具体描述
《微电路国家标准汇编:集成电路卷(上下)》在使用时读者应注意以下两点：1.收入标准的出版年代不尽相同，对于其中的量和单位不统一之处及各标准格式不一致之处未做改动。2.本汇编收集的国家标准的属性已在本目录上标明（GB或GB/T），标准年号用四位数字表示。鉴于部分标准是在整理整顿前出版的，现尚未修订，做正文部分保留原样。
为便于广大读者查阅和使用微电路国家标准，我社编辑出版《微电路国家标准汇编》，汇编收入截至2007年底前发布实施的国家标准，分两卷出版。本汇编为《微电路国家标准汇编 集成电路卷（上册）》，共收集有关国家标准17项。
精选电子工程与微电子技术专业参考书目导读 本导读旨在为电子工程、微电子技术、半导体物理等相关领域的学习者、研究人员及工程技术人员推荐一批与《微电路国家标准汇编——集成电路卷（上下册）》主题领域紧密相关，但内容上各有侧重和拓展的权威性参考资料。这些书籍涵盖了从基础理论、器件物理到先进工艺、系统设计以及特定应用标准解读等多个维度，能有效补充和深化对集成电路领域的理解。 --- 1. 集成电路设计与工艺基础（理论深化与实践指导） 1.1. 《半导体器件物理导论》（Semiconductor Device Physics: An Introduction） 内容侧重： 本书是理解所有集成电路（IC）技术基石——半导体器件工作原理的权威教材。它深入剖析了PN结、双极型晶体管（BJT）以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的能带理论、载流子输运机制、直流与交流特性。重点在于建立从材料特性到宏观电学行为的严谨物理模型。 与标准汇编的区别： 标准汇编主要提供“应然”的规范和要求，而本书聚焦于“所以然”的物理机理。它解释了为什么特定的工艺参数（如栅氧厚度、掺杂浓度）会影响器件的性能极限，是设计者理解和优化电路性能的基础，而非直接的规范引用。它涵盖了更宽泛的物理现象，如击穿机制、热效应和亚微米效应的物理建模。 1.2. 《CMOS集成电路设计》（CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective） 内容侧重： 这本书是超大规模集成电路（VLSI）设计领域的经典之作。它系统地介绍了使用CMOS技术实现数字和模拟电路的完整流程，包括：晶体管级的基本逻辑门设计、时序分析、功耗优化、版图设计规则（不同于国家标准对最终产品或测试的规定）、模拟电路模块（如运放、PLL）的构建，以及系统级的互连延迟分析。 与标准汇编的区别： 标准汇编关注的是合规性、接口和测试要求。而该书是关于如何创造性地设计出满足这些规范的电路。它教授设计方法论（如设计流程、设计复杂度管理），侧重于设计权衡（速度-功耗-面积），而非直接引用国家标准中的几何尺寸或性能测试流程。 --- 2. 先进制造工艺与可靠性工程（材料与过程控制） 2.1. 《集成电路制造技术》（Integrated Circuit Fabrication Technology） 内容侧重： 专注于集成电路制造流程的每一个关键步骤的深度解析，包括但不限于：光刻技术（UV、EUV）、干法和湿法刻蚀、薄膜沉积（CVD, PVD, ALD）、离子注入与掺杂、以及先进的金属互连技术（如大马士革工艺）。书中详细描述了不同工艺步骤的化学反应、物理过程控制以及对晶圆性能的影响。 与标准汇编的区别： 标准汇编可能会规定最终产品或特定批次的可接受的缺陷密度或性能指标。而本书是关于如何实现这些指标所需的工艺控制细节。它提供了关于设备操作原理、工艺窗口分析以及良率提升策略的工程知识，是工艺工程师的案头必备，远超标准文本所能覆盖的工艺细节深度。 2.2. 《微电子器件可靠性工程》（Microelectronics Device Reliability Engineering） 内容侧重： 本书聚焦于确保集成电路在预期寿命内稳定运行的关键科学和工程方法。核心内容包括：电子迁移（EM）、热氧化物击穿（TDDB）、静电放电（ESD）防护机制的物理分析、温度依赖性故障模型、以及加速寿命试验（ALT）的设计与数据分析。