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氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2024

氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件
☆☆☆☆☆
簡體網頁||繁體網頁
科學齣版社
2013-1
303
86.00元
半導體科學與技術叢書
9787030367174

圖書標籤: 電子器件  半導體  GaN  電子學  物理學  材料學  技術  買   

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发表于2024-12-01

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圖書描述

《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，AlCaN／GaN和InAlN／GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaNHEMT器件的原理和優化、製備工藝和性能、電熱退化分析，GaN增強型HEMT器件和集成電路，GaN MOS－HEMT器件，最後給齣瞭該領域未來技術發展的幾個重要方嚮。《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。

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用戶評價

評分☆☆☆☆☆

還行吧，主要是hemt器件相關的，前半部分氮化物材料生長的技術和一些缺陷性能錶徵。國內關於氮化物半導體專著也就這一本瞭，也還是難得。

評分☆☆☆☆☆

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