This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
稍微看了一下这本书(PDF版本),这应该算是微电子方面的书吧,也就是如何制作功率电子器件的书,不是这所需要的,我是自动化的,只要知道怎么用就行了
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当我拿起《Power Electronics Semiconductor Devices》这本书时,我并没有预设它会给我带来如此大的启发。我之前对功率半导体器件的认识,更多是来自于零散的电子杂志和论坛上的讨论,缺乏一个系统性的框架。这本书就像一位经验丰富的导师,为我搭建了一个全面而深入的知识体系。它从最基础的半导体物理原理出发,逐步深入到各种功率器件的结构、工作原理、特性参数以及在不同应用场景下的优缺点。我尤其欣赏书中对各种器件的“家族史”的梳理,比如从早期的BJT到现在的SiC MOSFET,它展现了功率半导体技术的发展脉络和进步。它不仅让我理解了各种器件之间的异同,更让我看到了技术进步的趋势和方向。书中对器件的可靠性分析,特别是对热应力、电应力以及环境因素如何影响器件寿命的讲解,为我设计更可靠的电力电子系统提供了重要的指导。我曾经在一个项目中,因为对器件的可靠性预估不足,导致了产品的早期失效,而这本书的出现,恰好能填补我在这方面的知识空白。它让我明白,选择合适的功率器件,不仅仅是看其性能指标,更要对其长期的可靠性有深入的了解和评估。
评分我一直认为,一个优秀的电力电子工程师,不仅要掌握系统级的电路设计,更要对构成系统的基础元器件有深刻的理解。《Power Electronics Semiconductor Devices》正是这样一本能够帮助我们实现这一目标的宝藏。它不只停留在对器件特性的描述,更重要的是,它引导我们去思考为什么这些特性会是这样,以及如何通过设计和应用来优化这些特性。书中对器件的失效模式和可靠性分析也给我留下了深刻的印象,了解器件在极端条件下的行为,对于设计出稳定可靠的电力电子系统至关重要。我曾经在尝试优化一个开关电源的效率时,遇到了瓶颈,而书中关于MOSFET的开关损耗分析,特别是对栅极电荷和输出电容的研究,为我提供了关键的思路。通过理解这些参数如何影响开关过程,我得以调整栅极驱动电路的设计,从而显著降低了开关损耗,提高了整体效率。此外,书中对不同封装技术对器件性能影响的探讨,也让我认识到,器件的性能并不仅仅取决于其内部的半导体材料和结构,外部的封装也起着至关重要的作用。这本书的价值在于,它不仅仅传授了知识,更培养了解决问题的思维方式,让我能够更全面、更深入地思考电力电子器件的设计与应用。
评分阅读《Power Electronics Semiconductor Devices》的过程,就像是在进行一场深入的“考古”,挖掘功率半导体器件背后隐藏的科学原理和工程智慧。作者以一种非常严谨和系统的方式,将复杂的半导体物理学与实际的电力电子应用巧妙地结合起来。我尤其欣赏它对新兴功率半导体材料,如SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)器件的深入介绍。在新能源领域,这些新材料的应用正变得越来越普遍,而书中对这些材料的特性、优势以及挑战进行的详细分析,为我提供了宝贵的洞察。它不仅解释了为什么SiC和GaN器件能够在高压、高温和高频应用中表现出色,还探讨了它们在实际应用中需要解决的驱动、封装和可靠性等问题。这本书让我明白,技术的发展是不断迭代和创新的,了解这些前沿技术对于保持在行业中的竞争力至关重要。它不仅仅是一本关于现有器件的书,更是一本关于未来趋势的书。通过这本书,我不仅巩固了对传统功率器件的理解,更拓宽了视野,对下一代电力电子技术的发展有了更清晰的认识。作者的专业知识和清晰的表达能力,使得即便是对于一些非常前沿的课题,也能被理解得头头是道。
