Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes

Narrow-Gap Semiconductor Photodiodes pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:SPIE Publications
作者:Antoni Rogalski
出品人:
页数:438
译者:
出版时间:2000-12-5
价格:USD 86.00
装帧:Hardcover
isbn号码:9780819436191
丛书系列:
图书标签:
  • 半导体光电二极管
  • 窄带隙半导体
  • 光探测器
  • 材料科学
  • 电子器件
  • 半导体物理
  • 光电子学
  • 器件物理
  • 薄膜技术
  • 纳米技术
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具体描述

光电探测器的前沿:低维材料与新型器件结构 本书将深入探讨光电探测器领域的最新研究进展,重点聚焦于新兴的低维材料及其在新型器件结构设计中的应用。我们旨在为读者提供一个关于如何利用纳米材料的独特光学和电学特性,突破传统半导体光电探测器性能瓶颈的全面视角。 第一章:低维半导体材料的独特光学与电学性质 本章将从基础理论出发,详细介绍各种重要的低维半导体材料,包括但不限于: 量子点 (Quantum Dots, QDs): 重点阐述其尺寸可调的带隙、高吸收系数、高效的荧光量子产率以及优异的光致发光特性。我们将讨论不同尺寸和成分的量子点的光谱响应范围,以及它们如何通过表面配体工程来调控其性能。 二维材料 (2D Materials): 深入剖析石墨烯、过渡金属二硫化物 (TMDs,如 MoS2, WS2)、黑磷等二维材料的蜂窝状晶格结构如何赋予其独特的电子能带结构和载流子传输特性。我们将重点关注它们的极高载流子迁移率、宽光谱吸收能力(尤其是在可见光和近红外区域),以及其优异的柔韧性和透明性。 纳米线与纳米带 (Nanowires and Nanobelts): 探讨一维纳米材料在载流子限制和表面效应方面的优势,以及它们如何实现高效的光生电荷分离和收集。我们将分析不同生长方法对纳米线/纳米带直径、结晶度和表面形貌的影响,以及这些因素如何影响其光电性能。 此外,本章还将深入研究这些低维材料在光物理过程中的关键作用,包括: 激子形成与解离: 详细分析在低维材料中,光子激发产生的激子如何在界面和表面处有效解离成自由载流子。 载流子传输与复合: 探讨低维结构中载流子的传输机制,包括表面散射、体相散射以及不同维度下的界面传输,并分析载流子复合的途径和速率。 表面等离激元共振 (Surface Plasmon Resonance, SPR): 介绍金属纳米结构如何通过 SPR 效应增强低维材料的光吸收和载流子产生效率,以及如何通过 SPR 工程来调控探测器的光谱响应。 第二章:基于低维材料的新型光电探测器结构设计 在充分理解了低维材料的特性后,本章将聚焦于如何将这些材料创新性地应用于构建高性能的光电探测器。我们将详细介绍以下几种新型器件结构: 异质结光电探测器 (Heterojunction Photodetectors): p-n 异质结: 探讨利用不同半导体材料(包括一类低维材料与另一类低维材料,或低维材料与传统半导体)构建的 p-n 结,分析其内置电场如何高效分离光生载流子,并实现快速响应。 肖特基结 (Schottky Junction): 研究金属与低维半导体材料形成的肖特基结,重点分析金属功函数与半导体功函数匹配对器件性能的影响,以及如何通过表面处理优化界面。 多量子阱 (MQW) 结构: 介绍利用不同禁带宽度或尺寸的量子点/二维材料层构建的 MQW 结构,探讨其在特定波长探测和宽带响应方面的潜力。 表面界面工程化的器件: 表面钝化与修饰: 详细介绍各种表面钝化技术(如原子层沉积、有机分子吸附)如何减少低维材料表面的陷阱态,抑制表面复合,从而提高量子效率和响应速度。 功函数工程: 讨论通过引入电荷注入层或栅极电压等方式调控金属电极与低维材料的功函数匹配,以优化载流子注入和收集效率。 集成与复合型器件: 与纳米天线集成: 介绍如何将低维材料与金属纳米天线(如纳米棒、纳米环)结合,通过纳米天线的近场增强效应显著提高低维材料对光的吸收和光电转换效率,实现超灵敏探测。 柔性与可穿戴光电器件: 探讨如何将低维材料(如二维材料、柔性量子点薄膜)集成到柔性基底上,构建可弯曲、可拉伸的光电探测器,为可穿戴电子设备和生物医学传感提供解决方案。 多功能集成器件: 讨论如何将不同类型的低维材料或低维材料与其他功能元件(如光源、信号处理电路)集成,实现具有特定功能的复合型光电探测器。 第三章:性能评估与先进表征技术 为了全面理解和优化这些新型光电探测器的性能,本章将深入介绍关键的性能指标和先进的表征手段: 关键性能指标: 量子效率 (Quantum Efficiency, QE): 详细解释内量子效率 (IQE) 和外量子效率 (EQE) 的概念,以及它们与光吸收、载流子产生和收集效率的关系。 响应度 (Responsivity): 定义响应度,并分析其与量子效率、工作波长和光照强度的关系。 探测率 (Detectivity, D): 解释探测率作为评价探测器灵敏度的重要指标,以及其与噪声电流和响应度的关系。 响应时间 (Response Time): 讨论器件的上升时间、下降时间和过冲等参数,分析影响响应速度的关键因素,如载流子寿命、电荷收集长度等。 噪声分析: 识别和量化不同类型的噪声源,包括散粒噪声、热噪声、闪烁噪声等,并探讨降低噪声的策略。 先进表征技术: 光谱表征: 介绍紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪等用于表征材料吸收和发射特性的技术。 电学测量: 详细阐述 Keithley 电流计、阻抗谱仪等用于测量器件的 I-V 特性、C-V 特性、载流子迁移率和寿命的技术。 瞬态光电响应测量: 介绍使用飞秒激光脉冲和示波器进行瞬态光电响应测量,以精确确定器件的响应时间。 扫描探针显微镜 (SPM): 探讨原子力显微镜 (AFM) 和扫描隧道显微镜 (STM) 在表征低维材料形貌、表面结构和局部电学特性方面的应用。 时间分辨光谱技术: 介绍瞬态吸收光谱 (TAS) 和时间分辨光致发光 (TRPL) 等技术,用于研究光生载流子的动力学过程,如激子形成、解离和复合。 第四章:应用前景与未来发展趋势 本章将展望基于低维材料的新型光电探测器在各个领域的广阔应用前景,并探讨未来的研究方向: 广泛的应用领域: 通信领域: 高速光通信、光互连。 成像技术: 高灵敏度图像传感器、生物医学成像(如内窥镜、荧光成像)。 环境监测: 痕量气体探测、水质检测。 消费电子: 智能手机、可穿戴设备中的传感器。 科学研究: 光谱分析、粒子探测。 未来发展趋势: 高性能化: 进一步提高量子效率、探测率和响应速度,实现深紫外到远红外的宽光谱探测。 集成化与智能化: 实现与微处理器、人工智能算法的集成,开发具有自适应和信息处理能力的光电器件。 低成本与大规模制造: 发展更经济高效的低维材料制备和器件制造技术,推动产业化应用。 环境友好型材料与工艺: 关注绿色化学和可持续制造,开发无毒、可降解的光电材料。 新材料的探索: 持续探索具有更优异光电性能的新型低维材料和复合材料。 本书旨在为从事光电探测器研究的科研人员、研究生以及对该领域感兴趣的工程师提供一个全面、深入的参考,共同推动光电探测技术迈向新的高度。

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