《國外電子與通信教材係列:碳化矽半導體材料與器件》是一本係統介紹碳化矽半導體材料及器件的專著，主要論述瞭SiC材料與器件中的相關基礎理論，內容包括：SiC材料特性、SiC同質外延和異質外延、SiC歐姆接觸、肖特基勢壘二極管、大功率PiN整流器、SiC微波二極管、SiC晶閘管、SiC靜態感應晶體管、SiC襯底材料生長、SiC深能級缺陷、SiC結型場效應晶體管，以及SiCBJT等。書中涉及SiC材料製備、外延生長、測試錶徵、器件結構與工作原理、器件設計與仿真、器件關鍵工藝、器件研製與性能測試，以及器件應用等多個方麵。在論述這些基礎理論的同時，重點總結瞭近年來SiC材料與器件的主要研究成果，以及今後的發展趨勢。
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