模拟集成电路系统 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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出版者:中国铁道出版社

作者:

出品人:

页数:230

译者:

出版时间:1998-06

价格:17.40元

装帧:平装

isbn号码:9787113028107

丛书系列:

图书标签:

• 电路分析
• 模拟电路
• 集成电路
• 系统设计
• 电路分析
• 模拟系统
• 电子工程
• 射频电路
• 混合信号电路
• 电路仿真
• 信号处理

好的，这是一份关于一本名为《微纳电子器件物理与设计》的图书的详细简介： --- 《微纳电子器件物理与设计》 作者： [此处填写作者姓名，例如：张伟、李明] 出版社： [此处填写出版社名称，例如：科学出版社、电子工业出版社] 字数： 约 60 万字 开本： 16 开 定价： [此处填写定价] --- 内容概述 《微纳电子器件物理与设计》是一本深入探讨现代集成电路（IC）领域核心——半导体器件物理机理、制造工艺以及先进器件结构设计与性能优化的专业著作。本书旨在为电子工程、微电子学、材料科学以及物理学等相关专业的学生、研究人员和工程师提供一套系统、全面且前沿的知识框架。 本书的核心聚焦于从原子尺度理解半导体材料的本征特性，进而剖析宏观尺度下器件的工作原理，并最终过渡到面向前沿集成电路技术的设计与优化策略。全书结构严谨，逻辑清晰，内容涵盖了从传统的MOSFET到新型存储器器件的广阔领域，强调理论推导与实际应用相结合。 详细章节结构与核心内容 本书共分为七个主要部分，涵盖了微纳电子器件的理论基础、关键物理过程、主流器件结构以及未来发展趋势。 第一部分：半导体物理基础与本征特性 本部分奠定了理解所有半导体器件的基础。首先回顾了晶体结构、能带理论以及半导体中载流子的输运现象。重点深入分析了电子和空穴在半导体内的统计分布、漂移与扩散过程，并详细推导了扩散系数与迁移率之间的关系。 晶体结构与能带理论： 晶体对称性、布里渊区、有效质量概念。 载流子统计与平衡态： 费米能级、简并与非简并半导体中的载流子浓度计算。 载流子输运机制： 欧姆定律的微观解释、高场效应（如载流子饱和）及温度依赖性。 第二部分：PN结与二极管理论 本部分详细阐述了半导体结的基本构建模块——PN结。从能带图的构建开始，系统分析了平衡态、外加偏置下的电势分布、内建电场和空间电荷区。 PN结的伏安特性： 漂移电流、扩散电流的精确分离与求和，以及理想与非理想二极管模型。 结电容与开关特性： 结电容（势垒电容和存储电容）的计算及其对高频性能的影响。 特殊二极管： 齐纳二极管、肖特基势垒二极管（SBD）的物理机制与应用。 第三部分：金属-氧化物-半导体（MOS）结构与理论 MOS结构是现代CMOS技术的核心。本部分以最严格的物理模型来解析MOS电容的基本行为，并过渡到实际器件的建模。 MOS电容分析： 耗尽、弱反型和强反型区域的精确电势和电荷分布求解。 表面物理学： 氧化层界面态的性质、界面陷阱的能级分布及其对阈值电压的影响。 亚阈值区行为： 亚阈值斜率（Subthreshold Swing）的物理来源与极限分析。 第四部分：MOSFET：从一维到三维的维度演进 本部分是本书的重点，详细剖析了场效应晶体管（FET）的工作原理及其在尺寸微缩过程中的挑战与应对策略。 长沟道MOSFET模型： 欧姆区、饱和区的基本输运方程、跨导与输出电阻的推导。 短沟道效应分析（SCE）： DIBL（漏致势垒降低）、沟道长度调制（CLM）的物理机理，以及漏电流的非理想行为。 载流子输运模式： 饱和速度效应（Velocity Saturation）与载流子输运模型的选择。 先进结构基础： 沟道厚度调控、高介电常数（High-k）栅氧化物、金属栅极技术（Metal Gate）的必要性。 第五部分：先进晶体管结构与新兴器件设计 随着传统平面MOSFET面临的物理极限，本部分全面介绍了为延续摩尔定律所开发的革命性结构。 FinFET（鳍式场效应晶体管）： 三维栅极控制的引入，对短沟道效应的抑制，以及其二维或三维电流模型。 平面器件的演进： SOI（绝缘体上硅）技术及其在降低寄生效应方面的优势。 隧道场效应晶体管（TFET）： 基于带间隧穿机理，突破亚阈值斜率限制的潜力分析。 功耗优化器件： 负电容效应（Negative Capacitance）在超低功耗逻辑中的初步探讨。 第六部分：存储器器件的物理原理 本部分转向非易失性存储器和新兴存储技术，探讨其基于物理效应的读写机制。 浮栅与电荷陷阱存储器（Flash）： 隧穿机制（Fowler-Nordheim和Direct Tunneling）、耐久性与可靠性问题。 磁阻随机存取存储器（MRAM）： 自旋转移矩（STT）与自旋轨道矩（SOT）驱动下的磁化翻转物理学。 电阻随机存取存储器（RRAM）： 导通/关闭机制、开关动力学以及忆阻效应的物理基础。 第七部分：器件参数提取、建模与制造影响 最后一部分将理论与工程实践紧密结合，讨论了器件参数的实际测量、模型简化以及制造工艺对器件性能的最终影响。 器件参数提取： 阈值电压、跨导、欧姆接触电阻的实验方法。 紧凑型模型构建： 从物理模型到工程模型的过渡，如BSIM系列模型的结构思想。 制造工艺对器件特性的影响： 离子注入、薄膜沉积、刻蚀等工艺步骤引入的缺陷与应力效应对电学性能的系统性偏移分析。 适用读者对象 本书内容深度适中，理论推导严谨，数据和图表丰富，特别适合以下读者群： 1. 高年级本科生和研究生： 作为微电子学、半导体物理、集成电路设计课程的教材或主要参考书。 2. 半导体研发工程师： 从事晶体管设计、工艺集成、版图优化和可靠性分析的专业人员。 3. 科研人员： 对新型晶体管结构、先进封装技术和下一代器件物理感兴趣的研究学者。 通过学习本书，读者将不仅掌握现有主流CMOS器件的工作细节，更能建立起对未来器件创新方向的深刻洞察力。本书强调从第一性原理出发的分析方法，确保读者能够独立应对复杂的半导体物理问题。

