第1章 半導體産業介紹
目標
1.1 引言
1.2 産業的發展
1.3 電路集成
1.4 集成電路製造
1.5 半導體趨勢
1.6 電子時代
1.7 在半導體製造業中的職業
1.8 小結
第2章 半導體材料特性
目標
2.1 引言
2.2 原子結構
2.3 周期錶
2.4 材料分類
2.5 矽
2.6 可選擇的半導體材料
2.7 小結
第3章 器件技術
目標
3.1 引言
3.2 電路類型
3.3 無源元件結構
3.4 有源元件結構
3.5 CMOS器件的閂鎖效應
3.6 集成電路産品
3.7 小結
第4章 矽和矽片製備
目標
4.1 引言
4.2 半導體級矽
4.3 晶體結構
4.4 晶嚮
4.5 單晶矽生長
4.6 矽中的晶體缺陷
4.7 矽片製備
4.8 質量測量
4.9 外延層
4.10 小結
第5章 半導體製造中的化學品
目標
5.1 引言
5.2 物質形態
5.3 材料的屬性
5.4 工藝用化學品
5.5 小結
第6章 矽片製造中的沾汙控製
目標
6.1 引言
6.2 沾汙的類型
6.3 沾汙的源與控製
6.4 矽片濕法清洗
6.5 小結
第7章 測量學和缺陷檢查
目標
7.1 引言
7.2 集成電路測量學
7.3 質量測量
7.4 分析設備
7.5 小結
第8章 工藝腔內的氣體控製
目標
8.1 引言
8.2 真空
8.3 真空泵
8.4 工藝腔內的氣流
8.5 殘氣分析器
8.6 等離子體
8.7 工藝腔的沾汙
8.8 小結
第9章 集成電路製造工藝概況
目標
9.1 引言
9.2 CMOS工藝流程
9.3 CMOS製作步驟
9.4 小結
第10章 氧化
目標
10.1 引言
10.2 氧化膜
10.3 熱氧化生長
10.4 高溫爐設備
10.5 臥式與立式爐
10.6 氧化工藝
10.7 質量測量
10.8 氧化檢查及故障排除
10.9 小結
第11章 澱積
目標
11.1 引言
11.2 膜澱積
11.3 化學氣相澱積
11.4 CVD澱積係統
11.5 介質及其性能
11.6 鏇塗絕緣介質
11.7 外延
11.8 CVD質量測量
11.9 CVD檢查及故障排除
11.10 小結
第12章 金屬化
目標
12.1 引言
12.2 金屬類型
12.3 金屬澱積係統
12.4 金屬化方案
12.5 金屬化質量測量
12.6 金屬化檢查及故障排除
12.7 小結
第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘
目標
13.1 引言
13.2 光刻工藝
13.3 光刻工藝的8個基本步驟
13.4 氣相成底膜處理
13.5 鏇轉塗膠
13.6 軟烘
13.7 光刻膠質量測量
13.8 光刻膠檢查及故障排除
13.9 小結
第14章 光刻：對準和曝光
目標
14.1 引言
14.2 光學光刻
14.3 光刻設備
14.4 混閤和匹配
14.5 對準和曝光質量測量
14.6 對準和曝光檢查及故障排除
14.7 小結
第15章 光刻：光刻膠顯影和先進的光刻技術
目標
15.1 引言
15.2 曝光後烘焙
15.3 顯影
15.4 堅膜
15.5 顯影檢查
15.6 先進的光刻技術
15.7 顯影質量測量
15.8 顯影檢查及故障排除
15.9 小結
第16章 刻蝕
目標
16.1 引言
16.2 刻蝕參數
16.3 乾法刻蝕
16.4 等離子體刻蝕反應器
16.5 乾法刻蝕的應用
16.6 濕法腐蝕
16.7 刻蝕技術的發展曆程
16.8 去除光刻膠
16.9 刻蝕檢查
16.10 刻蝕質量測量
16.11 乾法刻蝕檢查及故障排除
16.12 小結
第17章 離子注入
目標
17.1 引言
17.2 擴散
17.3 離子注入
17.4 離子注入機
17.5 離子注入在工藝集成中的發展趨勢
17.6 離子注入質量測量
17.7 離子注入檢查及故障排除
17.8 小結
第18章 化學機械平坦化
目標
18.1 引言
18.2 傳統的平坦化技術
18.3 化學機械平坦化
18.4 CMP應用
18.5 CMP質量測量
18.6 CMP檢查及故障排除
18.7 小結
第19章 矽片測試
目標
19.1 引言
19.2 矽片測試
19.3 測試質量測量
19.4 測試檢查及故障排除
19.5 小結
第20章 裝配與封裝
目標
20.1 引言
20.2 傳統裝配
20.3 傳統封裝
20.4 先進的裝配與封裝
20.5 封裝與裝配質量測量
20.6 集成電路封裝檢查及故障排除
20.7 小結
附錄A 化學品及安全性
附錄B 淨化間的沾汙控製
附錄C 單位
附錄D 作為氧化層厚度函數的顔色
附錄E 光刻膠化學的概要
附錄F 刻蝕化學
· · · · · · (收起)