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出版者:John Wiley & Sons Inc

作者:Brown, William D. (EDT)/ Brewer, J. E. (EDT)

出品人:

頁數:590

译者:

出版時間:1997-10

價格:1567.00 元

裝幀:HRD

isbn號碼:9780780311732

叢書系列:

圖書標籤:

Nonvolatile Memory
Semiconductor Memory
Memory Technology
Flash Memory
Phase-Change Memory
ReRAM
MRAM
Emerging Memories
Memory Devices
Data Storage

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具體描述

"Complete dependence on semiconductor vendors' application notes and data sheets is now a thing of the past thanks to this all-in-one comparison text on nonvolatile semiconductor memory (NVSM) technology. Working electronics engineers can now refer to this book to access the technical data and applications-focused perspective they need to make intelligent decisions regarding the selection, specification, procurement, and application of NVSM devices.

* Sponsored by:

IEEE Components, Packaging, and Manufacturing Technology Society, IEEE Solid-State Circuits Council/Society.

該書“Nonvolatile Semiconductor Memory Technology”聚焦於現代半導體領域中不可逆信息存儲技術的發展，深入探討瞭傳統非易失性記憶方式的原理與應用。書中詳細解析瞭多種非易失性存儲介質，包括閃存、動態隨機存取存儲器（DRAM）及其他高性能存儲方案，為讀者提供全麵而係統的知識框架。這些內容不僅涵蓋瞭材料科學與工藝技術，還深入分析瞭信息存儲的效率與可靠性，幫助專業人士更好地理解當前市場中最先進的非易失性存儲解決方案。書籍結構嚴謹，從基礎概念到最新研究進展逐步推進，內容豐富且邏輯清晰。作者詳細闡述瞭非易失性技術在數據安全、雲計算、大規模數據處理等領域的重要作用，同時對未來趨勢進行瞭預測性的探討。這部分章節尤其強調瞭如何通過優化材料配方和製造工藝，提升存儲器的耐用性與能效。此外，該書還重點介紹瞭各類非易失性技術在不同應用場景中的差異與適用性。例如，書中詳細分析瞭固態存儲設備、內存芯片以及閃存技術的性能特點及其實際使用案例。這些內容不僅有助於讀者理解技術背景，也為工程師和研究人員提供瞭寶貴的參考資料。書中還注重理論與實踐的結閤，係統介紹瞭多種非易失性記憶機製，並通過實驗數據與真實案例加以驗證。這使得讀者能夠更直觀地把握技術細節，掌握當前行業標準和最佳實踐。同時，書中對相關法律法規、市場動態及經濟效益的分析，也為讀者提供瞭全麵的行業視角，有助於理解該領域的發展方嚮與未來潛力。總體而言，本書不僅是一部技術性強的學術著作，更是一個係統性解析非易失性記憶技術全生命周期的重要參考，適閤對半導體、信息存儲以及相關工程深度關注的讀者。通過詳盡的論述與案例分析，該書將為讀者打開一個理解前沿技術的大門，並提升其專業素養。書中內容涵蓋瞭從理論基礎到應用實例，語言清晰簡潔，適閤不同層次的讀者深入閱讀。這種詳盡且結構化的呈現方式，使得每一章都充滿價值，無論是技術專傢還是新進入領域的學者，都能從中獲取有意義的信息。整體來說，這本書以其全麵性和專業性，值得多次閱讀與參考，為讀者提供瞭深入學習與思考的重要平颱。