第1章 導論
1.1 集成電路發展曆史
1.1.1 世界上第一個晶體
1.1.2 世界上第一個集成電路芯片
1.1.3 摩爾定律
1.1.4 圖形尺寸和晶圓尺寸
1.1.5 集成電路發展節點
1.1.6 摩爾定律或超摩爾定律
1.2 集成電路發展迴顧
1.2.1 材料製備
1.2.2 半導體工藝設備
1.2.3 測量和測試工具
1.2.4 晶圓生産
1.2.5 電路設計
1.2.6 光刻版的製造
1.2.7 晶圓製造
1.3 小結
1.4 參考文獻
1.5 習題
第2章 集成電路工藝介紹
2.1 集成電路工藝簡介
2.2 集成電路的成品率
2.2.1 成品率的定義
2.2.2 成品率和利潤
2.2.3 缺陷和成品率
2.3 無塵室技術
2.3.1 無塵室
2.3.2 汙染物控製和成品率
2.3.3 無塵室的基本結構
2.3.4 無塵室的無塵衣穿著程序
2.3.5 無塵室協議規範
2.4 集成電路工藝間基本結構
2.4.1 晶圓的製造區
2.4.2 設備區
2.4.3 輔助區
2.5 集成電路測試與封裝
2.5.1 晶粒測試
2.5.2 芯片的封裝
2.5.3 最終的測試
2.5.4 3D封裝技術
2.6 集成電路未來發展趨勢
2.7 小結
2.8 參考文獻
2.9 習題
第3章 半導體基礎
3.1 半導體基本概念
3.1.1 能帶間隙
3.1.2 晶體結構
3.1.3 摻雜半導體
3.1.4 摻雜物濃度和電導率
3.1.5 半導體材料概要
3.2 半導體基本元器件
3.2.1 電阻
3.2.2 電容
3.2.3 二極管
3.2.4 雙載流子晶體管
3.2.5 MOSFET
3.3 集成電路芯片
3.3.1 存儲器
3.3.2 微處理器
3.3.3 專用集成電路(ASlC)
3.4 集成電路基本工藝
3.4.1 雙載流子晶體管製造過程
3.4.2 P型MOS工藝(20世紀60年代技術)
3.4.3 N型MOS工藝(20世紀70年代技術)
3.5 互補型金屬氧化物晶體管
3.5.1 CMOS電路
3.5.2 CMOS工藝(20世紀80年代技術)
3.5.3 CMOS工藝(20世紀90年代技術)
3.6 2000年後半導體工藝發展趨勢
3.7 小結
3.8 參考文獻
3.9 習題
第4章 晶圓製造
4.1 簡介
4.2 為什麼使用矽材料
4.3 晶體結構與缺陷
4.3.1 晶體的晶嚮
4.3.2 晶體的缺陷
4.4 晶圓生産技術
4.4.1 天然的矽材料
4.4.2 矽材料的提純
4.4.3 晶體的提拉工藝
4.4.4 晶圓的形成
4.4.5 晶圓的完成
4.5 外延矽生長技術
4.5.1 氣相外延
4.5.2 外延層的生長過程
4.5.3 矽外延生長的硬件設備
4.5.4 外延生長工藝
4.5.5 外延工藝的發展趨勢
4.5.6 選擇性外延
4.6 襯底工程
4.6.1 絕緣體上矽(Silicon-on-Insulator， SOI)
4.6.2 混閤晶嚮技術(HOT)
4.6.3 應變矽
4.6.4 絕緣體上應變矽(Strained Silicon on Insulator， SSOI)
4.6.5 IC技術中的應變矽
4.7 小結
4.8 參考文獻
4.9 習題
第5章 加熱工藝
5.1 簡介
5.2 加熱工藝的硬件設備
5.2.1 簡介
5.2.2 控製係統
5.2.3 氣體輸送係統
5.2.4 裝載係統
5.2.5 排放係統
5.2.6 爐管
5.3 氧化工藝
5.3.1 氧化工藝的應用
5.3.2 氧化前的清洗工藝
5.3.3 氧化生長速率
5.3.4 乾氧氧化工藝
5.3.5 濕氧氧化工藝
5.3.6 高壓氧化工藝
5.3.7 氧化層測量技術
5.3.8 氧化工藝的發展趨勢
5.4 擴散工藝
5.4.1 沉積和驅入過程
5.4.2 摻雜工藝中的測量
5.5 退火過程
5.5.1 離子注入後退火
5.5.2 閤金化熱處理
5.5.3 再流動過程
5.6 高溫化學氣相沉積
5.6.1 外延矽沉積
5.6.2 選擇性外延工藝
5.6.3 多晶矽沉積
5.6.4 氮化矽沉積
5.7 快速加熱工藝( RTP)係統
5.7.1 快速加熱退火(RTA)係統
5.7.2 快速加熱氧化(RTO)
5.7.3 快速加熱CVD
5.8 加熱工藝發展趨勢
5.9 小結
5.10參考文獻
5.11習題
第6章 光刻工藝
6.1 簡介
6.2 光刻膠
6.3 光刻工藝
6.3.1 晶圓清洗
6.3.2 預處理過程
6.3.3 光刻膠塗敷
6.3.4 軟烘烤
6.3.5 對準與曝光
