CMOS集成电路原理与设计

CMOS集成电路原理与设计 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:北京邮电学院出版社
作者:李本俊
出品人:
页数:276
译者:
出版时间:1997-04
价格:22.00元
装帧:平装
isbn号码:9787563502660
丛书系列:
图书标签:
  • CMOS
  • 集成电路
  • 模拟电路
  • 数字电路
  • VLSI
  • 电路设计
  • 半导体
  • 电子工程
  • 微电子学
  • 模拟与数字电路
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具体描述

内 容 简 介

CMOS技术以其固有的特点及优势成为VLSI乃至更大规模集成电路发展中的重要手段。本书主要介绍CMOS数字集成

电路,重点在对CMOS基本单元电路的分析和设计考虑的基础上提出大规模集成系统的设计方法及设计实现。全书共分11

章,分别介绍VLSI技术的发展、工艺技术及IC分类;MOSFET特性及模型;CMOS反相器;CMOS静态逻辑电路;CMOS

开关逻辑电路;CMOS动态逻辑电路;基本功能电路;存储器;可编程逻辑器件;微处理器;自动化设计与验证。

本书既可作为电子类、通信类和计算机类的本科生和研究生的教学用书,也可供相关专业的师生和从事电路与系统设

计的广大科技人员阅读和参考。

作者简介

目录信息

目 录
第一章 绪 论
1-1 微电子技术的发展概况
1-2IC的工艺技术及IC的分类
本章小结
第二章 MOS FET的特性及其模型
2-1MOSFET的VT
2-2MOS FET的I-V特性
2-3P沟MOS FET
2-4MOSFET中的寄生电容
2-5MOS FET中的寄生电阻
2-6小尺寸MOS FET中出现的问题
2-7SPICE模拟程序中的MOSFET模型
本章小结
附录:2μmN阱CMOS 工艺参数
第三章 CMOS 反相器
3-1CMOS 反相器及其电压传输特性
3-2CMOS 反相器的开关特性
3-3CMOS 反相器中的泄漏电流和功率-延迟乘积
3-4CMOS 反相器的设计考虑
本章小结
第四章 CMOS 静态逻辑电路
4-1CMOS 静态逻辑电路的一般结构
4-2CMOS与非门
4-3CMOS 或非门
4-4或门和与门
4-5组合逻辑
4-6异或门和同或门
4-7静态CMOS逻辑结构的变种形式
4-8三态输出电路
4-9准(伪)NMOS/PMOS 逻辑
4-10 静态CMOS触发电路
4-11施密特触发器
本章小结
第五章 CMOS开关逻辑电路
5-1CMOS传输门
5-2开关逻辑门
5-3锁存电路和触发电路
5-4阵列逻辑
5-5差动级联电压开关逻辑
5-6互补开关晶体管逻辑
5-7差动错层逻辑
5-8三态缓冲电路
本章小结
第六章 CMOS动态逻辑电路
6-1基本动态CMOS 门电路
6-2多米诺CMOS动态逻辑
6-3多输出多米诺逻辑
6-4锁存多米诺逻辑
6-5NORA逻辑
本章小结
第七章 基本功能电路
71移位寄存器
7-2加法器
7-3乘法器
本章小结
第八章 存储器
8-1存储器的组成
8-2只读存储器
8-3静态RAM
8-4动态RAM
8-5灵敏放大器
本章小结
第九章 可编程逻辑器件
9-1概述
9-2可编程逻辑阵列
9-3EPLD
9-4高密度的PLD结构
本章小结
第十章 微处理器
10-1概述
10-2数据通道及系统结构
10-3微码控制器
10-4精简指令技术
本章小结
第十一章 自动化设计与验证
11-1 概述
11-2集成电路版图
11-3设计规则检查
11-4电路提取
11-5数字电路仿真
11-6时序分析
11-7RTL仿真
本章小结
附录:典型P阱CMOS的工艺特征及设计规则
· · · · · · (收起)

