改性氧化矽基發光材料及其發光機理研究 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2024
发表于2024-09-06
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圖書描述
《改性氧化矽基發光材料及其發光機理研究》首先采用溶膠-凝膠法製備瞭未摻雜的納米SiO2，對不同溫度、氣氛下熱處理後材料的光緻發光性能進行瞭研究。實驗結果錶明，較低熱處理溫度下未摻雜納米SiO2中主要存在發光峰值位於344nm紫外發光，而經高溫下H2氣氛中熱處理的納米SiO2在385nm和400nm處存在強烈發光，並在長波方嚮存在一係列發光峰。在穩定溶膠一凝膠法製備納米SiO2的基礎上，通過化學摻雜手段製備Cu2+和ce3+離子摻雜的納米SiO2，分析瞭摻雜納米SiO2的光吸收和光緻發光性能。不同的Cu2+和Ce3+離子摻雜濃度可顯著改變344nm紫外發光峰的強度，較低的摻雜濃度可增強發光，較高的摻雜濃度則降低發光強度甚至産生發光淬滅。除瞭344nm發光外，Ce3+離子摻雜納米SiO2中還存在低溫熱處理條件下的355nm發光帶和高溫熱處理條件下的450nm寬帶發光，這兩個發光帶皆起源於處於不同微結構中的Ce3+離子的5d-4f電子躍遷。
SiO2具有良好的化學穩定性和熱穩定性，與矽半導體材料良好的界麵結閤，在催化劑載體、介質層材料以及矽基光電子材料等領域具有廣泛的應用。進一步研究光學性能，發現SiO2中存在著多種具有強紫外吸收及良好發光性能的光活性缺陷中心，這使得SiO2在光學領域具有良好的應用前景。通過陽離子摻雜及陰離子修飾可獲得具有良好發光性能的氧化矽基發光材料，對其發光機理的研究不僅具有重要的理論意義，而且具有重要的應用價值。
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