具体描述
本书从工程应用的角度，浓缩半导体物理、半导体材料和半导体器件的基本内容，介绍半导体及其器件的基本原理，介绍各种主要半导体材料的基本特性、制备方法及其应用，特别注意反映半导体科学与技术发展前沿的动态及最新成果。主要内容包括：半导体物理与器件概论，半导体材料概论，半导体材料的制备方法，半导体杂质工程与能带工程，宽禁带半导体，以及半导体照明等。
本书可作为普通高等院校本科电子科学与技术专业和微电子学专业“半导体材料”课程和材料科学与工程学科研究生“半导体概论”课程以及相关领域工程硕士课程的教科书，也可作为相关学科研究生“光电子技术”等课程的教学参考书或补充教材，更可供在半导体器件与微电子技术领域、材料科学与工程领域、微机电领域以及应用物理等领域从事研究和开发工作的研究人员和工程技术人员参考。
《半导体概论》是一本旨在系统性介绍半导体技术及其应用的重要书籍，其核心目标是帮助读者全面理解这一领域的基础知识和最新发展脉络。在这本书中，内容涵盖了从半导体材料的基本原理到现代制造工艺的详细探讨。读者将学习关于晶体结构、载流子行为及其对器件性能影响的理论知识，同时还能深入了解各类半导体材料，包括硅基材料、新型材料如GaAs和GaN等的特性与应用。 书中不仅注重基础科学知识的讲解，还引入了大量实际工程案例，让读者能够将理论联系到实际项目中。通过系统化的章节安排，学习者可以逐步掌握半导体器件的工作原理、制造流程及其在电子产业中的重要性。此外，本书还详细介绍了半导体技术的发展历程，从早期的晶体管至今的纳米级芯片，帮助读者清晰地看到该领域技术演进的脉络及未来趋势。 书中强调的是理论与实践相结合的思想，许多章节还包含了典型应用实例，如集成电路设计、功率电子器件和光电子器件等，为读者提供了全面而深入的学习内容。整个结构设计注重逻辑性和层次感，通过逐步提升理解能力，使读者能够从基础到高级，从概念到应用不间断地迈进。这本书特别适合希望系统化学习半导体技术的人，涵盖了大量技术细节与实际操作方法，为专业人士或初学者提供坚实的知识支持。 总体而言，《半导体概论》不仅是一本介绍性读物，更是一个系统性的学习工具，通过丰富的内容和清晰的讲解帮助读者建立对半导体技术深刻的认知。无论是大学课程教材还是自学资料，这本书都将成为您理解这一重要领域不可或缺的参考文献。在探索前往更高层次知识的过程中，读者会发现每一页都蕴含着宝贵的信息和实际应用价值。这本书的设计体现了对技术细节的关注以及对读者成长的重视，使其成为半导体领域学习的重要参考。
作者简介
目录信息
半导体科技发展史概要(代序)参考文献第1章 半导体物理概论 1.1 半导体中电子的能量状态 1.1.1 能带理论 1.1.2 半导体的能带结构 1.1.3 半导体中的载流子 1.1.4 载流子的有效质量 1.2 半导体的导电性 1.2.1 载流子的漂移运动和半导体的电导率 1.2.2 半导体中的载流子统计 1.2.3 散射与载流予的迁移率 1.2.4 半导体电阻率的温度特性 1.3 半导体中的额外载流予 1.3.1 额外载流子的产生与复合 1.3.2 额外载流子的运动 1.4 半导体应用基础 1.4.1 半导体器件的基本结构 1.4.2 半导体pn结原理 1.4.3 金属－半导体接触原理 1.4.4 MOS栅原理 1.4.5 半导体光电子学原理 参考文献第2章 半导体材料概述 2.1 半导体材料的晶体结构与分类 2.1.1 元素的电负性与原子的结合 2.1.2 共价结合与正四面体结构 2.1.3 半导体的晶体结构 2.1.4 化合物半导体的极性 2.2 元素半导体 2.2.1 硒(Se) 2.2.2 三种具有半导体特征的结晶碳 2.2.3 灰锡(a-Sn) 2.2.4 锗(Ge) 2.2.5 硅(Si) 2.2.6 其他元素半导体 2.3 化合物半导体 2.3.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物 2.3.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物 2.3.3 氧化物半导体 2.3.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物 2.3.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物 2.3.6 其他化合物半导体 2.3.7 半导体固溶体 2.4 有机半导体 2.5 非晶半导体 2.5.1 非晶体结构与制备原理 2.5.2 非晶半导体的电子态 2.5.3 非晶半导体的输运性质 2.5.4 非晶半导体的光学性质 2.5.5 非晶半导体种类及其应用 2.6 精细结构半导体 2.6.1 微晶和纳米晶 2.6.2 半导体超品格 2.7 磁性及超导半导体 参考文献第3章 半导体材料制备概述 3.1 半导体材料制备的理论基础 3.1.1 相图 3.1.2 区熔提纯原理 3.1.3 晶体生长原理 3.2 晶体生长技术 3.2.1 布里奇曼法(BIidgman) 3.2.2 直拉法(czochralski，简称cz) 3.2.3 区熔法(Floating Zone，简称FZ) 3.2.4 升华法 3.3 半导体薄膜的生长与淀积 3.3.1 外延生长 3.3.2 半导体薄膜的其他制备方法 参考文献第4章 杂质工程和能带工程 4.1 常规掺杂 4.1.1 扩散掺杂 4.1.2 离子注入 4.1.3 掺杂的有效性 4.1.4 自补偿效应 4.1.5 少子寿命控制 4.2 嬗变掺杂 4.2.1 嬗变掺杂原理 4.2.2 硅的嬗变掺杂 4.2.3 NTD硅的电学特性 4.3 磁场改善生长晶体的纯度与均匀性 4.3.1 MCZ原理 4.3.2 MCZ工艺 4.4 半导体固溶体 4.4.1 固溶体的基本特征 4.4.2 禁带展宽与跃迁类型转变 4.4.3 固溶体从半金属到半导体的转变 4.4.4 硅锗固溶体及其应用 4.5 量子阱效应与半导体超晶格 4.5.1 量子阱和超晶格的组成与结构 4.5.2 量子阱中的电子状态 4.5.3 量子阱效应与超晶格效应 4.5.4 量子阱和超晶格的器件应用 参考文献第5章 宽禁带半导体 5.1 宽禁带半导体材料的特征优势 5.1.1 半导体器件的材料优选因子 5.1.2 宽禁带半导体的特征优势 5.2 碳化硅 5.2.1 碳化硅的基本性质 5.2.2 碳化硅晶体制备 5.3 其他宽禁带半导体 5.3.1 Ⅲ-N化合物及其固溶体 5.3.2 半导体金刚石 参考文献第6章 半导体照明 6.1 有关照明的几个物理概念 6.1.1 视觉 6.1.2 光度学参数 6.1.3 色度学概念 6.1.4 显色性概念 6.2 高亮度LED原理 6.2.1 LED原理 6.2.2 LED的发光效率 6.2.3 高效LED的结构 6.3 高亮度LED的材料 6.3.1 基本条件 6.3.2 AlGaAs材料系 6.3.3 AtGaInP材料系 6.3.4 AlGaInN材料系 6.4 高亮度LED的特性 6.4.1 伏安特性 6.4.2 光谱特性 6.4.3 输出特性 6.5 白光LED 6.5.1 白光LED原理 6.5.2 白光LED的性能及其优化参考文献
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读后感
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国内的教材，哎
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