具体描述
本书共分为三部分15章，以低压电器及其控制与PLC的基本原理、种类、结构、特性为基础，以其应用为目的，以美国罗克韦尔(Rock—well)自动化公司的硬件产品与软件产品为主线，以其A．B品牌的PLC为重点。第一部分(前3章)介绍了低压配电电器、低压控制电器和智能电器以及基于继电器和接触器的电气控制系统的设计；第二部分(第4～11章)以罗克韦尔自动化公司的PLC为例，介绍了PLC的原理、结构、指令系统、编程软件、通信工具软件与监控组态软件及其应用；第三部分(第12～14章)阐述了通信网络基础和具体应用于罗克韦尔自动化公司PLC中的通信网络及通信组态软件；第15章给出了PLC系统设计方法与应用实例。
本书可作为电气工程领域工程技术人员设计、开发、应用电器与PLC控制系统的参考书或培训教材；亦可作为高等院校电气工程及其自动化专业和机电一体化等相关专业的高年级本科生或研究生的教材或参考书。
《现代集成电路设计与制造技术》 图书简介 第一部分：绪论与基础理论 本书旨在系统阐述现代集成电路（IC）从概念设计到实际制造的全流程技术，尤其侧重于当前半导体行业前沿的技术突破与工程实践。全书结构严谨，内容涵盖了集成电路设计与制造的理论基石、关键工艺流程以及新兴技术应用，适合作为电子工程、微电子学、材料科学等相关专业本科生及研究生的教材，同时也是一线工程师和技术研发人员深入了解和掌握IC领域核心技术的参考手册。 第一章：集成电路基础与发展历程 本章首先追溯了半导体技术从真空管到大规模集成电路（LSI）的发展脉络，重点剖析了摩尔定律的驱动力及其在现代IC发展中的指导意义。随后，详细介绍了半导体材料的物理特性，特别是硅（Si）和硅锗（SiGe）等主流衬底材料的晶体结构、能带理论及其对器件性能的影响。核心内容包括PN结的形成原理、二极管和晶体管（如BJT和MOSFET）的基本工作模型，并引入了器件参数的寄生效应分析，为后续的电路设计打下坚实的物理基础。 第二章：超大规模集成电路（VLSI）器件物理 本章深入探讨了CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的物理机理。详细分析了NMOS和PMOS晶体管的阈值电压（$V_{th}$）控制技术，如源/漏掺杂浓度、栅氧化层厚度对开关特性的影响。关键内容包括短沟道效应（SCE）、DIBL（漏致势垒降低）等先进晶体管面临的挑战，以及高K/金属栅（HKMG）技术在FinFET结构中如何实现对栅极电场更优异的控制。本章还对功率器件的击穿机制和可靠性问题进行了初步的探讨。 第二部分：集成电路设计技术 第三章：模拟集成电路设计 模拟电路设计是实现高精度信号处理和接口功能的核心。本章系统讲解了运放（Operational Amplifier）的各种拓扑结构，包括两级增益结构、折叠式电流镜偏置技术。重点讨论了电路的失配分析、噪声源（热噪声、闪烁噪声）的建模与抑制，以及补偿技术（如密勒补偿、零点/极点补偿）在保证电路稳定性和高频响应中的应用。此外，本章还覆盖了高精度数据转换器（ADC/DAC）的设计原理，如流水线（Pipelined）和Sigma-Delta调制器的架构与误差分析。 第四章：数字集成电路设计与系统实现 本章聚焦于数字电路的逻辑综合、布局规划与时序分析。首先介绍了标准单元库（Standard Cell Library）的构建与特性，以及逻辑门（如NAND, NOR）的功耗、面积和延迟优化方法。核心内容是静态时序分析（STA），包括建立时间（Setup Time）和保持时间（Hold Time）的精确计算，以及对时钟树综合（CTS）的深入剖析，以解决全局时钟偏差（Skew）问题。对于先进工艺节点，本章阐述了低功耗设计技术，如电压调控（Voltage Scaling）和时钟门控（Clock Gating）的应用。 第五章：硬件描述语言与逻辑综合 本章详细介绍了Verilog HDL和VHDL在数字系统建模中的应用。