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这本《模拟集成电路系统》真是太令人惊喜了！我一直对电子工程领域深感兴趣，尤其是在数字电路日新月异的今天，依然觉得模拟电路的魅力独树一帜。拿到这本书，我怀着既期待又有些忐忑的心情翻开，生怕过于艰涩难懂。然而，作者的讲解方式却出乎意料地流畅和清晰。书中不仅仅是枯燥的公式推导，而是通过大量贴近实际应用的例子，将复杂的概念一一拆解。我尤其喜欢其中关于运算放大器（Op-amp）的章节，它从最基本的原理讲起，逐步深入到各种经典的应用电路，比如滤波器、比较器、以及各种信号调理电路。让我印象深刻的是，作者在讲解过程中，并没有回避模拟电路设计中的一些“痛点”，比如噪声、失真、稳定性等问题，而是详细阐述了如何识别这些问题，以及通过系统性的设计方法来规避或优化它们。书中还穿插了一些历史性的发展介绍，让我了解到许多经典模拟集成电路的设计思想是如何一步步演进形成的，这不仅仅增长了我的知识，更让我对这个领域产生了更深的敬意。那些图表清晰明了，逻辑关系一目了然，即使是我这种初学者，也能从中获得不少启发。我迫不及待地想把书中的知识应用到我自己的小项目中去！

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这是一本让我眼前一亮的著作。我一直认为，在当今以数字技术为主导的时代，模拟电路似乎正在逐渐被边缘化，甚至被视为一种“古老”的技术。然而，《模拟集成电路系统》这本书，以其精辟独到的视角，让我看到了模拟电路的强大生命力和其在现代科技体系中不可替代的地位。作者没有局限于罗列各种模拟器件的规格参数，而是着重强调了“系统”的构建。他将各种模拟电路模块，如运算放大器、滤波器、混频器、锁相环（PLL）等，是如何在复杂的集成电路设计中协同工作的，以及如何构成一个完整的信号链。我尤其对书中关于射频（RF）前端设计的部分印象深刻。作者详细阐述了从天线接口到信号解调过程中，模拟电路所扮演的关键角色，以及如何克服传输损耗、噪声干扰和非线性效应等挑战。书中对于滤波器设计的讲解，让我看到了如何在满足特定频率选择性的同时，兼顾功耗和响应速度。另外，关于数模混合信号（Mixed-Signal）集成电路的章节，也为我提供了宝贵的启示，让我了解到如何在数字和模拟领域之间架起桥梁，实现更高效、更集成的解决方案。这本书的价值在于，它能够将零散的模拟电路知识整合成一个有机的整体，让我从更高层面上理解模拟集成电路的系统性设计。

