Fault-Tolerance Techniques for SRAM-Based FPGAs

Fault-Tolerance Techniques for SRAM-Based FPGAs pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:Springer Verlag
作者:Kastensmidt, Fernanda Lima/ Carro, Luigi/ Reis, Ricardo
出品人:
页数:200
译者:
出版时间:2006-6
价格:$ 224.87
装帧:HRD
isbn号码:9780387310688
丛书系列:
图书标签:
  • FPGA
  • SRAM
  • Fault Tolerance
  • Reliability
  • Error Correction
  • Hardware Design
  • Digital Systems
  • Reconfigurable Computing
  • VLSI
  • Embedded Systems
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具体描述

This book reviews fault-tolerance techniques for SRAM-based Field Programmable Gate Arrays (FPGAs), outlining many methods for designing fault tolerance systems. Some of these are based on new fault-tolerant architecture, and others on protecting the high-level hardware description before synthesis in the FPGA. The text helps the reader choose the best techniques project-by-project, and to compare fault tolerant techniques for programmable logic applications.

好的,这是一份针对您所提及书名之外的、关于电子设计自动化(EDA)领域中一个重要分支的详细图书简介草稿,重点关注高级数字集成电路设计中的可靠性与性能优化。 --- 图书名称:面向极大规模集成电路的鲁棒性设计与先进工艺节点应用 图书简介 在当前微电子技术迈入纳米尺度和异构集成的新纪元,集成电路(IC)设计的复杂性、功耗密度以及对系统可靠性提出的挑战达到了前所未有的高度。本书聚焦于集成电路设计流程中的核心瓶颈,特别是在后摩尔时代背景下,如何通过创新的架构设计、先进的电路技术以及精细化的设计收敛方法,确保SoC/ASIC/FPGA等大规模系统的功能正确性、性能指标和长期运行的鲁棒性。 本书并非仅仅停留在基础的晶体管或标准单元层面,而是深入探讨了在28纳米及以下先进工艺节点上面临的系统级挑战,尤其是那些直接影响产品上市时间和可靠性寿命的关键领域。我们力求为资深电路工程师、系统架构师和从事IC设计验证的研究人员提供一套系统的、可操作的理论框架和设计范例。 第一部分:先进工艺节点的系统级挑战与建模 本部分首先建立对当前半导体制造前沿的深刻理解,强调工艺进步带来的非理想效应如何从物理层面向上层设计传递。 第一章:从FinFET到GAA:新器件结构对设计流程的影响 深入分析了从平面CMOS到FinFET,再到Gate-All-Around (GAA) 晶体管的演进。重点讨论了这些结构在次阈值泄漏、电容耦合、以及变异性(Variability)上的根本性差异。我们将探讨如何修正传统的寄生参数模型(如RC模型)以适应更陡峭的亚阈值摆幅和更密集的晶体管布局,以及这些变化对时序分析(Timing Analysis)的影响。 第二章:工艺角(PVT Variation)与设计裕度管理 工艺、电压和温度(PVT)是现代数字设计的核心不确定性来源。本章将详述如何量化和建模工艺角对关键性能指标(如最大频率、功耗和静态泄漏)的影响。我们将介绍先进的统计方法(如SRAM的BIT/MWC分析的扩展)来预测和补偿最坏情况下的性能衰减,并对比蒙特卡洛仿真与基于角(Corner-based)仿真的局限性与适用场景。 第三章:信号完整性与电磁兼容性(EMC)的系统级考量 在高密度互连和高速信号传输的背景下,信号完整性(SI)不再是简单的反射问题。本章侧重于片上网络(NoC)和高带宽I/O接口中的串扰、串扰反馈(Crosstalk Feedback)以及地弹(Ground Bounce)效应。我们将介绍先进的平面电磁场求解器在设计早期介入的必要性,以及如何通过优化电源分配网络(PDN)的去耦电容布局来抑制电压波动。 第二部分:高性能与低功耗的架构级创新 本部分将设计范式从纯粹的电路优化提升到架构层面,探讨如何通过智能的资源分配和数据流控制实现性能与功耗的平衡。 第四章:动态电压与频率调节(DVFS)的精确控制与实现 DVFS是实现能效比最大化的关键技术,但其控制环路的延迟和精度至关重要。本章详细分析了DVFS的反馈和前馈控制机制,包括如何将软件层面的功耗需求准确映射到硬件电压域的设置。我们将讨论多核/多域设计中,跨域电源门的切换时序与可靠性问题。 第五章:数据流驱动的计算卸载与加速器设计 随着通用CPU性能的增长放缓,专用加速器(如AI/ML推理引擎、视频编解码器)成为主流。本章侧重于如何设计高度并行、数据驱动的加速器架构。重点阐述数据依赖分析、流水线级数优化以及如何利用片上存储器层次结构(Scratchpad Memory vs. Cache)来最小化数据搬运带来的能耗开销。 第六章:先进存储器访问优化与非易失性存储器的集成 存储器访问往往占据了芯片总能耗的40%以上。本章探索了多种优化策略,包括位线优化、数据压缩编码以及局部性预测机制。此外,我们还将深入讨论新兴的非易失性存储器(如MRAM, ReRAM)在系统启动、数据保持和高可靠性存储区域中的应用架构与接口设计挑战。 第三部分:设计收敛与验证的自动化策略 本部分关注的是如何在高层次抽象上保证设计的正确性,并将设计规格快速、可靠地转化为可制造的版图。 第七章:形式化验证在复杂控制逻辑中的应用 对于关键的安全性和正确性要求极高的模块(如总线仲裁器、状态机),传统的随机测试往往效率低下。本章介绍如何运用形式化方法(如模型检验、等价性检查)来穷尽性地验证复杂控制逻辑的属性,并结合自动推理引擎来处理大规模状态空间。 第八章:布局规划与布线约束的协同设计 在先进节点,物理设计不再是电路设计的下游任务,而是贯穿始终的协同过程。本章讨论了如何利用高层次综合(HLS)工具的输出,指导物理实现阶段的布局规划(Placement)。我们将分析在布线拥塞、时钟树综合(CTS)阶段对关键路径的约束管理,确保在最终的物理实现中仍能满足严格的信号完整性和时序要求。 第九章:设计可制造性(DFM)与良率提升的电路级解决方案 良率是衡量制造成功率的关键指标。本章从电路角度探讨如何设计来抵御制造缺陷。内容包括光刻热点(Hotspot)的识别与缓解、设计规则检查(DRC)的收敛、以及如何利用冗余技术(如错误检测与纠正码的应用)来补偿制造过程中的随机缺陷,从而提高整体芯片的最终良率。 总结 本书旨在为读者提供一个从器件物理特性到系统架构优化的全景视角,帮助设计者在当前技术限制下,驾驭日益增长的复杂性,设计出具有领先性能和卓越鲁棒性的下一代集成电路产品。本书的深度和广度,使其成为从事尖端IC设计领域专业人员的必备参考手册。

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