Modern Crystallography II (Springer Series in Solid-State Sciences)

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出版者:Springer-Verlag
作者:B. K. Vainshtein
出品人:
頁數:0
译者:
出版時間:1982-06
價格:USD 87.00
裝幀:Hardcover
isbn號碼:9780387105178
叢書系列:
圖書標籤:
  • Crystallography
  • Solid-State Physics
  • Materials Science
  • X-ray Diffraction
  • Neutron Diffraction
  • Electron Diffraction
  • Crystal Structure
  • Phase Transitions
  • Diffraction Techniques
  • Materials Characterization
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具體描述

晶體生長:原理、過程與控製 本書深入探討瞭晶體生長的基本原理、多樣化的生長過程以及實現精確控製的方法。從基礎的熱力學和動力學齣發,本書詳細闡述瞭晶體形成的驅動力,包括過飽和度、過冷度和化學勢差等關鍵概念。讀者將瞭解不同晶體相之間的能量關係,以及它們如何在特定條件下穩定存在。 本書重點介紹瞭多種主要的晶體生長技術,並對其適用範圍、優缺點進行瞭細緻的分析。例如,溶液生長法,包括從水溶液、非水溶液和熔鹽中生長的原理,以及如何通過控製溫度、溶劑組成和添加劑來影響晶體形態和尺寸。對於熔體生長法,本書深入講解瞭直拉法(Czochralski method)、提拉法(Bridgman method)、區熔法(Zone melting)等經典技術,並探討瞭不同生長爐的設計、氣氛控製以及固液界麵的穩定性問題。蒸汽生長法,包括化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD),因其在薄膜製備和納米材料閤成中的重要性,也得到瞭詳盡的介紹,涉及前驅體選擇、反應動力學和基底相互作用等。 此外,本書還涵蓋瞭晶體生長過程中麵臨的挑戰和對應的解決方案。晶體缺陷,如點缺陷、位錯、晶界和夾雜物,對晶體材料的性能有著至關重要的影響。本書分析瞭這些缺陷的形成機製,並提齣瞭相應的抑製和消除策略,例如優化生長條件、選擇閤適的生長坩堝材料以及進行後處理退火等。晶體生長過程中的傳質傳熱問題也是不可忽視的一環。本書通過詳細的理論推導和數值模擬,揭示瞭溫度梯度、濃度分布和流體動力學對晶體生長速率、均勻性和界麵形態的影響,並提齣瞭優化傳質傳熱條件的具體方法,以實現高質量晶體的生長。 本書的另一重要亮點在於其對晶體生長過程的動力學研究。分子動力學模擬、濛特卡洛方法等先進的計算工具被引入,用於揭示原子尺度上晶體生長的微觀機製。讀者將瞭解原子在生長界麵上的附著、遷移和脫附過程,以及這些過程如何決定宏觀晶體結構的形成。同時,本書也探討瞭晶體生長中的相變動力學,包括固-液、固-氣以及固-固相變,並分析瞭這些相變對晶體質量的影響。 在晶體生長控製方麵,本書強調瞭精確調控生長環境的重要性。從溫度分布的均勻性、氣氛的純淨度,到機械振動的抑製,每一個細節都可能對最終晶體的質量産生深遠影響。本書提供瞭多種先進的監控和反饋控製技術,例如在綫光學測量、溫度傳感器陣列和激光乾涉儀,以實現對生長過程的實時監測和精確調控。對於特定應用領域,如半導體材料、光學晶體和壓電晶體的生長,本書還介紹瞭定製化的生長策略和工藝流程。 本書還關注瞭晶體生長過程中的界麵穩定性問題。固液界麵在生長過程中可能發生不穩定性,導緻生長齣具有缺陷的晶體。本書深入分析瞭各種界麵不穩定性,如裏特爾不穩定性(Lid-tail instability)和熱不穩定性(Thermal instability),並介紹瞭如何通過控製生長速率、溫度梯度和界麵能量來提高界麵穩定性。 總而言之,本書為讀者提供瞭一個全麵而深入的晶體生長理論和實踐框架。無論您是從事材料科學、凝聚態物理、化學還是工程領域的科研人員或學生,本書都將是您理解和掌握晶體生長技術的寶貴資源。通過學習本書,您將能夠更好地設計和實施晶體生長實驗,從而製備齣滿足特定需求的、高性能的晶體材料。

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