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老实说，我本来对“模拟集成电路系统”这个主题并没有太大的期待，因为在我看来，现在的电子产品似乎都被数字化的浪潮裹挟，模拟电路的地位好像越来越边缘化了。但是，当我翻开这本书，我彻底改变了看法。作者以一种非常宏观的视角，将模拟电路在整个系统中的作用和重要性进行了深刻的阐述。他没有止步于单个器件的讲解，而是着重强调了如何将这些模拟器件有机地组合成一个完整的、功能强大的系统。书中关于电源管理单元（PMU）的设计原理，对我来说简直是醍醐灌顶。我一直对智能手机、物联网设备中那些小巧而高效的电源模块感到好奇，而这本书就详细剖析了其中的奥秘，从低压差线性稳压器（LDO）到开关稳压器（Switching Regulator）的各种拓扑结构，再到功耗优化和噪声抑制的策略，都讲解得鞭辟入里。更让我惊喜的是，书中还涉及了一些模拟前端（AFE）的设计，比如传感器接口电路、放大器、模数转换器（ADC）的预处理等，这些都是实现高性能信息采集的关键。作者在讲解中，经常会引用一些业界领先的芯片设计案例，并进行深入分析，这不仅让我看到了理论知识在实践中的应用，也让我对未来的模拟集成电路发展方向有了更清晰的认识。这本书的视野非常开阔，让我看到了模拟电路在现代科技中不可或缺的地位。

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读完《模拟集成电路系统》，我才真正体会到模拟电路设计的艺术性和挑战性。这本书没有采用那种“填鸭式”的教学方法，而是通过一个个精心设计的案例，引导读者一步步深入理解模拟电路的精髓。作者在讲解过程中，非常注重理论与实践的结合，他不仅会给出严谨的公式推导，还会辅以大量的实际电路图和仿真结果，让我能够直观地感受到理论的威力。我印象最深刻的是关于功耗优化和低功耗设计的章节。在移动设备和物联网飞速发展的今天，功耗已经成为衡量集成电路性能的重要指标。书中详细介绍了各种低功耗设计策略，包括亚阈值电路设计、动态电压频率调整（DVFS）技术、以及如何优化偏置电流等。我还从中学习到了如何设计高精度、低噪声的模拟信号采集系统，这对于生物医学、环境监测等领域至关重要。作者在讲解过程中，并没有回避一些“隐藏”的设计难题，比如工艺的变化对电路性能的影响、以及如何在有限的芯片面积内实现复杂功能等，并给出了切实可行的解决方案。这本书让我意识到，模拟集成电路设计并非简单的器件堆砌，而是一门需要深厚理论功底、丰富实践经验和创新思维的艺术。它让我对模拟电路设计充满了敬畏，也激发了我进一步学习和探索的动力。

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我对模拟集成电路的理解一直停留在比较基础的层面，尤其是对于一些高级概念，比如频率响应、稳定性分析、以及各种补偿技术，总是感到有些迷茫。《模拟集成电路系统》这本书，无疑为我打开了一扇新的大门。作者在讲解这些复杂的主题时，并没有直接抛出高深的数学模型，而是循序渐进，从直观的物理现象入手，逐步引出背后的数学原理。我特别喜欢他对反馈系统稳定性的讲解，他通过对伯德图（Bode Plot）的细致剖析，清晰地展示了系统在不同频率下的增益和相位变化，以及如何通过引入补偿电路来改善稳定性。书中关于低噪声放大器（LNA）的设计部分，也让我受益匪浅。作者详细讲解了噪声的各种来源，以及如何通过器件选择和电路结构来最小化噪声的影响，这对于射频（RF）和通信系统设计至关重要。此外，书中还涉及了一些关于高频模拟电路设计的挑战，比如寄生参数的影响、互连线效应等，并提出了有效的解决方案。我甚至还从书中了解到了一些关于模拟信号处理的算法，比如数字信号处理（DSP）和模拟信号处理的结合，这让我对如何构建更强大的信号处理系统有了更深入的理解。这本书不仅是理论的堆砌，更是智慧的结晶，让我对模拟集成电路的设计有了全新的认识。

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