是一名對電子技術充滿熱情的業餘愛好者，雖然不像專業工程師那樣需要查閱嚴謹的數據手冊，但我對存儲器是如何工作的，它們能存儲多少數據，以及如何被讀取和寫入的過程一直有著濃厚的興趣。我希望這本書能以一種相對易懂的方式，為我揭示存儲器芯片的奧秘。比如，我很好奇那些微小的晶體管是如何組閤起來形成存儲單元的？DRAM和SRAM在結構上到底有什麼本質區彆？Flash Memory又是如何實現非易失性存儲的？如果書中能配有清晰的原理圖和圖示，並用通俗易懂的語言進行講解，那對我來說將是巨大的幫助。我還希望能瞭解一些關於存儲器發展的曆史，看看它們是如何一步步演進到今天的。當然，我也希望這本書不會過於晦澀難懂，能夠讓我這個非專業人士也能從中獲得知識的樂趣，甚至激發齣我DIY一些簡單存儲器相關小電路的靈感。

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這本書的標題《標準集成電路數據手冊存儲器電路》給我的第一印象是它會是一本嚴謹、權威的技術參考書，就像一本聖經，包含瞭所有關於存儲器芯片的精確參數、引腳定義、電氣特性等等。我期待的是一個能讓我深入瞭解不同類型存儲器，比如SRAM、DRAM、Flash Memory等工作原理，以及它們在實際電路設計中如何選型和應用的詳盡指南。我希望能找到關於存儲器接口的時序圖、讀寫操作流程的詳細解釋，甚至是一些常見故障的排除方法。另外，我也好奇這本書是否會包含一些不同廠商的存儲器産品型號的對比分析，這對於工程師在項目初期進行成本和性能權衡非常有幫助。如果書中還能涉及到一些與存儲器相關的外圍電路設計，比如驅動電路、信號完整性處理等，那將是錦上添花。我尤其看重的是數據的準確性和全麵性，畢竟在集成電路領域，一點點的疏忽都可能導緻整個項目失敗。所以，我希望這本書能夠提供最新的、最可靠的數據，並且易於查閱，方便我在需要的時候快速找到所需信息。

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拿到《標準集成電路數據手冊存儲器電路》這本書，我的腦海中浮現的是一幅關於集成電路發展脈絡的宏大畫捲。我並非是直接操作電路設計的工程師，但我對半導體産業的發展曆程以及關鍵技術的演進充滿瞭敬意和好奇。我希望這本書能夠帶領我迴顧存儲器技術的發展，從早期那些龐大的磁芯存儲器，到晶體管存儲器，再到如今集成度極高的現代存儲芯片，瞭解它們是如何一步步革新，驅動著信息時代的飛速發展。我期待書中能講述一些關於存儲器領域裏程碑式的發明和技術突破，例如DRAM的齣現對計算機內存的革命性影響，或者Flash Memory如何使得便攜式設備和固態硬盤成為可能。如果書中還能穿插一些對存儲器産業巨頭的介紹，以及他們是如何在激烈的市場競爭中脫穎而齣，那將是一場關於技術、商業與創新的精彩敘事。

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收到《標準集成電路數據手冊存儲器電路》這本書，我第一反應是它可能是一本偏嚮基礎理論介紹的書籍。我一直對半導體器件的工作原理很感興趣，尤其是那些構建現代電子設備核心的“積木”。因此，我希望能在這本書中找到關於存儲器單元（如SRAM的靜態存儲單元，DRAM的動態存儲單元）是如何利用物理原理來存儲和保持數據的詳細解釋。我希望看到關於MOSFET在存儲單元中的作用，以及電容在DRAM中扮演的關鍵角色的深入分析。此外，我也對存儲器的讀寫操作過程中的電信號變化、時序控製以及數據傳輸機製感到好奇。這本書如果能從晶體管層麵去剖析存儲器的工作原理，並用清晰的邏輯和適當的圖示來闡述，那將極大地滿足我求知欲。我更傾嚮於那種能夠幫助我理解“為什麼”的書，而不是僅僅羅列一堆參數和型號。

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