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出版者:

作者:張偉剛編

出品人:

頁數:353

译者:

出版時間:2008-4

價格:38.00元

裝幀:

isbn號碼:9787310028740

叢書系列:

圖書標籤:

光縴光學
光縴通信
光學原理
光縴技術
光電子學
物理學
通信工程
信息技術
激光
傳感器

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具體描述

《光縴光學原理及應用》以經典電磁場理論和近代光學為基礎，係統論述瞭光縴光學的基本原理、傳輸特性、設計方法、實現技術以及主要應用。具體內容包括：光縴光學的基本概念、重要參數、光學及物化特性；光波在均勻光縴和漸變光縴中傳輸的光綫理論和波動理論；單模光縴的性質及分析方法；典型的光縴無源和有源器件分析與設計：光縴技術在通信和傳感領域的應用；典型的特種光縴及其應用；光縴光柵基礎知識、基本理論以及典型應用；光縴特徵參數測量方法及應用；光縴非綫性效應理論及其典型應用等。

《光縴光學原理及應用》理論應用並重，體係有所創新，內容係統全麵，吸納最新成果(包括作者本人及閤作者的科研成果)，各章附小結、思考與習題；可作為高等學校光電子、激光、光學儀器、物理學、信息與通信技術等專業的研究生和本科生教材，也可作為從事光縴通信和光縴傳感技術的工程技術人員和其他相關專業人員的參考書。

《現代集成電路設計與製造工藝》內容概要：本書深入探討瞭現代集成電路（IC）的設計理念、前端（RTL/邏輯）設計流程、後端（物理實現）流程，以及先進的半導體製造工藝。它旨在為電子工程、微電子學、計算機工程等相關專業的學生、研究人員以及行業工程師提供一個全麵且實用的參考框架，涵蓋從概念到晶圓産齣的完整周期。第一部分：集成電路基礎與器件物理本書首先迴顧瞭半導體物理學的基本原理，重點關注MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的工作機製。詳細闡述瞭亞微米及納米尺度下晶體管的短溝道效應、漏電流機製、以及亞閾值傳導問題。隨後，引入瞭關鍵的器件模型，如BSIM模型，及其在電路仿真中的應用。討論瞭先進封裝技術對係統級性能的影響，包括芯片與封裝的協同設計（Co-design）。第二部分：數字電路設計與驗證在數字領域，本書遵循自頂嚮下（Top-Down）的設計方法。首先介紹瞭同步數字係統的設計基礎，包括時序約束的建立、時鍾樹綜閤（CTS）的原理與挑戰。重點剖析瞭標準單元庫（Standard Cell Library）的特性和選擇標準。深入講解瞭邏輯綜閤（Logic Synthesis）的過程，包括網錶（Netlist）的生成、優化算法（如技術映射、布綫優化）的應用。在驗證方麵，本書詳細介紹瞭靜態時序分析（STA），包括建立時間（Setup Time）和保持時間（Hold Time）的裕量計算、常見時序違例的排查與修正方法，如緩衝器插入、邏輯重定時。同時，也涵蓋瞭形式驗證（Formal Verification）的基本概念及其在確保設計正確性中的作用。第三部分：模擬與混閤信號電路設計針對對精度和功耗敏感的應用，本書闡述瞭模擬集成電路（Analog IC）的設計挑戰。詳細介紹瞭關鍵的模擬模塊設計，包括： 1. 運算放大器（Op-Amp）設計：討論瞭不同拓撲結構（如摺疊共源共柵、摺疊輸入級）的優缺點，增益、帶寬、相位裕度、噪聲的權衡。 2. 數據轉換器（ADC/DAC）：深入分析瞭SAR、Sigma-Delta、流水綫ADC的架構、綫性度（INL/DNL）的量化與校準技術。 3. 鎖相環（PLL）與延遲鎖定環（DLL）：介紹瞭頻率閤成器中環路濾波器設計、壓控振蕩器（VCO）的相位噪聲抑製技術。混閤信號集成中，噪聲耦閤和串擾是核心問題。書中提供瞭隔離技術、地綫設計（Grounding Techniques）和電源完整性（PI）的實踐指南。第四部分：後端物理實現與流片後端設計是將邏輯設計轉化為實際物理版圖的關鍵步驟。本書係統地介紹瞭物理實現流程： 1. 布局規劃（Floorplanning）：涉及宏單元（Macro）的放置、電源網絡（Power Grid）的設計、I/O端口的規劃，以最小化信號延遲和功耗。 2. 電源與時鍾網絡設計：重點討論瞭IR Drop（電壓降）分析、電遷移（Electromigration）的預防措施。時鍾樹的均衡與去偏斜（Skew Reduction）是保證時序收斂的核心。 3. 布綫（Routing）：分析瞭全局布綫與詳細布綫的策略，探討瞭多層金屬布綫的優化技術，以應對日益復雜的互連延遲。 4. 版圖驗證（Layout Verification）：詳細解釋瞭設計規則檢查（DRC）、版圖與原理圖一緻性檢查（LVS）、寄生參數提取（PEX）的重要性及其在流片前的質量保證作用。第五部分：半導體製造工藝基礎為理解設計與製造之間的映射關係，本書引入瞭半導體製造流程的概述。涵蓋瞭晶圓準備、氧化、光刻（Lithography）——特彆是極紫外光刻（EUV）對特徵尺寸的突破，以及薄膜沉積與刻蝕技術（乾法與濕法）。討論瞭先進節點（如7nm及以下）中關鍵的技術挑戰，如應力矽的應用、FinFET與GAA結構對器件性能的提升，以及良率（Yield）管理的基礎知識。目標讀者：本書內容深度適中，既適閤高等院校高年級本科生和研究生作為教材或參考書，也適閤在職工程師用於係統性地更新和鞏固在CMOS集成電路設計、驗證、後端實現及半導體製造工藝方麵的知識體係。它強調理論與工業實踐的結閤，旨在培養能夠獨立應對復雜IC設計挑戰的專業人纔。