6.3.6 曝光後烘烤
6.3.7 顯影工藝
6.3.8 硬烘烤工藝
6.3.9 圖形檢測
6.3.10晶圓軌道步進機配套係統
6.4 光刻技術的發展趨勢
6.4.1 分辨率與景深(DOF)
6.4.2 I綫和深紫外綫
6.4.3 分辨率增強技術
6.4.4 浸入式光刻技術
6.4.5 雙重、三重和多重圖形化技術
6.4.6 極紫外綫(EUV)光刻技術
6.4.7 納米壓印
6.4.8 X光光刻技術
6.4.9 電子束光刻係統
6.4.10離子束光刻係統
6.5 安全性
6.6 小結
6.7 參考文獻
6.8 習題
第7章 等離子體工藝
7.1 簡介
7.2 等離子體基本概念
7.2.1 等離子體的成分
7.2.2 等離子體的産生
7.3 等離子體中的碰撞
7.3.1 離子化碰撞
7.3.2 激發鬆弛碰撞
7.3.3 分解碰撞
7.3.4 其他碰撞
7.4 等離子體參數
7.4.1 平均自由程
7.4.2 熱速度
7.4.3 磁場中的帶電粒子
7.4.4 玻爾茲曼分布
7.5 離子轟擊
7.6 直流偏壓
7.7 等離子體工藝優點
7.7.1 CVD工藝中的等離子體
7.7.2 等離子體刻蝕
7.7.3 濺鍍沉積
7.8 等離子體增強化學氣相沉積及等離子體刻蝕反應器
7.8.1 工藝的差異性
7.8.2 CVD反應室設計
7.8.3 刻蝕反應室的設計
7.9 遙控等離子體工藝
7.9.1 去光刻膠
7.9.2 遙控等離子體刻蝕
7.9.3 遙控等離子體清潔
7.9.4 遙控等離子體CVD(RPCVD)
7.10高密度等離子體工藝
7.10.1 感應耦閤型等離子體（ICP）
7.10.2 電子迴鏇共振
7.11小結
7.12參考文獻
7.13習題
第8章 離子注入工藝
8.1 簡介
8.1.1 離子注入技術發展史
8.1.2 離子注入技術的優點
8.1.3 離子注入技術的應用
8.2 離子注入技術簡介
8.2.1 阻滯機製
8.2.2 離子射程
8.2.3 通道效應
8.2.4 損傷與熱退火
8.3 離子注入技術硬件設備
8.3.1 氣體係統
8.3.2 電機係統
8.3.3 真空係統
8.3.4 控製係統
8.3.5 射綫係統
8.4 離子注入工藝過程
8.4.1 離子注入在元器件中的應用
8.4.2 離子注入技術的其他應用
8.4.3 離子注入的基本問題
8.4.4 離子注入工藝評估
8.5 安全性
8.5.1 化學危險源
8.5.2 電機危險源
8.5.3 輻射危險源
8.5.4 機械危險源
8.6 離子注入技術發展趨勢
8.7 小結
8.8 參考文獻
8.9 習題
第9章 刻蝕工藝
9.1 刻蝕工藝簡介
9.2 刻蝕工藝基礎
9.2.1 刻蝕速率
9.2.2 刻蝕的均勻性
9.2.3 刻蝕選擇性
9.2.4 刻蝕輪廓
9.2.5 負載效應
9.2.6 過刻蝕效應
9.2.7 刻蝕殘餘物
9.3 濕法刻蝕工藝
9.3.1 簡介
9.3.2 氧化物濕法刻蝕
9.3.3 矽刻蝕
9.3.4 氮化物刻蝕
9.3.5 金屬刻蝕
9.4 等離子體(乾法)刻蝕工藝
9.4.1 等離子體刻蝕簡介
9.4.2 等離子體刻蝕基本概念
9.4.3 純化學刻蝕、純物理刻蝕及反應式離子刻蝕
9.4.4 刻蝕工藝原理
9.4.5 等離子體刻蝕反應室
9.4.6 刻蝕終點
9.5 等離子體刻蝕工藝
9.5.1 電介質刻蝕
9.5.2 單晶矽刻蝕
9.5.3 多晶矽刻蝕
9.5.4 金屬刻蝕
9.5.5 去光刻膠
9.5.6 乾法化學刻蝕
9.5.7 整麵乾法刻蝕
9.5.8 等離子體刻蝕的安全性
9.6 刻蝕工藝發展趨勢
9.7 刻蝕工藝未來發展趨勢
9.8 小結
9.9 參考文獻
9.10習題
第10章 化學氣相沉積與電介質薄膜
10.1 簡介
10.2 化學氣相沉積
10.2.1 CVD技術說明
10.2.2 CVD反應器的類型
10.2.3 CVD基本原理
10.2.4 錶麵吸附
10.2.5 CVD動力學
10.3 電介質薄膜的應用
10.3.1 淺溝槽絕緣(STl)
10.3.2 側壁間隔層
10.3.3 ILD0
10.3.4 ILD1
10.3.5 鈍化保護電介質層(PD)
10.4 電介質薄膜特性
10.4.1 摺射率
10.4.2 薄膜厚度
10.4.3 薄膜應力
10.5 電介質CVD工藝
10.5.1 矽烷加熱CVD工藝
10.5.2 加熱TEOS CVD工藝
10.5.3 PECVD矽烷工藝
10.5.4 PECVD
· · · · · · (收起)