通过大量实例，阐述了如何使用行为级、寄存器传输级（RTL）和结构级描述来精确表达电路功能。随后，深入讲解了逻辑综合工具链的工作流程，包括设计输入、约束定义、逻辑优化（如布尔代数简化、映射）和网表生成。重点强调了如何通过设计约束（SDC文件）来指导综合工具，以满足性能、面积和功耗目标。 第三部分：集成电路制造工艺 第六章：半导体薄膜沉积与外延生长 制造工艺是实现电路功能的基础。本章详述了关键薄膜的制备技术。在沉积方面，重点介绍了化学气相沉积（CVD，包括PECVD和LPCVD）的反应机理、薄膜应力控制和厚度均匀性要求。对于高性能器件，本章详细分析了分子束外延（MBE）和金属有机物化学气相沉积（MOCVD）在外延硅和III-V族半导体生长中的精确控制技术，及其在异质结构器件制造中的作用。 第七章：光刻技术与图形转移 光刻是决定集成电路特征尺寸的关键技术。本章全面介绍了光刻技术的发展，从紫外光刻（UV）到深紫外光刻（DUV，如ArF液浸技术）。重点剖析了光刻机的关键部件（如物镜、光源）和光刻胶的化学特性（如化学放大机制）。针对亚波长制造，本章详细讲解了光刻分辨率的限制因素、相位掩模（PSM）和离轴照明（OAI）等光学邻近效应（OPC）的校正技术，确保图形的精确转移。 第八章：刻蚀工艺与离子注入 本章聚焦于图形的精确去除和掺杂过程。在刻蚀方面，详细区分了干法刻蚀（如反应离子刻蚀RIE、ICP-RIE）和湿法刻蚀的机理和适用性。深入探讨了各向异性刻蚀的关键：选择比（Selectivity）、侧壁保护和深宽比（Aspect Ratio）的控制，以及对敏感结构（如FinFET的鳍片刻蚀）的损伤控制。离子注入方面，系统介绍了掺杂剂的加速、偏转和注入深度控制，以及后续的高温退火（Annealing）工艺在激活掺杂剂和修复晶格损伤中的作用。 第四部分：先进制造与封装 第九章：互连技术与金属化工艺 随着晶体管尺寸的缩小，互连线的电阻和电容（RC延迟）成为限制性能的主要瓶颈。本章详细介绍了多层金属互连结构的形成过程。重点阐述了铜（Cu）互连技术相对于铝（Al）的优势，包括其低电阻率和高抗电迁移能力。关键内容包括大马士革（Damascene）工艺（单大马士革与双大马士革）的流程、ILD（层间介质）材料的介电常数选择，以及如何通过低K介质来降低互连电容。 第十章：封装技术与系统级封装（SiP） 芯片制造的最后一步是可靠的封装。本章介绍了传统的引线键合（Wire Bonding）和倒装芯片（Flip Chip）技术，并着重分析了先进封装趋势。内容包括2.5D和3D集成技术，如中介层（Interposer）的使用、硅通孔（TSV）的制作与填充，以及晶圆级封装（WLP）的优势。封装不仅关乎电气连接，还涉及热管理（散热设计）和机械可靠性，本章对此进行了综合论述。 第十一章：新兴工艺与未来展望 本章面向前沿研究，探讨了超越传统CMOS器件的潜力技术，如GAA（Gate-All-Around）晶体管结构、二维材料（如石墨烯、二硫化钼）在晶体管中的应用潜力，以及忆阻器（Memristor）等新型存储器件的原理。此外，还讨论了极端紫外光刻（EUV）的最新进展及其对未来极小节点制造的支撑作用，展望了后摩尔时代集成电路技术的发展方向。
作者简介
目录信息
读后感
评分
评分
评分
评分
评分
用户评价
评分
评分
评分
评分
评分
相关图书
本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息，本站不存储任何数据与内容，任何内容与数据均与本站无关，如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度，google,bing,sogou 等
© 2026 qciss.net All Rights Reserved. 小哈图书下载中心 版权所有