它强调了如何通过设计和制造过程来预测和缓解长期失效机制。 与标准汇编的区别： 标准汇编可能包含针对可靠性寿命的判定标准或最低要求（例如，MTBF的计算公式引用）。可靠性工程书籍则提供了构建和验证这些标准的底层物理模型、失效物理机制的深入研究以及应对这些机制的工程对策，是深入理解标准背后“为什么”必须达到该可靠性水平的知识体系。 --- 3. 专用电路与系统级应用（功能实现与接口规范） 3.1. 《高速通信电路设计》（High-Speed Communication Circuit Design） 内容侧重： 针对现代通信系统（如光纤、高速SerDes、RF收发机）中对速度和信号完整性提出的严苛要求，本书详细探讨了相关电路模块的设计技术。包括锁相环（PLL）、延迟锁定环（DLL）、高速模数/数模转换器（ADC/DAC）、时钟数据恢复（CDR）电路的架构选择、噪声抑制、以及宽带匹配技术。 与标准汇编的区别： 标准汇编可能包含对特定通信接口（如PCIe, USB, Ethernet）的电气特性和协议层级的外部规范。本书则专注于实现这些外部规范所需的内部电路结构和设计技巧，特别是处理高频信号失真、串扰和阻抗匹配等物理层面的挑战。 3.2. 《嵌入式系统中的固件与硬件协同设计》（Firmware-Hardware Co-Design for Embedded Systems） 内容侧重： 随着系统级芯片（SoC）的普及，硬件与软件的紧密集成变得至关重要。本书探讨了如何从系统角度出发，对处理器架构（如RISC-V或ARM核）、片上总线（AXI/AHB）、内存层次结构（Cache一致性）、中断管理以及硬件加速器的协同设计。它强调了固件对硬件资源的管理和优化。 与标准汇编的区别： 标准汇编主要关注物理层、电气性能和互操作性（例如芯片的引脚定义或I/O电平）。该书则关注的是系统运行的逻辑和效率，涉及软件对芯片资源（如寄存器、中断向量）的访问机制和优化，是系统集成层面的参考资料。 --- 4. 封装与系统级互连（后道工艺与系统集成） 4.1. 《先进封装技术与3D集成》（Advanced Packaging Technologies and 3D Integration） 内容侧重： 鉴于摩尔定律放缓，先进封装（如Fan-Out Wafer Level Packaging, 2.5D/3D IC）已成为提升系统性能的关键路径。本书详细介绍了芯片堆叠技术（TSV, Micro-bumping）、中介层（Interposer）的制作、热管理挑战、以及系统级热/机械应力分析。它关注的是芯片如何通过先进的封装技术连接到封装体和PCB上。 与标准汇编的区别： 标准汇编可能规定了芯片裸片（Die）的尺寸或测试点要求。本书则深入探讨了芯片封装后的三维互连架构和热耗散方案。它解释了如何在封装层面实现更高的I/O密度和更短的互连延迟，这是对标准中对封装引脚数量或间距要求的物理实现层面的拓展。 --- 总结 以上推荐的书籍，共同构成了一个从基础物理到先进设计，再到制造工艺和系统集成的完整知识图谱。它们提供了深入理解集成电路工程所需的理论基础、设计方法论和前沿技术趋势。相比于《微电路国家标准汇编》所提供的合规性、界限和规范，这些书籍更侧重于实现这些规范所需的底层知识、创造性解决方案和未来技术发展方向。阅读这些资料，能够使专业人员不仅知晓“需要做什么”，更能理解“为什么这样做”以及“如何做得更好”。
作者简介
目录信息
读后感
评分
评分
评分
评分
评分
用户评价
评分
评分
评分
评分
评分
相关图书
本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息，本站不存储任何数据与内容，任何内容与数据均与本站无关，如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度，google,bing,sogou 等
© 2026 qciss.net All Rights Reserved. 小哈图书下载中心 版权所有