Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Three Volume Set pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

出版者:

作者:Morkoç, Hadis

出品人:

页数:3000

译者:

出版时间:2008-12

价格:6792.00

装帧:

isbn号码:9783527407972

丛书系列:

图书标签:

• Nitride Semiconductors
• Group III Nitrides
• GaN
• AlN
• InN
• Semiconductor Devices
• Materials Science
• Electronics
• Optoelectronics
• Thin Films

氮化物半导体与器件的原理、制备及应用 第一卷：基础理论与特性 本卷深入探讨氮化物半导体材料的基石，从其独特的晶体结构、电子能带理论出发，详细阐述了氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）及其合金（如AlGaN、InGaN）的物理化学特性。内容涵盖了生长方法，包括MOCVD（金属有机化学气相沉积）和MBE（分子束外延）等主流技术，并分析了不同生长条件对材料质量的影响，如位错密度、掺杂浓度及晶面取向。 本卷重点介绍了氮化物半导体的电学性质，包括载流子传输机制、霍尔效应、输运特性以及由量子限制效应引起的二维电子气（2DEG）的形成与特性。对p型和n型掺杂的机理、挑战及实现方式进行了深入剖析，并探讨了肖特基结、欧姆接触的形成机理与优化策略。此外，还详细介绍了氮化物材料的光学性质，如光吸收、光发射、荧光量子效率、激子行为等，并解释了其在发光二极管（LED）和激光二极管（LD）中的应用原理。 第二卷：器件结构与设计 本卷聚焦于氮化物半导体在各类电子和光电子器件中的应用，详细介绍了基于氮化物材料的晶体管、二极管、LED和LD等器件的结构设计、工作原理、性能优化及可靠性分析。 在电子器件方面，本卷重点阐述了高电子迁移率晶体管（HEMT），特别是AlGaN/GaN HEMT的结构特点、栅极设计、电流饱和机制、功率输出特性以及高频性能。对肖特基栅、MIS（金属-绝缘体-半导体）栅、MOS（金属-氧化物-半导体）栅等不同栅结构进行了比较分析，并探讨了器件的阈值电压控制、击穿电压提升、寄生效应抑制等关键技术。还介绍了氮化物肖特基二极管、PIN二极管等在整流、开关等应用中的特性。 在光电子器件方面，本卷详述了氮化物LED的结构，包括PN结、PIN结构、多量子阱（MQW）发光层、电子阻挡层、空穴注入层等关键部分的组成和功能。深入分析了LED的发光效率、颜色控制、亮度提升等问题，并介绍了提高LED性能的各种技术，如外延层掺杂优化、发光层结构设计、衬底选择、芯片封装等。对于氮化物激光二极管（LD），本卷重点介绍了其构成，包括增益媒质（如InGaN/GaN MQW）、光波导、反射镜（如布拉格反射镜）等，并详细讨论了LD的阈值电流、输出功率、光谱特性、稳定性以及阈值电压和光电转换效率的优化。 第三卷：制造工艺与可靠性 本卷深入探讨氮化物半导体器件的制造工艺流程、关键技术以及器件的可靠性评估与提升。 在制造工艺方面，本卷详细介绍了芯片制造中的关键步骤，包括外延生长后的衬底加工，如研磨、抛光；光刻技术，用于定义器件的电极、沟道等几何结构；刻蚀技术，包括干法刻蚀（如RIE、ICP）和湿法刻蚀，用于去除不需要的材料；薄膜沉积技术，用于制备栅介质、钝化层、电极材料等；以及金属化和互连工艺。重点讨论了如何实现高性能、高可靠性的器件制造，例如如何优化光刻精度以实现纳米尺度的栅结构，如何控制刻蚀参数以获得理想的器件轮廓，以及如何选择合适的金属材料和工艺来形成低阻抗、高稳定性的电极。 本卷还专门探讨了氮化物半导体器件的可靠性问题。这包括器件在长期工作过程中可能出现的性能衰减、失效模式，例如漏电增加、击穿电压下降、发光效率衰减等。详细分析了这些失效的物理机制，如空位缺陷的迁移、金属扩散、界面反应、应力引起的形变等。针对这些失效机制，本卷提出了相应的可靠性增强策略，例如优化外延生长条件以降低缺陷密度，改进栅介质和钝化层的材料与工艺以提高界面稳定性，优化器件结构以降低电场应力集中，以及采用合适的封装技术以保护器件免受环境影响。对器件的加速寿命试验、可靠性评估方法和标准也进行了介绍。 总体而言，本套丛书旨在为氮化物半导体领域的科学家、工程师和学生提供全面、深入的知识体系，涵盖从基础理论到器件应用，再到先进制造和可靠性分析的各个方面。