评分《Power Electronics Semiconductor Devices》这本书,是一次与功率半导体器件“面对面”的深度对话。我一直认为,要真正掌握一门技术,就必须深入理解其最基础的构成单元。《Power Electronics Semiconductor Devices》恰恰做到了这一点。它不仅详细介绍了各种功率半导体器件(如BJT、MOSFET、IGBT、SCR等)的结构、工作原理和主要特性,更重要的是,它将这些器件放在具体的电力电子拓扑和应用场景中进行分析。我非常喜欢书中对器件在不同工作模式下的损耗分析,以及如何通过优化驱动和应用电路来降低损耗、提高效率。例如,在讲解MOSFET的开关特性时,书中不仅分析了栅极电荷和输出电容对开关速度的影响,还给出了实际的驱动电路设计建议,以实现快速、高效的开关。此外,书中对器件可靠性评估的讲解,特别是对热管理和瞬态过载的分析,为我设计更鲁棒的电力电子系统提供了宝贵的指导。这本书的深度和广度,让它成为我学习和工作中不可或缺的参考资料,每次翻阅都能获得新的启示和灵感。
评分这本书《Power Electronics Semiconductor Devices》对我来说,是一次对功率半导体器件认知的一次“重塑”。我之前对这些器件的理解,大多停留在“黑箱”操作层面,只知道如何根据datasheet来选择和使用。而这本书,则让我得以窥探到“黑箱”内部的奥秘。书中对器件的制造工艺,从晶圆的生长到芯片的封装,都进行了详细的介绍,这让我深刻理解了器件性能的形成过程。了解了不同掺杂浓度、不同工艺步骤如何影响器件的导通电阻、击穿电压和开关速度,这对于我优化电路设计,甚至对器件的可靠性评估,都提供了非常有价值的视角。我特别喜欢它对不同损耗机制的详细分析,例如导通损耗、开关损耗、栅极驱动损耗等,并给出了量化的计算方法。这让我能够更精确地评估器件在不同工作条件下的能量损耗,从而选择最合适的器件来满足效率和散热的要求。这本书的理论深度和工程实践的结合,使得它既适合理论研究者,也适合实际工程师。它培养了我一种“知其所以然”的学习态度,让我能够更深刻地理解和应用功率半导体器件。
评分这本《Power Electronics Semiconductor Devices》真是让我对电力电子领域有了全新的认识。我一直对如何将电能高效地转换和控制很感兴趣,但之前接触的资料往往停留在比较理论的层面,缺乏对核心器件的深入剖析。这本书就像打开了一扇通往器件内部世界的窗户。从MOSFET的栅极驱动原理到IGBT的功率损耗特性,每一个章节都详细地讲解了不同半导体器件的工作机理、优缺点以及在实际应用中的考量。我尤其喜欢它对各种器件的等效电路模型和其在不同工作模式下的行为分析,这让我能够更直观地理解它们是如何工作的。书中还包含了大量的图表和仿真结果,生动地展示了器件的动态特性和开关过程,这对于我这种需要结合实际应用来学习的人来说,简直是太有帮助了。而且,作者在讲解过程中,并没有回避一些复杂的技术细节,而是循序渐进地引导读者去理解,即使是对于我这样非电力电子专业背景的读者,也感到受益匪浅。它不仅仅是一本教科书,更像是一位经验丰富的工程师在手把手地教导你如何理解和选择合适的功率半导体器件。阅读这本书的过程,就像是在探索一个由精妙半导体材料和复杂物理原理构建起来的微观世界,而作者则是一位技艺高超的向导,带领我在这个世界里畅游无阻。我还会时不时地回顾其中的一些章节,每次都能发现新的理解和感悟,这充分证明了这本书的深度和价值。
评分作为一名对电力电子技术充满好奇的学习者,我一直在寻找能够系统性地梳理各种功率半导体器件的书籍,而《Power Electronics Semiconductor Devices》无疑是其中最出色的一本。它不仅仅是罗列了各种器件的型号和参数,而是深入探讨了这些器件背后的物理原理和制造工艺。从PN结的形成到功率器件的结构设计,再到栅极驱动电路和保护措施,这本书几乎涵盖了与功率半导体器件相关的所有重要环节。我尤其喜欢书中对不同器件(如BJT、MOSFET、IGBT、Thyristor等)的横向对比分析,它清晰地指出了每种器件的优势和劣势,以及它们适用的应用领域。比如,当讨论到高频应用时,书中对MOSFET的快速开关特性进行了详细的讲解,并分析了其寄生参数对开关损耗的影响;而在涉及大功率、高电压应用时,IGBT和Thyristor的特性则被深入剖析。这本书的结构非常合理,逻辑清晰,语言通俗易懂,即使是复杂的概念,作者也能用简洁明了的方式进行解释。它为我构建了一个关于功率半导体器件的完整知识体系,让我能够从宏观到微观,全面地理解这些在现代电力电子系统中扮演着核心角色的器件。每一次阅读,都能帮助我巩固和加深对某一知识点的理解,这对于我持续学习和进步至关重要。