读后感

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用户评价

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这本书的结构安排非常巧妙,它并非仅仅罗列知识点,而是围绕“设计”这一核心目标,构建了一个由浅入深、螺旋上升的学习路径。我尤其喜欢它在讲解CMOS器件特性时所采用的“实验观察与理论建模相结合”的方式。书中穿插了大量的实例分析,这些例子不仅仅是孤立的电路图,而是带有明确的设计目标和限制条件的真实场景模拟。例如,当它介绍MOS管的亚阈值区工作特性时,不仅仅给出了公式,还通过图示清晰地展示了跨导与漏电流的关系,以及温度和工艺参数对这些特性的敏感度。这种叙述方式极大地增强了知识的实用性。对于一个渴望从“理论学习者”转变为“实际设计者”的人来说,这种强调“可操作性”的教学方法至关重要。它让我意识到,设计不只是数学计算,更是对物理限制的一种权衡与优化。读完这部分,我感觉自己已经开始用设计师的眼光去看待电路问题了。

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这本书的深度和广度令人印象深刻,尤其是它对高级主题的处理,展现了作者深厚的学术功底和丰富的工程实践经验。我特别关注了其中关于低功耗设计和高速电路布局的章节。在介绍静态和动态功耗削减技术时,书中不仅列举了各种技术(如时钟门控、电压调控),更重要的是,它深入剖析了这些技术背后的功耗-延迟权衡曲线,让读者能清晰地看到在特定设计指标下,哪种方法是最优解。对于高速设计部分,它对互连线寄生参数的建模和对串扰效应的分析,清晰地揭示了为什么在纳米级的工艺节点下,PCB和封装层面的设计与芯片内部设计同等重要。阅读这些内容时,我明显感觉到这本书已经超越了一般本科教材的范畴,更像是一部面向研究生或初级工程师的案头参考书,它提供的视角是全面的、多维度的。

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最后的总结部分,这本书给我的感觉是“系统性”和“完备性”的完美结合。它没有留下任何知识的真空地带,从最基本的器件物理,到系统级的电路模块实现,再到现代设计流程的概述,形成了一个完整的知识闭环。让我印象深刻的是书中对设计流程工具(EDA工具)的间接引导,虽然没有深入讲解具体软件的操作,但它描述的仿真、提取、验证的步骤,清晰地勾勒出了现代集成电路设计的工业标准路径。这对于渴望了解行业现状的读者来说,提供了极佳的“路线图”。合上书本时,我感到自己不仅仅是掌握了一堆公式或电路图,而是建立起了一套完整的、可用于解决实际问题的设计思维框架。这本书的价值,在于它提供的知识的“粘合度”极高,将原本零散的电子学知识紧密地编织在CMOS设计的宏大背景之下。

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这本书拿到手里,首先就被它厚重的分量和扎实的排版所吸引。封面设计简约大气,一看就是专业性很强的教材。我个人对电子工程领域一直怀有浓厚的兴趣,但总觉得在某些基础概念上把握得不够深入。这本书的开篇并没有急于深入复杂的电路细节,而是花了大量的篇幅去构建一个坚实的理论基础,这对我来说简直是“雪中送炭”。特别是对半导体物理基础的讲解,那简直是教科书级别的清晰明了,即便是初次接触这些深奥概念的读者,也能被引导着一步步理解载流子的迁移、PN结的形成与特性。作者在阐述这些物理原理时,仿佛有一位经验丰富、耐心至极的导师在你身边耳提面命,所有的公式推导都配有详尽的文字解释,避免了单纯堆砌公式带来的阅读障碍。我特别欣赏它在逻辑上的层层递进,从宏观的器件结构到微观的电学行为,过渡得无比自然流畅。读完第一部分,我对后续复杂电路的理解信心倍增,感觉自己终于拿到了进入集成电路设计殿堂的“金钥匙”。

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坦白说,阅读一些技术书籍最怕的就是“枯燥乏味”,但这本书在这一点上做得相当出色。它在保持严谨性的同时,成功地融入了一种富有活力的叙事风格。书中对各种“陷阱”和“常见错误”的讨论尤为精彩,很多看似简单的电路设计中隐藏着深刻的非理想效应,比如栅极氧化层的击穿、静电放电(ESD)的防护,以及工艺角变化带来的性能漂移。作者以一种近乎“揭秘”的口吻,把这些在实际工作中经常遇到的“拦路虎”一一呈现出来,并提供了成熟的规避策略。这种“过来人”的经验分享,比单纯的理论推导更有价值。它教会了我如何预见问题,而不是仅仅在问题发生后去解决问题。这种前瞻性的指导,是任何纯理论书籍都无法比拟的,它让学习过程充满了挑战性和探索的乐趣。

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