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

内容编排的逻辑性是我个人认为这套书最值得称道的地方。它不是简单地将各个研究领域的知识点堆砌在一起，而是构建了一个从基础物理到前沿器件应用的完整知识链条。比如，在谈到GaN材料的生长工艺时，作者们会非常细致地回顾早期的MOCVD技术瓶颈，然后逐步过渡到现代的氨气源分子束外延（AMBE）的精妙之处，每一步的理论推导都清晰可见，没有任何跳跃。这种层层递进的叙述方式，极大地降低了理解复杂物理现象的认知负荷。特别是对异质结界面电子态的分析部分，那些复杂的能带图和散射模型，被配以极富洞察力的文字解读，即便是初次接触该领域的学生，也能迅速抓住核心要义。整体阅读下来，感觉就像是跟随一位经验极其丰富的大师进行了一场系统而又深入的学术漫步。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计简直是一场视觉盛宴，那种深邃的蓝色调，配上银色的字体，立刻就给人一种专业、严谨的学术气息。我是在一个偶然的机会在图书馆里发现它的，当时我正在寻找一些关于新型半导体材料的深入研究资料，手边的几本书都显得有些浮于表面。当我翻开这套书的扉页时，那种厚重感和纸张的质感就让我对接下来的内容充满了期待。它不仅仅是一套工具书，更像是一件艺术品，放在书架上都显得熠熠生辉。初次接触时，我就被它宏大的体系所吸引，那种仿佛将整个氮化物半导体领域的知识脉络都梳理得井井有条的感觉，着实让人振奋。装帧上的用心程度，远超我预期的专业书籍标准，可见出版方在内容之外，也花费了大量心思去打磨实体的呈现效果。

评分☆☆☆☆☆

我尤其欣赏这套书在引用和交叉引用方面的细致处理。作为一本百科全书式的著作，它必然要面对信息爆炸的挑战，但编者们显然在这方面下了苦功。当你阅读到某个具体器件的性能优化策略时，你会发现作者会非常巧妙地将你引导回前面某个章节介绍的基础物理机制，或者提醒你查阅附录中的材料参数表。这种内部引用的网络构建得极其精密，使得读者在深入钻研某一个点时，不会轻易迷失在细节中，而是能时刻保持对整个领域的宏观把握。这种“牵一发而动全身”的编排哲学，让这本书真正成为了一个可供持续挖掘的知识宝库，而不是一次性读完就束之高阁的参考资料。它鼓励读者在阅读过程中不断地建立知识间的联系。

评分☆☆☆☆☆

对于我们这些长期在半导体领域摸爬滚打的工程师而言，阅读体验的流畅性也是一个重要的衡量标准。这本书的排版布局，充分考虑了长时间阅读的疲劳问题。字体选择适中，行间距和页边距的设置都非常科学，即便是连续数小时的深潜阅读，眼睛的酸涩感也比阅读那些排版过于紧凑的教材要轻得多。更值得一提的是，那些复杂的数学公式和电学模型，都以清晰、标准化的格式呈现，避免了由于排版错误或格式混乱导致的二次理解成本。这种对细节的极致追求，体现了编者对读者群体的深刻理解和尊重，让整个阅读过程变成了一种享受，而非负担。它真正做到了专业性和可读性的完美平衡。

评分☆☆☆☆☆

从实用的角度来看，这套书的工具价值几乎是无可替代的。在实际的研发工作中，我经常需要面对突发的材料缺陷分析或器件失效模式排查。以往，我可能需要翻阅十几篇顶级的期刊论文才能拼凑出一个全面的分析框架。然而，在这套书中，关于“缺陷工程”和“可靠性物理”的部分，直接提供了一套系统化的诊断流程图和可量化的评估指标。这些内容不是空泛的理论陈述，而是直接基于大量的实验数据和长期工业经验总结出来的“最佳实践”。特别是针对高温高压工作环境下，如何通过掺杂调控来稳定P-N结的长期性能的那一章，内容之详尽，我敢说，在市面上任何单行本中都难以找到与之媲美的深度和广度。

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