评分我曾经在项目中使用过一些功率半导体器件,但总感觉自己对它们的了解不够深入,在器件的选择和应用上,也常常会遇到一些瓶颈。这本《Power Electronics Semiconductor Devices》的出现,可以说是在我职业生涯中一次非常及时的“充电”。书中对于各种功率器件的特性曲线,如漏电流、导通压降、开关速度等,都进行了详尽的阐述,并且结合了实际的测试数据和经验分析。我特别欣赏作者对不同器件在具体应用场景下的性能对比,比如在车载充电器中,如何权衡效率、散热和成本来选择合适的MOSFET;或者在变频器中,如何通过选择不同类型的IGBT来优化功率损耗和电磁兼容性。这些信息对于工程师来说,是至关宝贵的。我最近的一个项目就受益于书中关于SiC(碳化硅)器件的章节,它详细介绍了SiC MOSFET相比于传统硅基MOSFET在耐高压、高温和高频方面的优势,以及它们在新能源汽车和工业电源领域的巨大潜力。通过这本书的学习,我不仅能够理解器件的理论基础,更能将其与实际工程问题紧密联系起来,提出更优化的解决方案。它让我明白,功率半导体器件的选择并非仅仅是查阅datasheet那么简单,而是需要深入理解其内在的物理机制和动态行为,才能做出最适合的决策。这本书为我提供了一个坚实的理论基础和丰富的实践指导,让我能够更自信地面对未来工作中遇到的各种功率器件相关的挑战。
评分我之前一直对电力电子技术中的“核心”——功率半导体器件感到有些神秘,虽然我知道它们在能量转换中起着至关重要的作用,但对其内部的工作原理和特性了解不多。《Power Electronics Semiconductor Devices》这本书,为我揭开了这层神秘的面纱。作者以极其清晰和有条理的方式,将复杂的半导体物理概念与实际的器件结构和性能紧密联系起来。我尤其赞赏书中对各种器件的“性能指标”进行的详细解读,比如漏极-源极电压 (V_DS)、栅极-源极电压 (V_GS)、漏极电流 (I_D)、导通电阻 (R_DS(on))、阈值电压 (V_th) 等等,并且解释了这些参数是如何影响器件在不同工作模式下的行为。书中还对器件的动态特性,如开关损耗、电容效应以及寄生参数的影响进行了深入的分析,这对于理解和优化高速开关电路的设计至关重要。它让我明白,每一个参数的背后都有其物理意义,理解这些意义,才能更有效地使用和设计功率半导体器件。这本书为我构建了一个扎实的理论基础,让我能够更自信地面对电力电子领域更复杂的挑战。
评分《Power Electronics Semiconductor Devices》这本书,在我看来,是一本非常“实用主义”的专业书籍。它没有空泛的理论,而是紧密围绕着功率半导体器件在实际应用中的方方面面进行深入的探讨。我特别喜欢书中关于器件选型和应用电路设计的指导,它不仅仅是给出器件的参数,而是结合实际的电路拓扑,分析不同器件的适用性,以及如何设计相应的驱动和保护电路。例如,在设计一个DC-DC变换器时,书中提供了不同拓扑(如Buck、Boost、Buck-Boost)下,如何选择合适的MOSFET或IGBT,以及如何计算关键的参数,如导通电阻、开关损耗等,以达到最佳的效率和性能。此外,书中对器件的热设计和散热问题的讨论也给我留下了深刻的印象。它详细分析了器件的结温、封装热阻以及如何选择合适的散热器,这些都是在实际工程中必须考虑的关键因素。这本书让我明白,功率半导体器件的应用,是一个系统工程,需要综合考虑电、热、结构等多个方面的因素。它为我提供了一个非常具体和可操作的指导,让我能够更自信地将理论知识转化为实际的工程设计。
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